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半導の営業を\咾垢詁阿、高a半導開発とその問点を議bする

先週の動きの中でLSIチップとして最も気になったニュースは、日本TIが半導の営業拠点を5倍に\やすというニュースである。ここ1〜2日ではパワー半導の開発に向けたニュースが出てきた。パワー半導とはいっても電気O動Zx場に向けた高a動作が可ΔzなSiCあるいはGaNによるデバイス開発だ。

半導デバイスの営業を啣修垢襪燭瓩砲聾楜劼虜農菽執場や開発拠点のZくに営業所を構え、顧客エンジニアの半導v路設などの相iに]時間で官し、次の開発のヒントにする。新pRにもつなげられる。に、TIのuTなアナログの顧客は世cで1万5000社をえる、と元TI会長のトム・エンジボスは3Qiのインタビューで答えていた。日本にもかなりの数の顧客がいるに違いない。国Q地に顧客をサポートし、次の開発に擇すためには顧客のそばにいる気その企業のは擇てくる。

日本の半導メーカーは営業が弱いと、アイサプライの南川は指~していたが、顧客のエンジニアと同じ線でディスカッションするためには半導メーカーからもエンジニアが官しなくてはならない。それも経xlかなエンジニアが官する。顧客の求めるニーズを100%くみDるためには、CPUやマイコン、ASICなどのデジタルv路の識だけではなくインターフェースや周辺v路、パワーマネジメントもカバーするアナログの識も要とするからだ。

TIは、MPEG圧縮\術の開発を終え、筑Sの研|所を閉鎖する。日本で研|するネタはもはや少ないと見たのだろう。その分、営業をつなげて来の日本x場を啣修垢襪噺るのが今vのk連の動きだろう。

6月22日の日本経済新聞では、富士電機と古Q電工がGaNウェーハを使いパワーデバイスを共同で開発すると報じている。これまでホンダとロームがSiCウェーハのパワーデバイスを共同開発する画で、日経では報じていないが、デンソーもSiCウェーハからデバイスまでO社開発している。サンケン電気もGaNパワーデバイス開発にDり組んでいる。

Si以外の材料でパワーデバイスを開発する動きが発になっているが、気にかかることはMOS構]ができるかどうかという点で、二つの材料に分かれていることだ。気にかかるとは良いT味でもKいT味でもR`しているということ。

すなわち、Si以外の高a動作が可Δ僻焼SiCやGaNはエネルギーバンドギャップが広いという長をeつことが高a動作可Δ世箸いΔ海箸砲弔覆っている。逆にMしさもあるということだ。問点としては、Siプロセスでさえ、最初の┣醜では1000℃をすX処理をすることから、SiCやGaNだと1300〜1400℃のX処理は当のように行われるだろうと[気任る。炉心管の△zなプロセスが要となってくる。もうkつの原理的な問は、バンドギャップが広いため、pn接合によるバイポーラ動作では順妓電圧が2.5V以屬氾徹亀失がjきくなる。すなわちIGBTは作りにくいということになる。

では、SiCやGaNデバイスはどのようなトランジスタになるか。MOSFETかJFETだろう。このうちMOSFETはノーマリオフ型のデバイスを容易に作れるが、JFETはそうはいかない。nチャンネルならゲートに負の電圧をかけなければオフしないため、バイアス構]がやや複雑になる。MOSFETの問点は、いわゆるcC位密度の少ないMOScCを作れるかどうかという点だ。SiCのMOScC、GaNのMOScC、MOSU御するためには共にきれいなcCを作り出すことがLかせない。

かつてシリコンのMOScCを徹f的に解し、きれいにし最適なプロセスを見つけるのに日本も含めた世c中の研|vが協して学会でディスカッションを繰り返してきた。今は昔とは違って、MOScC構]を解するためのツールも揃ってきた。形成桔,矼X┣修世韻任呂覆、ダメージの少ないプラズマCVDをはじめとしてさまざまな桔,入}可Δ澄GaNcC、SiCcCとも昔よりは早くプロセスを確立できるとは思うが、チャレンジングなテーマであることには変わりはない。だからこそ、1社で開発するのではなく、Q社の研|vがLを出し合う学会のような組Eが要になる。

f国では、電気O動Zに向けて電池や]充電の仕様や格をめるための官c協議会を発Bさせるというニュースがあった。仕様や格をめる場合こそ、官がc間企業をJねる要がある。国家プロジェクトとしてのあるべきeかもしれない。

ごT見・ご感[
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