図1　フーガハイブリッドに搭載された1モーター、2クラッチのエンジン　���笋�ガソリンエンジン、真ん中がモーター、左�笋魯�ラッチと�v転軸

日経新聞は東��を主語にして「東��は、････共同開発する」と書かれているため、早�]ニュースリリースを見てみたが何も発表はない。新聞報�Oでは10nm��の開発を2016�Qまでに行う、としているが、新聞報�Oではリソグラフィ�\術の開発がメインのようだ。それもリソグラフィ����以外のレジスト、マスク、それらの検�h����などの開発というテーマであり、東��が�i�Cに出てくるテーマではない。

それをなぜ経�愱が後押しするのかもわからない。東��とエルピーダ以外の国内半導��メーカーは��て��メモリーメーカーであり、彼らは微細化開発を�Vめたと言っている�lだから、半導��売り�屬伽つc��3位の東��1社のために経�愱が後押しすることになる。というのは、エルピーダは量���`的の���]企業であり研�|開発型メーカーではないので共同開発には参加しないからだ。

そもそも日本の半導��メーカーが弱くなった要因の�kつとして日本の�u�Tなメモリー���]�\術を捨て、設���_��のSoCに�々圓靴燭�らだ、という業�c関係�vの�T見もある。�k��(sh┫)で、日本では��争��と言いながら、��争��を高めるために最も�_要な低コスト�\術の開発を誰もやってこなかった。国家プロジェクトのテーマにさえ、「低コスト�\術開発」は�屬蕕覆�った。ただ単に45nm、32nm、28nm、22nm、そして10nm��と微細化を�{求してきただけにすぎなかった。それもこれ以�屬糧�細化は設��投�@にお金が�Xかりすぎるため、日本の��メモリーのSoCメーカーは微細化を�Vめてしまった。

��てがちぐはぐで、今の日本の半導��メーカーにとって何が�_要かという��点での議�bは何もされなかった。そこへ来て旧��依��とした微細化の�{求というテーマを今�v�eってきている。そもそも東��もインテル、サムスンも、�盜颪離灰鵐宗璽轡▲�SEMATECHのメンバー企業である。東��はIBMとのコラボレーションチームにも参加している。10nm��のリソグラフィ開発にはレジスト開発も含め、オランダASMLの����を使ってSEMATECHとベルギーIMECで始まっている。この�屐�何を開発しようとするのか、国�cの税金を使って。税金を使うのであればもっと�~効に使ってほしい。

このような��珍漢なテーマではなく、リチウムイオン電池のハイブリッド�Zでの採��というニュースをフォローしたい。これまでのハイブリッドカーにはトヨタのプリウス、ホンダのインサイトともニッケル水素電池が搭載されてきた。今�v初めて、ハイブリッドカーにリチウムイオン電池が搭載された。このフーガハイブリッドは11月2日から発売になる。

今�Q5月に開かれた『人とクルマのテクノロジー�t』で、日��のフーガハイブリッドもトヨタのプラグインハイブリッドプリウスも�t��されており、どちらもリチウムイオン電池を搭載するハイブリッドカーだった。リチウムイオン電池は、ニッケル水素電池と比べ、��積エネルギー密度で数��%、�_量エネルギー密度で2倍��度高いと言われており、同じエネルギー容量であればリチウムイオン電池の��(sh┫)が小さくて済むため、�Z内スペースを�j(lu┛)きく採れるというメリットがある。このため、電気�O動�Zにはリチウムイオン電池の高エネルギー化、�W��性、バラつき低��(f┫)などを�`指し�Q社開発している。

電気�O動�Zの動��としてのモーターに使うためには330〜350Vに��圧する。1セル当たり3.6V��度のリチウムイオンセルを100個��度直�`接��して使うことが基本となる。直�`につないだ電池の充放電��性のバラつきを��償するバッテリ�U(ku┛)御IC（高耐圧プロセスが��要）は、�盜颪離螢縫▲謄�ノロジが先行していたが、デンソーも�{いかけている。

リチウムイオン電池の周りには、充放電監��、バラつき��償、��発進でのリンギングを防�VするICなど、パワートランジスタ以外のSi半導��の応��はたくさんある。バッテリ�\術�vやモーター�U(ku┛)御システム�\術�v、あるいは電動��圧�U(ku┛)御�\術�vなどと半導���\術�vは���Bして、リチウムイオン電池の周りに��要な半導��の要求に耳を��け、�O動�Zエンジニアの欲しがる半導��ICの�eを�D理して、最�j(lu┛)�o約数として仕様をまとめる作業をすることで、売れる半導��を開発できる。機械式の��圧��(sh┫)式は次��に電動��圧��(sh┫)式に変わりつつある。ここにも半導��の新�x場が出来つつある。こういった�x場を見つけるためには半導���\術�vと�O動�Z�\術�vとの���Bが�L(f┘ng)かせない。�\術�vが直接�Bをするのもよし、�\術�v�屬�りのマーケティングエンジニアが���Bするのもよし。いずれにしても�O動�Z�\術�vの要求を�瑤襪海箸�売れる半導��を設�����]するための���k歩となる。