日刊工業の報�Oは、サムスンが450mm化を����すれば東��も�{��するという捉え�気鬚靴討�り、最�Zサムスンが投�@を縮小していることから、450mmへの����はしないという読みから書かれた記��である。この読みが��しいかどうか、判��しにくい。というのは、サムスンは�f国の工場への投�@は�呂┐討い襪發里痢��櫂謄�サス�Ε�ースチンにあるファウンドリ工場には投�@を�M��しているからだ。サムスンはメモリーからファウンドリへ舵を切り始めている。この記��には、450mm化を推進してきた肝心のインテルと、TSMCの動向については書かれていないため、450mmの先送りはあくまでもサムスンの�f国工場に限定した�Bと捉えるべきだろう。

サムスンの白�p��問��は�L外メディアも�R�`していた。�f国のメディアのThe Hankyorehが伝えたところによると、�����v機関の�盜�Environ社は、患�vを出したといわれているサムスンのキーフン工場の��5および��12ライン、オンヤン工場の��5ラインにおける発がん性����の使��に�瓦垢���要性と、��業�^が浴びた発がん性����のレベル、作業�vが�^される発がん性����と白�p��発��との相関関係、について調べたという(参考�@料1)。白�p��患�v6�@の内4�@は発がん性����に�^されておらず、残り2�@が�^された量は国際基��を下�vったレベルだったとしている。ただし6月にソウルの行��裁判所は、白�p��発�fとの因果関係を認める判��を下しており、今後も�_を引きそうだ。

��るいニュースとして、クルマの����メーカーとして世�c�j�}の独ボッシュが、クルマの電動化に研�|開発�Jを9.5%�\やした、と7月15日の日刊工業が伝えた。2011�Qの研�|開発�Jは250億��になり��来のABS（アンチブレーキングシステム）など�W��性を高める研�|に加え、EVやハイブリッド�Z��の電動システムに�_点投�@する。半導��メーカーにとってボッシュにECU向けや電動�U御�v路向けのパワー半導��を売り込むチャンスになる。

シャープと�V�L�@密工業が50%ずつ出�@して、テレビ��の�j型�]晶パネル�雕爐魘ζ営潅�する合弁企業を�Q内にも設立する、と7月19日の日経�噞新聞が報じた。ガラス基��やカラーフィルタなどの�雕爐鬚海旅臺朮饉劼�調達し、�V�L傘下の奇美電子とシャープに供給する。調達��模の拡�jでコスト削��を狙う。シャープはさらに、省エネ性�Δ鮃發瓩覿\術も奇美に指導し、�O社��パネル並みの����を確保するとしている。

アドバンテストがNANDフラッシュメモリー��テスターを発売したというニュースを7月15日の日経�噞が伝えた。このニュースは、Semicon Westの時期(先週)にNANDフラッシュ��テスターを出す��画を松野晴夫社長が4月に述べていたが（参考�@料2）、予定通りの運びとなった。ウェーハテスト��のHA5100CELLは、同時に4��のウェーハ、または6144個のチップを100MHzの周�S数でテストできる。パッケージに収容したNANDフラッシュ��テスターT5773は、200MHzの周�S数で768個のICを同時にテストできる。

最後のニュースとして、東��がMRAMを�f国のハイニックスと共同で開発するという発表（7月13日発表、14日の日経�噞など報�O）を紹介する。DRAM専門のハイニックスとNANDフラッシュに�咾づ贄�がコラボすることで��来の不ｧ発性RAM開発に乗り出すことは、素晴らしいニュースである。����化で先行しているフリースケールのMRAM����は電流�~動型で高集積にしにくい構�]だが、東���j学の�j野�S男教�bらが提案しているスピントロニクス�W��のMRAMは高集積にしやすいという��長を�eつ。サムスンがスピン�R入書き込み型のMRAMを開発中であり、同社との��争に�△┐襪箸いαT味もある。ただし、これまで提案のある不ｧ発性RAMと言われるメモリーは、どれもROM的、ストレージ的であり、DRAMのようにRAM的な使われ�気呂靴討い覆ぁ�どのマーケットを狙うのかをしっかり�x場調�hすることは、研�|開発に加え、成否のカギを�曚訥_要なファクタである。東��が独�Oにマーケティングをどう�啣修垢襪�どうかが問われている。

参考�@料
1. Samsung Commissioned-study rejects leukemia claims, in The Hankyoreh (2011/07/14)
2. アドバンテスト、3期ぶりに���C化達成、�A収・コア拡�jで積極的な��めを�t開 (2011/04/28)