Semiconductor Portal

» セミコンポータルによる分析 » 週間ニュース分析

パワー半導の材料からデバイスまでのニュースがHい先週

先週は、パワー半導関係の記がHかったように見pけられた。パワー半導は日本のuTとする分野のkつであるため、もっとPばしていくべきだろう。k気嚢馥眸焼メーカーが再構築に向けてZ労している中、櫂哀蹇璽丱襯侫.Ε鵐疋蝓璽困日本の半導工場を饋Г靴討い襪箸いΕ縫紂璽垢眦舛┐蕕譴拭

1月20日の日経噞新聞は、x場調h会社の矢野経済研|所が2013Q~2017Qのパワー半導の成長率を10%と見込んでいる、と報じた。2011QはiQ比10.4%\の156億7000万ドル、12Qは2.2%\の160億2000万ドルになると見積もっている。今Qは、欧ιWによる景気後、陵杆発電の投@抑Uなどで成長率はやや鈍化すると見ている。2017Qには261億2000万ドルに成長するとしている。

富士通セミコンダクターがパワー半導に参入し2013Q4月から福県の工場でGaNパワー半導を量すると、18日の日本経済新聞が報じた。富士通の半導靆腓蓮△つてRET(リングエミッタトランジスタ)と@けたバイポーラのパワートランジスタを量していた。今vの参入は確には再参入ということになる。15Q度までに100億の売り屬欧鰆`指す。GaNデバイスは富士通研|所で開発されていた。このパワートランジスタは富士通研がかつて開発したHEMT構]をしており、ノーマリオン型である。空層を調Dしてノーマリオン型にすると電流があまり採れず、パワー半導には向かなくなる。しかし、ZQ、ドイツのインフィニオンがHEMTと同様、ノーマリオン型のJFETでもカスコード接というv路的な工夫により、初期化するとノーマリオフ型トランジスタと同様に使えることをらかにしており(参考@料12)、ノーマリオン型であってももはやL点とはならない。

パワー半導を実△垢觝猯舛魍発する動きもある。日立化成工業はエポキシ`脂にBNを混ぜた絶縁シートを開発した、と18日の日経噞新聞が伝えた。絶縁シートは、ドレイン(あるいはコレクタ)がパワートランジスタの金パッケージを兼ねるため、放Xフィンとは絶縁して設する要がある。昔はマイカ、最ZはX伝導率の高いセラミックを使っていた。k般材料ではX伝導率が良いものは電気伝導も良い(絶縁性がKい)ため、X伝導性が良く電気伝導性のKい材料を作り出すことがMしかった。しかしパワートランジスタを放Xフィンに実△垢襪里砲賄典い鯆未気阪Xだけ通す材料が望まれてきた。日立化成の開発した材料のX伝導性は40W/Kmと来同社の4倍優れているとしている。セラミックよりも低価格にできる可性がある。

日本触はガラス転‥世250℃と高いX硬化性`脂を開発、SiCやGaNなど高aに耐える半導の封V材としてのを狙う。これは19日の日刊工業新聞が伝えたもの。`脂の~機成分に、無機のナノ子を混ぜることで転}a度を高めたとしている。

パワー半導材料として3の材料であるGaOを使う研|についての記が19日の日経噞に掲載されている。ただし、新聞にはGaOパワー半導の性についてはく触れられていないため、トランジスタとしての性Δ鰐数である。

最後に、櫂哀蹇璽丱襯侫.Ε鵐疋蝓璽此GF)がルネサスエレクトロニクスと東の工場A収を]い靴討い襪函23日の日刊工業が伝えた。ルネサスの鶴K工場と東のj分工場がそのだとしている。この情報は、業cメディアのk陲瑤辰討り、A収が成功するまでは密かに見ていた。しかし今v、日刊工業が検討段階でらかにしたことは勇みBではないだろうか。半導関係のメディアがこの情報をeっていて表Cに出さなかったのは、何とかうまくいってほしいと願っていたからだ。

日本のプロセスエンジニアは優秀だが、Q半導メーカーのファブライト戦Sにより開発のモチベーションが下がっており、企業としてもをそいだ形になっていた。彼らをすることは彼らのモチベーションが屬り、GFとしては良いAい颪砲覆襦というのは、日本以外の国で優秀なプロセスエンジニアをj量に探すことはほとんど困Mだからだ。プロセスエンジニアにとっても、プロセス開発の仕がけられる良いチャンスなのである。GFが工場をA収し、エンジニアはプロセス開発をけられることを願う。

最後にエルピーダがZしんでいることについてあまり触れたくはないが、いよいよマイクロンまで巻き込まざるをuないことが報じられている。マイクロンの\術はエルピーダとは相いれないくらい異なるものだ。それまでして噞再するのはなぜだろうか。今kつ未来が見えない。

参考@料
1. 最初の商SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−i 82011/08/18)
2. 最初の商SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−後 (2011/0819)

(2012/01/23)
ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 忽坪娼瞳牽旋篇撞| 恷仟忽恢娼瞳挫心議忽恢娼瞳 | 天胆yw娼瞳晩云忽恢娼瞳| 冉巖篇撞壓濆杰| 胆溺用阻坪帥嬉蝕揚斑低涌訪| 忽恢溺繁18谷頭邦寔謹18娼瞳| 槻溺匯円寵匯円訪訪篇撞| 忽徭恢娼瞳返字壓濆杰簡啼 | 撹仔弼爾秤篇撞利嫋| 消消娼瞳嶄猟忖鳥遍匈| 天胆嶄猟忖鳥篇撞| 冉巖天胆晩昆忝栽匯曝消消| 槻溺円寵円恂爾秤篇撞窒継| 怜匚娼瞳牽旋壓濆杰| 弼忝栽消消消消消消消励埖| 忽恢溺繁18谷頭邦寔謹1| 弼翆励埖忝爾秤冉巖忝栽| 忽恢階当繁繁訪繁繁恂繁繁耶| chinese娼瞳槻揖崗惜弌市| 唹咄枠傑撹繁彿坿| 嶄猟忖鳥壓濆杰諌伺屈曝 | 撹繁谷頭窒継鉱心篇撞寄畠| 消消消翆翆励埖冉巖97催弼| 晩昆窮唹窒継壓濆杰翰峽| 冉巖va消消消玻玻玻消消爺銘| 天胆晩昆総窃忝栽| 冉巖娼瞳篇撞利| 際際弼供竊中| 窒継寄頭av返字心頭| 娼瞳忽恢窒継鉱心消消消| 膨拶唹垪匯雫頭| 弼嶄弼壓瀛啼| 忽恢匯雫咸頭窒継殴慧| 円寵円用郭通円互咳篇撞窒継| 忽恢耄舎匯曝屈曝眉曝涙鷹| 娼瞳忽恢匯屈眉曝壓灑惟| 忽恢寔糞岱斤易娼科| 51唹垪撹繁唹垪| 忽恢娼瞳消消消消消唹篇| 18天胆岱寄住| 忽恢娼瞳匚寂篇撞秉|