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2018Qの半導設投@をIC Insightsが?j┼n)?sh┫)T、1000億ドル突破へ

(sh━)x場調h会社のIC Insightsは、今Q3月時点では半導設投@YのPびを8%\の970億ドルと見込んでいたが、これを14%\の1026億ドルに?j┼n)?sh┫)Tした。半導設投@Yが1000億ドルをえるのはこれが初めて。

グラフ Worldwide Semiconductor Capital spending Trends (2000-2018F)

図1 2018Qの設投@Yを?j┼n)?sh┫)T 出Z:IC Insights


この?j┼n)?sh┫)Tは、IC Insightsが2018Q1四半期の半導メーカーのX況、x場のX況、彼らとのディスカッションをベースにしたもの。Samsungは2018Qの半導設投@の見通しをらかにしていないものの、2017Qの投@が242億ドルとj(lu┛)きかったため、今Qは{J少なめの200億ドルに落ちくとIC Insightsは見ている。2018Q1四半期ではSamsungは67.2億ドルを投@したという。この数C(j┤)は、そのiの3四半期の平均投@Yよりもややj(lu┛)きい。

加えて、今Qのメモリ価格の内、NANDフラッシュは攵牸里泙蠅屬ってきたため、その単価は順調に下がってきているが、DRAM価格がまだ下がらず高Vまりという異常がいている。このため、設投@が嵜兇譴靴?j┼n)?sh┫)Tすることになる可性はある。

同じf国勢でも、SK Hynixは2017Qに81億ドルしか投@しなかったために、今Qは42%\の115億ドルを投@するとみられており、これか奏功するとDRAMの単価も下がり、はさらに拡張していく。というのは、DRAMはディープラーニングでニューラルネットのニューロン数、レイヤー数の\加により、絶えず書き換えが要になるためDRAM容量の\加が期待される。AIチップとその応と共に並`度を屬欧襪里亦い、j(lu┛)容量のDRAMが求められるからだ。

Hynixは今Q、f国内に3D-NAND工場「ファブM15」と、中国の無錫に設立したDRAM工場にを入れるとみられている。ファブM15は今QのQよりもi倒しで立ち屬り、無錫工場は当初の19Q初めの予定をi倒しして18Qまでにはn働することを`Yにいている。

(2018/05/25)
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