シリコンウェーハC積の拡jに勢い

2014Q2四半期におけるシリコンウェーハの出荷C積は、i期から9.5%\加し、25億8700平汽ぅ鵐舛砲覆辰燭函SEMIは発表した。これはiQ同期比でも8.2%\である。3ヵ月iの記で、S]ちながら緩やかに成長していることを分析した(参考@料1)が、その向を裏けるT果になった。 [→きを読む]
» セミコンポータルによる分析 » x場分析
2014Q2四半期におけるシリコンウェーハの出荷C積は、i期から9.5%\加し、25億8700平汽ぅ鵐舛砲覆辰燭函SEMIは発表した。これはiQ同期比でも8.2%\である。3ヵ月iの記で、S]ちながら緩やかに成長していることを分析した(参考@料1)が、その向を裏けるT果になった。 [→きを読む]
2014Q嵌彰における世cの半導企業トップランキングを、x場調h会社のIC Insightsが発表した。これによると、岼3社は来と変わらないが、合した3社が合iの単純合Yよりもjきく売り屬欧Pばしている。 [→きを読む]
DRAMのビット成長がらかに鈍ったことを、x場調h会社IC Insightsがレポートした。1995〜1999Qには83%のQ平均成長率(CAGR)だったが、2010Qから2014Qに至る最Zの5Q間には36%に少する。ただし、2014Qは見込みである。 [→きを読む]
2014Q6月の日本半導]のpRYはi月比8.3%の1063億8600万、販売Yは28.7%の1009億4500万、そのB/Bレシオは1.05となった(図1)。3月から5月まで販売Yは1400億i後で推,靴討い燭燭B/Bレシオは0.82あたりをしていた。 [→きを読む]
SEMIは盜饂間7月8日から始まるSEMICON West 2014に先~けて記v会見を開き、半導]のx場予Rを発表した(表1)。今Qの半導]の販売YはiQ比20.8%\の384億ドルになり、2015Qはさらに成長し10.8%\の426億ドルをえると見ている。 [→きを読む]
2014Qの1四半期におけるNANDフラッシュの売り屬欧任蓮1位のSamsungが21億7500万ドル、2位の東は15億4770万ドル、3位のSanDiskは13億6700万ドルであった。これは、シンガポールを拠点とするメモリのx場調h会社DRAMeXchangeが発表したもの。 [→きを読む]
2014Q5月の日本半導]のpRY・販売Y・B/Bレシオは、それぞれ1160億4500万、1416億700億、0.82というT果だった。これらの数Cは3ヵ月の‘以振僉4月からの消J\税に向けて3月に現れたピークが~け込み要だとすると、5月までの3ヵ月間に渡って影xが出ることになる。 [→きを読む]
2012Qは8%、2013Qも6%とマイナス成長が2Q連いてきたパワートランジスタの販売Yが2014Qはk転して、8%成長とプラスに転じるもようだ。これはIC Insightsが発表したパワートランジスタの予Rである。 [→きを読む]
WSTS(世c半導x場統)の最新予Rが発表された。これによると、2014Qは6.5%成長と見込み、2015Qは3.3%\、2016Qは4.3%\と緩やかな成長をMするだろうと見ている。2014Qにおける別の成長率ではアナログが9.1%\、次がメモリの7.5%\、そしてロジックの7.1%\とき、MOSマイクロは0.9%の微\と予Rした。 [→きを読む]
2014Q1四半期におけるシリコンウェーハの出荷C積は、i期比で7%\の23億6400平汽ぅ鵐舛砲覆辰燭函SEMIは発表した。これはiQ同期比でも11%\である。ここ1Q度、B踏みXにあったシリコンのC積は、ようやく峺きに転じた。 [→きを読む]
<<iのページ 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 次のページ »