図1　パワートランジスタの推�　“稜糀Yの単位は10億ドル　出�Z：IC Insights

パワートランジスタの�v復を牽引する����は、低電圧（耐圧最�j(lu┛)40V）パワーMOSFETや高電圧(400V以��)のパワーMOSFET、IGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）など。これらが�j(lu┛)電流を流す、�O動�Zや照���_(d│)�此▲┘▲灰鵝▲癲璽錘~動、FA（ファクトリーオートメーション）、工業��ギア、溶接機などのパワー����で使われる。

IC Insightsが発行する「新O-S-Dレポート」によると、2014�Qに低電圧パワーMOSFETの売�幢Yは28億ドル、高電圧のパワーMOSFETが18億ドル、IGBTパワーモジュールが27億ドルになるとして、合��9%成長すると見ている。これまで50�Q以�屐⊆太咾里△襯丱ぅ檗璽薀僖錙璽肇薀鵐献好燭�2013�Qに10%��(f┫)のあと、6%�\の8億8400万ドルになると見る。

6月18日の日本経済新聞は、�O動�Z�j(lu┛)�}7社の研�|開発投�@は2.4兆��にも到達すると報じた。このうち最高�Yの9,600億��を投じるトヨタ�O動�Zは、パワー半導��の�攵妌��確立や�\料電池�Zなどに投�@する。その他の企業も電気�O動�Zやガソリン�Zの�\�J向�屬覆疋僖錙屡焼���を使う�`的に投�@する。また、同日の日経で報じられたが、日本工作機械工業会が17日に発表した5月の�p�R�Yの確報値は1205億��で�i�Q同月の24%�\と�Pびている。パワー半導��の�x場が�峺�いていることは��実であろう。

IC Insightsは、2015�Q以�Tについても予�Rしている。2013�Q〜2018�QのICおよびパワートランジスタのCAGR（�Q平均成長率）は共に6%と見ている。これまでの1984�Qから2013�QまでのICの成長率9%に�瓦靴謄僖錙璽肇薀鵐献好燭寮�長率は8%とわずかに低かった。今後、パワートランジスタの成長率がICのそれと同じになる理�y(t┓ng)として、バッテリ�~動の携帯機�_(d│)、さまざまな電子機�_(d│)・電気設�△砲�ける省エネ、ソーラーや風��など再�擴��Ε┘優襯�ーの拡充、などを挙げている。