パワー半導��と�k口に言っても数Aのものから1000Aクラスのものまであり、��て再�擴��Ε┘優襯�ーに使える半導��ではない。�k��(sh┫)で、消�J電��を下げるインバータ��のパワートランジスタ、電源��のトランジスタもある。トランジスタをIC化したパワーICもある。

先週発表のあったパワー半導��で最も�j(lu┛)きな電��を�Dり扱うのが、��菱電機が風��・�陵杆�発電システム向けに開発したIGBTモジュールだ。2���|あり、いずれも2素子構成だが、それぞれ2500A/1200Vと1800A/1700VのIGBTモジュールだ。ここまで�j(lu┛)きな電流を扱うとなると、発�Xも�j(lu┛)きいため水冷を�W(w┌ng)��する。

ルネサスの電��ロスを抑えたパワー半導��とは、絶縁型DC-DCコンバータの最終段に使うパワーMOSFETのこと。電圧は40V〜100Vのファミリーで定格電流は40A。サーバーや基地局��の通信機に供給する電源��のパワートランジスタである。ゲート-ドレイン間の寄�斃椴未鰒�らし、スイッチングロスを��らしたのが��長。

シリコンよりも高�aで使えるSiCやGaNのワイドギャップ半導��を�W(w┌ng)��するパワートランジスタの試作発表もあった。12月7〜9日に開かれたIEDM（International Electron Devices Meeting）においてNECグループがGaNパワートランジスタ、パナソニックがGaNのインバータICを発表した。共に富士通研�|所が開発したHEMT構�]のトランジスタを使い、高耐圧・低オン�B�^を実現している。共にSi基��の�屬�GaNを成長させるという��(sh┫)法で�j(lu┛)口径化を�`指す。

昭和電工は表�Cの平たん性が優れるSiCの�T晶ウェーハを量�僝することを表��、レーザーテックは透��なSiCウェーハの�L(f┘ng)陥を検�hする����を発売、SiCデバイス���]を後押しする。

�陵枦澱咼札襪眸焼���フォトダイオードであるため、半導��メーカーが�陵枦澱咾某塀个垢襪海箸篭辰�ことではない。ただ、理�[的な半導��デバイスが順��(sh┫)向電圧VFをできるだけ小さくしたいのに�瓦靴��陵枦澱咾�VFの�j(lu┛)きなフォトダイオードを要求する。光が当たったらすぐに電子��孔�瓦�発�擇掘△靴�も長�eちさせる（少数キャリヤのライフタイムをできるだけ長く）、かつ順��(sh┫)向電圧も高くしたい。これが�陵枦澱咾僕弋瓩気譴���性であり、電流のスイッチングを主�`的とするデジタルやアナログのLSIとは違う仕様となる。いわば出来��ないのフォトダイオードと言えないこともない。

先週は��湾のTSMCが��湾の�陵枦澱咼札襯瓠璽�ーのモーテック社に20%出�@したというニュースがあった。�盜颪任眸焼���チップメーカーのサイプレスセミコンダクターが�陵枦澱咼札襯瓠璽�ーを傘下に収めている。サムスンも�陵枦澱咾某塀个垢襦�

電����の新しい形��としてスマートグリッドへの�t開をにらみ、電��メーター��の半導��チップの開発にNECエレクトロニクスが��を入れている。単なる電��メーターではなく、双��(sh┫)向でさまざまな機�Δ眄澆韻襯好沺璽肇瓠璽拭爾砲碾t開するようだ。スマートメーター��のシステムLSIを開発する。

11日の日経�噞新聞で報じられた�櫂螢縫▲謄�ノロジーのバッテリー電圧監��ICは、�O動�Z��リチウムイオン電池のモニター��のパワーIC「LTC6801」である。リチウムイオン電池は1セルで3〜4Vしか電圧を発�擇靴覆い燭瓠��O動�Z��では直�`に100個�Zく接��し350V��度まで��圧する。その時にセル1個1個の電圧をモニターしバラつきを抑え、信頼性の劣化によるバラつきを抑えるように�U御するためのICである。IC1個で最�j(lu┛)12個直�`接��されたセルをモニターできるため、�O動�Z1��当たり8〜10個使われる���Qになる。昨�Q発表したLTC6802は�j(lu┛)量�P(gu─n)入時でも1000����度の単価であり、今�vはその半分以下の廉価版となる。