発売された��菱�O動�Z工業の電気�O動�Zi-MiEV

�櫂▲淵蹈哀妊丱ぅ垢��O動�Z��半導��に��める日本�x場の比率を現在の10%未満から30%を�`指そうとしているのは、電気�O動�Zへの動きが日本�x場では��発になっているからである。アナデバが��を入れるチップの�kつがバッテリーモニターIC。Liイオン電池の残量を��すこのICは、パソコン��のバッテリー残量ICとは違い、�a度だけではなく電圧と電流も監��する。

電気�O動�Zバッテリーの�@密な�U御は��に�Lかせない。パソコンとは違い、わずか3.6Vのセルを直�`・並�`にずらっと並べて使うからである。100個直�`に接��してようやく300数��Vになる。また電流容量を�屬欧襪燭瓩吠怠`にも接��しなければならない。セル1個1個のバラつきを吸収するための�U御が��要となる。ここにも半導��が使われる。�U御�Uの半導��ICと、高い電圧を��要とするパワー半導��との間を電気的に絶縁するためのICも求められる。だから電気�O動�Z��半導��の�x場は�jきい。

15日の日刊工業新聞は、ロームが傘下に入ったOKIセミコンダクタの�\術�vをロームの横�pの拠点に異動させ、電気�O動�Z��半導��チップの共同開発を始めたと報じた。ロームが�eつ、SiCパワートランジスタと、OKIが�eつ�Z載��リチウムイオン電池のバッテリーモニターICを開発する。さらにOKIが�eつ8ビット、16ビットマイコンの新����も投入するとしている。

SiCパワー半導��は、電気�O動�Zのエンジンとなるモーターを直接�~動するために使われるが、そのSiCパワートランジスタをドライブする半導��は、シリコンの高耐圧半導��が�~動する。さらに、それを�U御するのにマイコンを使うというわけで、�Z載��マイコンは現在の内�\エンジンの�Z載��に使われるばかりか、電気�O動�Zになっても別の����が�擇泙譴討�る。

SiCパワートランジスタ向けのウェーハを東レ・ダウコーニングが2010�Q1月から日本で販売すると日刊工業は伝えている。�櫂瀬Ε魁璽縫鵐阿�量��する4インチSiCウェーハを輸入するわけだが、同�Q6インチウェーハの開発にも���}するという。パワートランジスタはチップ�C積がLSI並みに数mm角と�jきいため、基��ウェーハの�j口径化はコストダウンのためには��須となる。

電気�O動�Zが実��化され、普及期を迎えるころには、�牢屬療杜�が逆に�\えるという�X��を迎える。昼間、使っていた�O動�Zのバッテリーを充電するためだ。ここにスマートグリッドが求められる。欧�Δ任蘯＼ぢ總�電��「スーパーグリッド」の��画がいよいよ����的に検討されると、16日の日本経済新聞は伝えている。

EU（欧�ο�合）の欧�Π刎^会は2020�Qまでの新たな経済成長戦�Sの検討に入ったと日経は報じた。スーパーグリッドの構築や運輸�靆腓涼γ坐撚修�柱になるとしている。実は、日本国内には、スマートグリッドは電����情の�Kい�盜颪世�らオバマ�j統�襪�提唱しているのにすぎず、日本では��要がない、という�b調を�`にすることがある。しかし、スマートグリッドの狙いは��来の電気�O動�Zをはじめ、脱炭素社会と深くかかわっていることであり、今の�X��を何とかしようという問��ではない。

スマートグリッドを否定する�b調が��配的だと、送電��の分野でも日本がガラパゴス化する懸念は消えない。スマートグリッドの本当の�eを、10月27日SPIフォーラム「半導��エグゼクティブセミナー　グローバルな協��・戦�Sで新�x場を切り��く」の中で、東�B�j学�j学院工学�U研�|科の阿�靂�也��任教�bが解き��かしてくれる。