図1　SEMIが発表した今後の世�c半導�������x場　出�Z：SEMI

図1の数�C(j┤)には、半導��チップを作るためのウェーハプロセスと後工��（テストとパッケージング）の���]����を含み、シリコンインゴットや�T晶ウェーハを?y┐n)��]する����は含まない。図1の地域をよく見ると、2019�Qは�f国が�j(lu┛)きく落とし、��湾が53%�Pびると見込んでいる。つまり、�f国が�u(p┴ng)�Tなメモリ投�@は�k段落で、��湾が��(d┛ng)いロジックファウンドリへの投�@が��発になったといえる。21�Qはメモリ投�@が再び立ち�屬�り、2018�Qレベルを�sくとSEMIは見ている。

2019�Qは��湾に加え、��(sh━)国も34%�Pびる見込みであるが、これはIntelの投�@が�j(lu┛)きいとTseng��(hu━)は語る。7nmプロセスからEUVリソグラフィが使われているが、オランダのASMLが出荷した����はこれまで����で35��で、ほとんどがTSMCとSamsung向けである。Tsengは「Intelの微細化へのロードマップがアグレッシブではないため、1〜2�Q��れて2021�Q以�TにEUVが本格導入されるのではないか」、とみている。

中国�x場への投�@は20�Qに�\えると当初は予�[されていたが、メモリ投�@が��れたために19�Q、20�Qともそれほど�j(lu┛)きくはない。実は、中国投�@の中身、中国に建設した外�@の工場への投�@が�j(lu┛)きい。中国はDRAMとNANDフラッシュの工場建設と投�@を加�]してきたが、19�Q、20�Qともメモリ��(ji┐n)要が立ち�屬�らない�X(ju└)況が��くため、これまでのところ中国への投�@を見合わせている。SamsungのNANDフラッシュ���W工場や、SK Hynixの無錫DRAM工場への投�@が��(f┫)少したため、19�Qは投�@を��(f┫)らした。

しかし、中国現地のYMTCが��漢にNANDフラッシュの工場への投�@を進めている。このため、今�Qは少し投�@が��(f┫)るものの20�Qは少しずつ�\えていくと、予�[している。さらに21�Qには中国でのメモリ工場が立ち�屬�るため、設��投�@はもっと��発になると見ている。