表1　2010�Q��4四半期のNANDフラッシュ�x場　出�Z：DRAMeXchange

2010�Qの��3四半期は、サムスンが20億2900万ドルであり、東��は18億2100万ドルとまだ差があった。この差は徐々に詰まってきている(図2)。

図2　サムスンと東��の差が縮む

NANDフラッシュ�x場そのものは��3四半期から����で-4.2%と少し後��したが、ビットベースでの出荷量は16%�\えている。��にメディアタブレットとスマートフォンが後押しした格好となっている。

ただ、単価の下落は昨�Q11月中ごろからもっと顕著に表れるはずだった。ところが、東��の四日�x工場が12月10日に瞬時停電の影�xをまともに�pけ、12月からこの1月にかけて東��のNANDフラッシュ�攵盋は落ちるはず、という読みが��要家�笋砲△辰拭�今のうちに在�Uを�Qめ込んでおこう、という�Q段だったとDRAMエクスチェンジは見ている。この�T果、NAND価格は思っていたほどには下がらなかった、という�lらしい。

��4四半期はASP（平均単価）が17%も下落したのにもかかわらず、出荷数量を�\やすことができたため、�T果的に落ち込みは-4.2%にとどまった。この見��(sh┫)が��実だとすると、2月ごろにはユーザー在�Uの影�xを�pけ、価格の下落はもっと��しくなる恐れはある。しかも、東��とサムスンとの差は再び開く恐れもある。予��を��さない。

2010�Q����ではNANDフラッシュ�x場は���i�Q比58.7%�\の191億7000万ドルを記�{している。