東��の四日�x工場は、世�c��2位という東��NANDフラッシュメモリーの�攵妌場である。落ちた電��の期間がわずか0.07秒という�](m└i)い時間であったが、電圧が半分にまで下がり、その分のエネルギーをカバーしきれなかった、と10日の日本経済新聞は報じている。2011�Q1〜2月におけるフラッシュメモリーの�攵盋が最�Kの場合、20%くらい低下すると懸念されているが、10日にはライン�n働の�v復のメドが立つとしている。

新聞報�O(p┴ng)で読む限り、NAS電池やバックアップ電池は働かなかったのだろうか、という疑問がある。電圧がたとえ半分に低下したとしても、時間が0.07秒なら電��量をカバーできるような気がする。しかし、電圧低下分の電��を��えなかったということは、たとえ電池を?y┐n)△┐討い燭箸靴討眦澱咾留�答�]度が間に合わなかったということなのだろう。ということは、高�]キャパシタと�U(ku┛)御�v路が��要だということになる。しかし工場����をカバーできるほど�j(lu┛)容量・高耐圧の高�]キャパシタや電池の実現はそう�~単ではない。

逆にUPSのような無停�V電源は工場����の電源を��えないだろうから、����ごとに設��せざるを�u(p┴ng)ないことになる。��にプラズマ����は瞬停を嫌う。プラズマプロセスが��雑に変わり、ウェーハ歩�里泙蠅猟祺爾��j(lu┛)きく懸念される。このため����ごとにUPSを��けるなら、プラズマ����から導入されるだろうが、もしそうなるとUPSに使うIGBTなどのパワートランジスタに�j(lu┛)きな�x場が開けてくることになる。しかし、UPSを設��するリスクをとるためのコストが�屬�ってしまう。

今�vのような���Pを工場単位で�敢�を�]つとすればコスト高になり��争��で負けてしまう�e(cu┛)険性がある。逆に国際��争��で負けないようにするためには、こういった瞬停に�瓦垢襯愁螢紂璽轡腑鵑箸靴�、やはりマイクログリッドやスマートグリッドのような仕組みが求められることになろう。ここには国家からの国際��争��に見合った�q�\がマイクログリッド作りに��要となるかもしれない。マイクログリッドは半導��ビジネスにとっては巨�j(lu┛)なマーケットになるが、瞬停を嫌う��ての工場で�W(w┌ng)��される可��性はある。

テスターメーカーのアドバンテストが��(sh━)国のシステムLSIテスターメーカーであるヴェリジー社に�瓦靴��A収を提案した、と12月8日の日本経済新聞が伝えた。ヴェリジーは、1999�Qにヒューレットパッカードからスピンオフしたアジレントテクノロジーの���R�_(d│)�靆腓箸靴�2006�Qに独立したメーカー。もともと高周�Sに��(d┛ng)かったHPの伝統を引き�M(f┬i)ぎ、ワイヤレス�\術に�L(f┘ng)かせないRF�v路やミクストシグナル�v路、プロセッサなどのシステムLSI、さらにはメモリー半導��にまで�}を�Pばしてきた。片や、アドバンテストはメモリーテストで定�hのある日本の���R�_(d│)メーカーだ。

今�vの�A収�Sは、アドバンテストがヴェリジーを600億��で�A収するという提案をした。ヴェリジーは11月にミクストシグナルのテストに��(d┛ng)いLTXを�A収することで両社は合�Tしていたが、LTXを�A収するヴェリジーそのものをアドバンテストが�A収することになった。アドバンテストにとって��高は�A収の�{い風になり、「LXTも含めた�Wい�Aい�顱廚砲覆襦�新聞報�O(p┴ng)ではシステムLSIテスターで��2位のアドバンテストが��3位のヴェリジーを�A収して��1位のテラダインを�{い�sく、というようなトーンで書かれていたが、アドバンテストが欲しいのはヴェリジーの�eつRF�v路とLTXの�eつミクストシグナル�v路向けのテスター�\術だ。高周�S�R定�_(d│)ネットワークアナライザはワイヤレス�\術だけではなく、高�]のシリアルインターフェースのような�~線�\術にも�L(f┘ng)かせないため、定�hのあるヴェリジーの�\術を求めたのであろう。

��めのアドバンテストに�瓦靴董�2009�Qに半導��不況のどん�fが来て、2010�Qは���C(j┤)�v復の企業が�Hい中、シリコン�T晶��2位のSUMCOの業績が振るわない。��(l┬)�C(j┤)幅が拡�j(lu┛)している。どうやら�陵枦澱喘�に�T晶シリコンのビジネスがうまくいっていないようだ。単�T晶シリコン��業から����を表��している。

そもそも�陵枦澱咾涼苑T晶の工場を運営してきたという�T味がわからない。�陵枦澱咾�、�W�颪糧焼���フォトダイオードであり、�T晶性よりも価格が最優先される。��来のpnダイオードなら、�T晶性がよくリーク電流が少なく動作電流が�科��Dれることが求められるため、リーク電流は少なく順��(sh┫)向電圧は低いことが��要となる。しかし、�陵枦澱咾任聾�が当たったときだけ電流が流れるため、光による逆電流が�j(lu┛)きく、しかも電��として�Dり出すため順��(sh┫)向電圧の高いことが要求される。クリーンな半導��から見れば、でき��ないの��性を�eつpnフォトダイオードこそ、�陵枦澱咾覆里任△�。

�T晶�Uの�陵枦澱咾�、単�T晶を引き�屬欧織轡螢灰鵐ぅ鵐乾奪箸�ら、テールとフロントのみを�Wいから使い、�T晶性の優れたおなかの�霾�のインゴットは半導��LSIプロセスに使う。�陵枦澱喘�の�T晶を作るとは、まさに�Wくて�T晶性の�Kいシリコンを作るという�T味である。だから、�T晶性の�Kいシリコン�T晶を、�T晶メーカーがわざわざ作る�T味がわからない。このために投�@する�T味もわからない。�陵枦澱咾里燭瓩忙由僂し喪X(ju└)の�T晶や、薄いリボン�T晶などの���zな��法で�T晶を作っても単�T晶や薄膜との��争は�Mしい。