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東、NANDフラッシュ向け設投@を積極的にM

東が積極的な設投@をMしていくことを、D締役 代表執行役社長のナ銚が1月8日に開かれた新QのJEITA(電子情報\術噞協会)賀詞交換会で改めて喞瓦靴拭フラッシュメモリーの価格が毎Q30%度下がっていくことをi提に微細化によりNANDフラッシュメモリーのチップC積を小さくし、低価格化に官しようというe勢を]ち出したものである。

東 D締役 代表執行役社長 ナ銚


ナ勅卍垢、1990Q代の失われた10Qへの反省から、スピード_でIと集中を徹fしていくことを心Xけている。NANDフラッシュは、携帯電Bやデジカメ、MP-3プレーヤーなどj量のストレージデバイスとして使われているが、新たな要をEりこそうとSSD(ソリッドステートドライブ)への採にもを入れている。昨Q12月に発表したH値NAND(2ビット/セルよりはHいが、おそらく3ビット/セル)Wの32Gバイト〜128GバイトのSSDドライブをCES(コンシューマエレクトロニクスショー)にtしている。

ナ勅卍垢砲茲襪、NANDフラッシュは要を創]するValue Innovation動のk環として位づけられる。同社は世cx場においてノートパソコンでM負できる数少ない日本企業でもある。今vのSSDドライブの開発には半導グループだけではなく、パソコンとハードディスクドライブのグループも加わって開発したという。

東はNANDだけではなく、ディスクリート半導でも世cのトップグループにおり、Iと集中として、この分野にもを入れるとしている。さらに、ソニーからA収する予定のマルチコアプロセッサCell攵妌場に関しては、Cellに使われているSOI(シリコンオンインシュレータ)基プロセスにはこだわらない。東のuTなプロセスに変えていくとしている。2007Q10月のCEATECで発表した、Cellのプロセッサコアを4個搭載した、SpursEngineは積極的に外販していく。これはグラフィックエンジンとしてし、システムをU御するためのコントローラとしては使わない。

2007Q12月にIBM社と32nmプロセスで提携したが、この提携はあくまでもバルクCMOSに関する提携であり、SOIプロセスではない。東はこれまでもSOIプロセス攵の経xがなく、Cellプロセッサの工場をA収した後に、いよいよSOIプロセスを開発するかどうかR`されていたが、どうやら来のバルクCMOSでCell Broadband EngineやSpursEngineを開発することになろう。このためにCellをそのまま開発するのなら、バルクCMOSを使ったCellの設をやり直さなければならないが、8コアから成るCellそのものではなく、4コアのSpursEngineの開発であれば、これまでの咾澆擇せることになる。

ごT見・ご感[
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