半導��デバイス����の営業��を�啣修垢襪燭瓩砲聾楜劼虜農菽執�場や開発拠点の�Zくに営業所を構え、顧客エンジニアの半導���v路設��などの相�iに�]時間で�官�し、次の開発のヒントにする。新���p�Rにもつなげられる。��に、TIの�u�Tなアナログ����の顧客は��世�cで1万5000社を��える、と元TI会長のトム・エンジボス��は3�Q�iのインタビューで答えていた。日本にもかなりの数の顧客がいるに違いない。��国�Q地に顧客をサポートし、次の����開発に�擇�すためには顧客のそばにいる�気�その企業の��は�擇�てくる。

日本の半導��メーカーは営業��が弱いと、アイサプライの南川��は指�~していたが、顧客のエンジニアと同じ��線でディスカッションするためには半導��メーカーからもエンジニアが�官�しなくてはならない。それも経�x�lかなエンジニアが�官�する。顧客の求めるニーズを100%くみ�Dるためには、CPUやマイコン、ASICなどのデジタル�v路の��識だけではなくインターフェースや周辺�v路、パワーマネジメントもカバーするアナログの��識も��要とするからだ。

TIは、MPEG圧縮�\術の開発を終え、筑�Sの研�|所を閉鎖する。日本で研�|するネタはもはや少ないと見たのだろう。その分、営業��をつなげて��来の日本�x場を�啣修垢襪噺�るのが今�vの�k連の動きだろう。

6月22日の日本経済新聞では、富士電機と古�Q電工がGaNウェーハを使いパワーデバイスを共同で開発すると報じている。これまでホンダとロームがSiCウェーハのパワーデバイスを共同開発する��画で、日経では報じていないが、デンソーもSiCウェーハからデバイスまで�O社開発している。サンケン電気もGaNパワーデバイス開発に�Dり組んでいる。

Si以外の材料でパワーデバイスを開発する動きが��発になっているが、気にかかることはMOS構�]ができるかどうかという点で、二つの材料に分かれていることだ。気にかかるとは良い�T味でも�Kい�T味でも�R�`しているということ。

すなわち、Si以外の高�a動作が可�Δ僻焼���SiCやGaNはエネルギーバンドギャップが広いという��長を�eつことが高�a動作可�Δ世箸いΔ海箸砲弔覆�っている。逆に�Mしさもあるということだ。問��点としては、Siプロセスでさえ、最初の�┣醜���では1000℃を��す�X処理をすることから、SiCやGaNだと1300〜1400℃の�X処理は当��のように行われるだろうと�[�気任�る。炉心管の���△����zなプロセスが��要となってくる。もう�kつの原理的な問��は、バンドギャップが広いため、pn接合によるバイポーラ動作では順�妓�電圧が2.5V以�屬氾徹亀�失が�jきくなる。すなわちIGBTは作りにくいということになる。

では、SiCやGaNデバイスはどのようなトランジスタになるか。MOSFETかJFETだろう。このうちMOSFETはノーマリオフ型のデバイスを容易に作れるが、JFETはそうはいかない。nチャンネルならゲートに負の電圧をかけなければオフしないため、バイアス構�]がやや複雑になる。MOSFETの問��点は、いわゆる�c�C��位密度の少ないMOS�c�Cを作れるかどうかという点だ。SiCのMOS�c�C、GaNのMOS�c�C、MOS�U御するためには共にきれいな�c�Cを作り出すことが�Lかせない。

かつてシリコンのMOS�c�Cを徹�f的に解��し、きれいにし最適なプロセスを見つけるのに日本も含めた世�c中の研�|�vが協��して学会でディスカッションを繰り返してきた。今は昔とは違って、MOS�c�C構�]を解��するためのツールも揃ってきた。形成�桔，矼X�┣修世韻任呂覆�、ダメージの少ないプラズマCVDをはじめとしてさまざまな�桔，�入�}可�Δ澄�GaN�c�C、SiC�c�Cとも昔よりは早くプロセスを確立できるとは思うが、チャレンジングなテーマであることには変わりはない。だからこそ、1社で開発するのではなく、�Q社の研�|�vが���Lを出し合う学会のような組�Eが��要になる。

�f国では、電気�O動�Zに向けて電池や���]充電の仕様や��格を��めるための官�c協議会を発�Bさせるというニュースがあった。仕様や��格を��める場合こそ、官が�c間企業を�Jねる��要がある。国家プロジェクトとしてのあるべき�eかもしれない。