図1　半導��シリコンウェーハの出荷総�C積　�e軸は��万平��(sh┫)インチ　出�Z：SEMI

発表されたシリコンウェーハには�陵枦澱咾牢泙泙譴討い覆�。ウェーハメーカーから出荷された��(d┣)�Cウェーハとエピタキシャルウェーハを合��した数�C(j┤)である。バージンテストウェーハを含むが、テストウェーハ後に加工した再�W(w┌ng)��ウェーハは含まない。純粋の半導��ウェーハが出荷された総�C積を表している。

ウェーハ�C積としては2010�Qがピークになっているが、今�Qは�C積ベースで4%成長すると仮定するなら、2010�Qのレベルを�sき��(c┬)去最�j(lu┛)の�C積になる。��るい材料としては、2012�Qは�{�Jのマイナス成長だった中で、300mmウェーハの出荷�C積は��(c┬)去最高レベルに達したとSEMI SMGのチェアマンのBrad Hong��(hu━)は語る。

ウェーハの出荷金�Yは2012�Qに�i�Q比12%��(f┫)の87億ドルだった。2011�Qのウェーハ�C積は�i�Qよりも��(f┫)少したが、その販売�Yは2%�\の99億ドルと�Pびた。