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パワー半導のBが発、1000A級の発電IGBTから数AのパワーICまで

パワー半導のニュースが`白押しの1週間だった。陵杆発電や風発電など再擴Ε┘優襯ーを発擇気擦詒電所から、それを効率よく送るだけではなく平化する送電線のスマート化など、電エネルギーに関係するx場はこれから膨れ屬る。この電を直接U御するのがパワー半導、その入であるゲートをドライブするトランジスタやICも要となる。そのICをU御するのがマイコン。電x場は半導応のgUだ。

パワー半導とk口に言っても数Aのものから1000Aクラスのものまであり、て再擴Ε┘優襯ーに使える半導ではない。k気如⊂嫡J電を下げるインバータのパワートランジスタ、電源のトランジスタもある。トランジスタをIC化したパワーICもある。

先週発表のあったパワー半導で最もjきな電をDり扱うのが、菱電機が風・陵杆発電システム向けに開発したIGBTモジュールだ。2|あり、いずれも2素子構成だが、それぞれ2500A/1200Vと1800A/1700VのIGBTモジュールだ。ここまでjきな電流を扱うとなると、発Xもjきいため水冷をWする。

ルネサスの電ロスを抑えたパワー半導とは、絶縁型DC-DCコンバータの最終段に使うパワーMOSFETのこと。電圧は40V〜100Vのファミリーで定格電流は40A。サーバーや基地局の通信機に供給する電源のパワートランジスタである。ゲート-ドレイン間の寄斃椴未鰒らし、スイッチングロスをらしたのが長。

シリコンよりも高aで使えるSiCやGaNのワイドギャップ半導をWするパワートランジスタの試作発表もあった。12月7〜9日に開かれたIEDM(International Electron Devices Meeting)においてNECグループがGaNパワートランジスタ、パナソニックがGaNのインバータICを発表した。共に富士通研|所が開発したHEMT構]のトランジスタを使い、高耐圧・低オンB^を実現している。共にSi基の屬GaNを成長させるという桔,能j口径化を`指す。

昭和電工は表Cの平たん性が優れるSiCのT晶ウェーハを量僝することを表、レーザーテックは透なSiCウェーハのL陥を検hするを発売、SiCデバイス]を後押しする。

陵枦澱咼札襪眸焼フォトダイオードであるため、半導メーカーが陵枦澱咾某塀个垢襪海箸篭辰ことではない。ただ、理[的な半導デバイスが順妓電圧VFをできるだけ小さくしたいのに瓦靴陵枦澱咾VFのjきなフォトダイオードを要求する。光が当たったらすぐに電子孔瓦発擇掘△靴も長eちさせる(少数キャリヤのライフタイムをできるだけ長く)、かつ順妓電圧も高くしたい。これが陵枦澱咾僕弋瓩気譴性であり、電流のスイッチングを主`的とするデジタルやアナログのLSIとは違う仕様となる。いわば出来ないのフォトダイオードと言えないこともない。

先週は湾のTSMCが湾の陵枦澱咼札襯瓠璽ーのモーテック社に20%出@したというニュースがあった。盜颪任眸焼チップメーカーのサイプレスセミコンダクターが陵枦澱咼札襯瓠璽ーを傘下に収めている。サムスンも陵枦澱咾某塀个垢襦

電の新しい形としてスマートグリッドへのt開をにらみ、電メーターの半導チップの開発にNECエレクトロニクスがを入れている。単なる電メーターではなく、双妓でさまざまな機Δ眄澆韻襯好沺璽肇瓠璽拭爾砲碾t開するようだ。スマートメーターのシステムLSIを開発する。

11日の日経噞新聞で報じられた櫂螢縫▲謄ノロジーのバッテリー電圧監ICは、O動Zリチウムイオン電池のモニターのパワーIC「LTC6801」である。リチウムイオン電池は1セルで3〜4Vしか電圧を発擇靴覆い燭瓠O動Zでは直`に100個Zく接し350V度まで圧する。その時にセル1個1個の電圧をモニターしバラつきを抑え、信頼性の劣化によるバラつきを抑えるようにU御するためのICである。IC1個で最j12個直`接されたセルをモニターできるため、O動Z1当たり8〜10個使われるQになる。昨Q発表したLTC6802はj量P入時でも1000度の単価であり、今vはその半分以下の廉価版となる。

(2009/12/14)
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