図1　2011�Q秋��世�c半導���x場予�R　出�Z：WSTS

地域別では(図1)、やはり日本の�j(lu┛)震�u、�j(lu┛)洪水、タイの洪水の3�_�u害により日本だけがマイナス成長となった。2010�Qはリーマンショックからの�v復により+21.6%を��(j┤)したが、2011�Qは-7.4%の431億ドルになった。この数�C(j┤)には��高要因が含まれているため、��ベースに直すとマイナスはさらに�j(lu┛)きくなり、-15.8%の3兆4400億��となった。半導��の日本�x場は2007�Qの5兆7497億��をピークにして長期��(f┫)少気味。ただし、これは半導��メーカーの不調というより、それを使う電子機�_(d│)の国内�攵�が��(f┫)少していることの裏��けである。というのは、半導���x場とは半導��メーカーから��3�vへ渡った時点からを定�Iしているため。いわば半導��ユーザーの使う金�Yが�x場となる。

����別では、ディスクリートが+10.8%の219億ドル、このうち��(c┬)半数を��めるパワー半導��が20%��度�Pびたとしている。��に、LEDドライバやIGBTなどの�Pびが�j(lu┛)きかったとする。イメージセンサを含むオプトエレクトロニクス����は+5.2%の228億ドル、センサは+17.2%の81億ドルだが、ICは-0.2%の2494億ドルに�里泙辰拭�センサにはゲームやスマートフォン��の加�]度センサやジャイロセンサが含まれる。

図2　ICの分野別�Pび　出�Z：WSTS

IC����の中では、MOSメモリーだけが-12.9%と沈んでおり、他のアナログ、MOSマイクロ、ロジックはすべてプラス成長(図2)。マイクロプロセッサやマイクロコントローラ、DSPなどを含むMOSマイクロが+8.0%の655億ドル、ロジックは+3.7%の802億ドル、アナログは+1.7%の430億ドルとなった。沈んだメモリーでも、フラッシュはプラス成長で、DRAMが-20数%と�j(lu┛)きくへこみSRAMもマイナスだという。ただし、数�C(j┤)は�o表できないとしている。

DRAMはパソコンの出荷の�Pびが弱かったことが原因。��4四半期の予�Rも弱含みだとしている。この原因は��(l┐i)確にはわからないとしながらも、タイの洪水の影�xでHDD供給不�Bによるパソコンの低迷が要因だろうと見ている。