図1　2010�Q��2四半期における半導���n働率は95%��え

2009�Qの��2四半期からの�攵��ξ�は0.2%��の212万5900��/週とほとんど横ばいのまま、実投入数だけが23.9%�\の203万2100��/週と�Pびてきているため、�n働率は�`いっぱいでラインはパンパンという�X��が��いている。��に80nm未満のデザインルールのMOSLSIの実投入数の�Pびが著しい。2009�Q��2四半期に�瓦垢�80nm未満のLSIの�攵��ξ�は105万9700��/週と17.6%�\�咾靴燭里砲發�かわらず、実投入数は同28.7%の104万5800��/週まで達した。�攵�が�{い��かない。

図2　μm別のMOS�攵��ξ�

図3　μm別のMOS実投入数

しかも、80nm未満をさらに詳細にみると、先端のLSIは90nmから45nmへと65nmプロセスをスキップした実��をよく反映している。60nm以��80nm未満のLSIの�攵��ξ�は2009�Qの��4四半期の35万100万��/週をピークに2010�Q��1四半期に31万5300��/週、��2四半期には26万8500��/週、と下がってきているのである。これに�瓦靴銅妥蠧�数も2009�Q��4四半期の32万��/週をピークに2010�Q��1四半期30万6200��/週、��2四半期26万5300��/週、とやはり歩調を合わせて下がっている。

�k��(sh┫)、60nm未満のMOSLSIは�攵��ξ�、実投入数ともプラス成長で�Pばしてきている。同じ期間（2009�Q��4四半期に�瓦垢�2010�Q��2四半期）で比べてみると、60nm未満のLSIは�攵��ξ�を18.5%の79万1200��/週と�Pばし、実投入数は21.5%�\の78万500��/週と�Pばした。

図4　ウェーハサイズ別のMOS�攵��ξ�

図5　ウェーハサイズ別のMOS実投入数

ウェーハサイズ別では、MOSLSIの�攵��ξ�は8インチ未満、すなわち6インチ以下のウェーハの�攵��ξ�を��らし、8インチ以�屬��ξ�を�屬押△曚棆�ばいの�攵��ξ�が��いている。�k��(sh┫)、実投入数も8インチ以�屬��攵��ξ�、実投入数とも�Pびている。1�Q�iの2009�Q��2四半期と比較すると、6インチ以下のウェーハ�攵��ξ�は63.2%��の9万2900��/週へと��らし、実投入数も41.7%��の6万6300��/週と��らした。これに�瓦靴�8インチ以�屬離ΕА璽呂脇瓜�期に9.9%�\の�攵��ξ�をアップ、実投入数はこれを���vる27.2%�\の174万5800��/週となった。ただし、12インチ(300mm)ウェーハは8インチウェーハに換�Qした数�Cとして���屬靴拭�

では、12インチウェーハを8インチ換�Qではなく実数で見るとどうか。8インチから12インチへの流れは見えるか。

図6　8インチと12インチは並行してどちらも�\える

二つのウェーハの実��数で比較すると、不況が来る�iは8インチと12インチは世代交代し12インチが主流になるかのように見えた。しかし、2009�Q��1四半期を契機として8インチラインの見直しが行われ、8インチをもうしばらく共�Tして使う��向が見られる。

これまでは、シリコンウェーハは常に�j口径化の�Oを行き、2、3、4、5、6、8、12インチへと�j口径化し、常に世代交代をしてきた。8インチウェーハが主流になると6インチウェーハはすたれたのに�瓦靴董�12インチでは共�Tしていくように見える。こういった��向はこれまでに見られなかった。この先も共�Tしていくのか、あるいは12インチが�Dって代わり8インチはすたれるのか、これまでのトレンドとは違うだけに�`が�`せない。