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2010Qの半導]・材料x場はj(lu┛)きくリバウンド、11Qは4%のPび

2010Qの半導]x場はj(lu┛)きくリバウンドしてきている。SEMIは、1Qiは]x場を53%\と見ていたが、今vは130%\とj(lu┛)幅に?j┼n)?sh┫)Tした。同様に半導関連材料も1Qiの15%\から24%\へとTした。j(lu┛)きくPばした地域は、f国の231%\、中国の248%\、湾の130%\と2倍以屬Pびをしたこところである(図1)。

図1 SEMIが発表した2012Qまでの半導]の予R

図1 SEMIが発表した2012Qまでの半導]の予R


SEMIが発表した2012Qまでの予Rでは、2010Qはj(lu┛)幅なリバウンドを見込んでいるものの、2011Q、2012Qは共に4%のPびにとどまる。に2011QのPびは湾の-10%というマイナス成長に引きずられ、のPび率を下げている。

別では、ウェーハ処理プロセス、テスト、組立およびパッケージングとして見た場合、2011Qにはプロセスは7%のプラス成長だが、テスターは-5%、パッケージングは-17%とマイナス成長になると見ている。これに瓦靴董SEMIの業cリサーチ統グループのDan Tracy(hu━)は、アセンブリコントラクタの集まっている湾の影xをpけているためだろうと見ており、DRAMの価格下落見通しによる攵盋の低下向も反映している。

材料では、2010Qのリバウンドの後、2011Qに4.3%\、2012Qは3.1%\と緩やかな成長を~げると見ている(図2)。


図2 半導]材料のx場予R 出Z:SEMI

図2 半導]材料のx場予R 出Z:SEMI


これはプロセス処理工に使う材料が2011Qに5.5%\、2012Qには4.3%\とPびるものの、後工の材料のPびが緩くなるからだ。シリコンウェーハは200mmから300mmへと世代が交代するlではなく、200mmも共Tしてしかも300mmとk緒に成長していくという長がある(図3)。


図3 200mmウェーハは300mmと共T成長していく 出Z:SEMI

図3 200mmウェーハは300mmと共T成長していく 出Z:SEMI


200mmと300mmが共Tするのは、200mmウェーハがアナログICやディスクリート、MEMSなどの半導でPびていくからだ、とTracy(hu━)は見る。

後工のPびが鈍るのは、主にボンディングワイヤーのx場だ。にj(lu┛)}半導デバイスメーカーはAuワイヤーからCuワイヤーへと切りえが進み、売り屬欧下がる、とTracy(hu━)は言う。同(hu━)によると2007QにCuワイヤーx場は2%だったが201Qに11%、2011Qには20%へとx場シェアはj(lu┛)きくPびて行く。Auワイヤーx場が縮むため、ワイヤーx場としては縮んでいくという。


図4 パッケージング材料x場の予R 出Z:SEMI

図4 パッケージング材料x場の予R 出Z:SEMI


国別には、材料最j(lu┛)の消J国が日本から湾へとわっていく、とTracy(hu━)は見ており、これはBGAパッケージを湾が\やしていくことと関係していると見る。

(2010/12/02)
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