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文化勲章p章vと文化功労vに半導研|v2@がばれる挙

10月25日に2011Q度文化勲章p章vと文化功労vがBから発表され、半導分野から2@の研|vがばれたことは挙である。E色LEDを最初に開発した@城j学教bの刑衢(当時は@古屋j学)が文化勲章p章vに、東Bj学@誉教bの菅野Rdが文化功労vにそれぞればれた。

25日けの日本経済新聞D刊に刑蟠笈bのコメントが掲載されているが、「愚直にやってきただけ」と謙している。同は1980Q代i半からGaN材料にR`し、に応駘学会のj会にずといってよいほど毎v発表していた。なかなかpn接合ができなくてZ労している様子をMはいつもウォッチしていた。

刑蟠笈bが@古屋j学でGaNのE色ダイオード開発を`指していた頃、地元のl田合成は刑蟠笈bの門をきE色LEDの商化に}した。マスメディアは刑蟠笈bの仕よりも日亜化学工業の中T二のE色LEDの研|を採り屬欧襪海箸Hく、x場にE色LEDを出したのは日亜の気先だった。しかし、l田合成もほとんどれることなく商化できたのは、刑蟠笈bとk緒にDり組んできたからだ。

今Qになって刑蟠笈bは、盜颪療纏匐\術v学会のIEEEから2011Qエジソン・メダル賞をp賞している(参考@料1)。1985Qにサファイヤ基屬縫丱奪侫〜悗鮴僂GaNT晶を成長させ、1989Qに低い電子エネルギー照oによるp型覦茲虜によってpn接合を実現、すぐ後にE色LEDの発光を莟Rした。

文化功労vにばれた菅野Rd@誉教bは、シリコン半導ICの世cでは瑤蕕覆た佑呂い覆い箸い辰討茲い曚鼻▲轡螢灰MOS集積v路の基礎を作った高@な学vである。に、1970Qi後、経済噞省工業\術院電子\術総合研|所(現在の噞\術総合研|所)の谿羚夫とk緒に表した「MOS電c効果トランジスタ」という書籍は、MOSLSI開発研|vのバイブルにもなった。菅野教bは、MOSFETを実化する屬把_要な、シリコンと┣祝譟SiO2)とのcCのクリーンさ、スムースさに関する研|にRしていた。このcCにおける電子走行の邪魔をする表C順位やNaイオン不純顱w定電荷などの解を行い、MOSLSIの実化にjきく貢献した。

このcCX況は現在のSiC MOSFETについても同様に考えられるため、SiCの実化のカギを曚襦8俊XではSiCの電子‘暗戮魯轡螢灰鵑里修譴茲蠅發困辰半さく、ロスがまだjきいためSiCのMOSFETを無理やり発Xさせながら動作させている。SiCは動作可ρa度がSiよりも高いため、高aで動作させているが、SiCの本来の性Δ呂泙整き出せていない。

k気如∪莉気呂箸討盪椎阿琶⇔たしいニュースもあった。経済噞省陲砲茲襯ぅ鵐汽ぅ澄柴D引疑惑で東B地検が情聴Dに入った、と10月29日の日経朝刊とD刊で報じられた。日経によると、2009Q2〜3月にエルピーダの株式5000株を妻の@IでP入、4月には売却しW益をu、その後さらにルネサスエレクトロニクスの合に向けNECエレクトロニクスの株を2000株P入、合後に売却したというもの。これが実なら完なインサイダーD引に当たる。

エルピーダはリーマンショックとそのiのVista不況によって業績がK化し倒iに{い込まれ株価も下がっていた。@本R入によってよみがえった後では株価は屬ることが予[されるため、最初からそれを見込んだ株式P入は不であり、Mになる。NECエレクトロニクスとルネサステクノロジとの合の場合も同様だ。合により経営がW定すると期待されるため、合後に株価が屬ることはOであり、この情報を立場峙iに瑤螻式をP入したのなら、インサイダーD引になる。

日経によると、妻がD引したのだからインサイダーではないと言っているというが、もってのほかである。本人が妻@IでP入し売りsけたとすれば本人がOyに不な金を操作していることになる。たとえ妻@Iだとしてもこのo^のモラルの低さにあきれてしまう。そもそもo^が株D引を行うことO、インサイダーの疑いをかけられても仕気ない。Mのようなジャーナリストも同じである。妻はもちろん家にもして株D引をしないようにRTしている。o^やジャーナリスト、その他内霈霾鵑鮠}に入れられる立場にあるものが株D引を行いたいのであれば、せめて売りsけしないように、いつまでも株式をじっとeっていることを証させ、売る場合には問がないかどうかをチェックするようなUを作るべきである。これができないのであれば、o^や内霈霾鵑瑤袵uるvの株D引をC禁Vすべきだろう。o平なx場でまともにD引している株主を裏切ることになるからだ。

参考@料
1. IEEE Edison Medal Recipients

(2011/10/31)
ごT見・ご感[
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