�攵��n働率が2009�Q2Qで21.1ポイント�屬�ったSICASウェーハ統��
SICAS（世�c半導���攵�キャパシティ統��）が発表した2009�Q��2四半期（4〜6月）のデータによると、半導��ウェーハ�攵��n働率は�峺�していることがはっきりと読み�Dれる。この統��は8インチ(200mm)ウェーハに換�Qした数値を使う。2008�Qの��3四半期(3Q)までは�n働率はほぼ90%を推�，靴討い燭�、2008�Q��4四半期(4Q)から�j(lu┛)きく違ってきた。
ウェーハ�攵��n働率は2009�Q��1四半期(1Q)の55.6%から��2四半期(2Q)は76.7%に�屬�った。これは、世�c不況の影�xが�j(lu┛)きく現れた2008�Q4Qの68.4%を��?j┼n)vっている。しかも�攵盋の絶�潅佑�4Qに�{いついた。2008�Q4Qは163.1万��/週だったが、2009�Q2Qは161.4万��/週と同じレベルに達した。
�攵�が�v復している要因をチェックするため、MOSICのμm別の実投入数を調べたのが次の二つの図である。MOSICを先端プロセス（0.12μm未満）と�J�Tプロセス（0.12μm以�屐砲箸吠�けてみる。先端プロセスでは、�攵��ξ�を2009�Q１Qは108.1万��/週から108.2万��/週とほとんど変えていないが、�J�Tプロセスの�攵��ξ�は1Qの86.1万��/週から78.1万��/週に落としている。
ところが実投入数でみると、�J�Tプロセスを絞り込みすぎた様子がはっきりわかる。先端プロセスでは1Qの75.3万��/週から2Qに94.8万��/週へと126%�\加したが、�J�Tプロセスでは１Qの35.7万��/週から2Qには51.2万��/週と143%も�Pびた。つまり�J�Tプロセスのウェーハを1Qでは絞り込みすぎたため2Qに43%�Pばしたことになる。
ただし、2QにおいてMOSICが��て�v復したというわけではない。�J�Tプロセスのウェーハを0.3μmを境にして�v復の様子を別の�菘世�ら見てみると、0.3μm未満は4Qよりも2Qの��(sh┫)が�\えているのに�瓦靴�、0.3μm以�屬離ΕА璽呂呂泙�4Qレベルまで�v復していない。03.μm未満ウェーハは4Qが25.7万��/週で、2Qには30.7万��/週に�\えた。0.3μm以�屬離ΕА璽呂�4Qの24.8万��/週が2Qになっても20.5万��/週にとどまっている。
ウェーハサイズ別に見てみると、200mm未満のウェーハの�攵��ξ�は2Qでもさほど変わらないが、8インチウェーハを絞った形が見える。実投入数も8インチウェーハの分が�Pびている。
