図1　2024�Q1月30日に��まったGaNパワーデバイスの信頼性試�x

JEDEC�Y��は1社が独�Oに��めた�Y��（デファクトスタンダード）ではなく、みんなで��める�Y����格である。�Y����格というと、ややもすると差別化できないといった�mがあるが、あくまでも入出��だけを�Y����格として��めることが�Hい。����内�陲離謄�ノロジーは、もちろん秘密であり、差別化要因の�kつである。それだけではない。�Y��的な����を組み合わせて、新しいシステムを作る場合でも��(m┬ng)的財��となる差別化要素になる。ブロック玩�困痢屮譽粥廚�まさにこれに当たる。���霾�のサイズと高さを揃えて�Y��化しておけば、その組み合わせは無限にあり、独�O性のあるモノを作ることができる。

半導��では主に入出���霾�の�Y��化が�Hく、その内�陲���(m┬ng)的財��として守られている。入出���霾�を�Y��化しておけば、つなげられるデバイスの組み合わせは無限に�Hくなり、�x場は広がっていく。また設��開発する�笋蓮�入出��に神経を使う��要がなくなりコスト低��(f┫)になる。

今�vのGaN逆バイアス試�x��(sh┫)法ではGaN�T晶や��随する絶縁膜や金�鑠譴覆匹猟拘�的な劣化を誰しもが可��化できるというメリットがある。このため劣化しない����作りに�@を出すことができるようになる。�Y��化していなければ、試�xして合格したとしても顧客からデバイスに�瓦垢訖�頼が�u(p┴ng)られない。みんなで�Bし合って��めた��格だからこそ、メーカーもユーザーも�W心してデバイスを�h価し、共通認識を�eつことができる。

今�vJEDECが発表した�Y����格は、JEP198と�}ばれる、GaN電��変換デバイスの逆バイアス信頼性�h価�}順のガイドラインを記した文書として発行された。JEP198は、TDB（Time Dependent Breakdown：バイアスを�Xけた�X(ju└)��で経時変化による破�sの�~無を確認する試�x）による信頼性劣化を�h価するためのガイドラインである。プレーナ型エンハンスメントモードやデプリーションモードのGaNトランジスタや、GaNIC、カスコード接��されたGaNパワートランジスタなどを�h価する。

この文書は、GaNパワートランジスタのオフ�X(ju└)��でTDB信頼性を�h価するための印加条�Pやテストパラメータなどについて書かれている。印加ストレス条�Pとテストパラメータは、高�a(b┳)逆バイアス試�xと����別専��試�xの両��(sh┫)に信頼性を�h価するように記述されており、加�]試�x条�Pの実��的な試�x時間で�h価できる。

この�Y����格は、JEDECのJC-70.1GaNパワーサブ委�^会で作成したもので、�Y��化で合�Tするのに数�Qかかったとしている。この�Y��化文書はウェブサイト（参考�@料2）から誰でもダウンロードできる。

参考�@料
1. "JEDEC Wide Bandgap Power Semiconductor Committee Publishes a Milestone Document for Reverse Bias Reliability Evaluation Procedures for Gallium Nitride Power Conversion Devices", JEDEC (2024/01/30)
2. "Guideline for Reverse Bias Reliability Evaluation Procedures for Gallium Nitride Power Conversion Devices", JEDEC (November 2023)