SiC、賈很羹け800Vインバ〖タ、OBCの悸攙烯を績(jī)す箕洛へ、GaNも賈很材墻に
SiCˇGaNのWBG∈Wide Band Gap∷染瞥攣がもはや帽攣ではなくシステムボ〖ドを頂い圭う箕洛に掐った。澎疊ビッグサイトで倡かれたオ〖トモ〖ティブワ〖ルド2024では、パワ〖染瞥攣トップのInfineon Technologiesと、SiCトップのSTMicroelectronicsがガチンコ盡砷を斧せた。InfineonがGaN炳脫瀾墑ポ〖トフォリオを績(jī)し、STは8インチウェ〖ハSiCデバイスとシステムを斧せた。
哭1 STMicroelectronicsが度腸介めての8インチSiCウェ〖ハを給倡 焊が欄のウェ〖ハ、寶が侯瀾されたMOSFET
InfineonはGaN HEMT∈High Electron Mobility Transistor∷を蝗った1kWのモ〖タ〖インバ〖タから10kW/800Vや22kW/800VのOBC∈オンボ〖ドチャ〖ジャ〖∷まで路えた。辦數(shù)は、STは度腸介の8インチSiCウェ〖ハとそれで侯ったMOSFETを績(jī)した∈哭1∷。それだけではなく、肌坤洛EV羹けの800Vのトラクションインバ〖タのリファレンスボ〖ドを悸狠に績(jī)し、さらに22kWのOBCとDC-DCコンバ〖タの刪擦ボ〖ドも績(jī)した。しかもInfotainment廢で蝗っていたデュアルコアのMCU瀾墑である≈Stella∽を擴(kuò)告廢にも、鵑墓菇喇などに炳脫できることを績(jī)した。
SiCやGaNはバイポ〖ラ潑拉のIGBTとは般い、スイッチオフ箕の警眶キャリア眠姥箕粗がなく光廬であることから、スイッチング件僑眶を懼げ件收のL∈インダクタンス∷やC∈キャパシタンス∷を井さくできる。瓤燙、光廬瓢侯させると件收や大欄のLやCなどの逼讀でリンギングやオ〖バ〖シュ〖ト、アンダ〖シュ〖トが欄じノイズを券欄させやすかった。このため廬刨を警し稻婪にして僑妨をなまらせる、といった供勺が澀妥で攙烯の夢(mèng)急がないと肋紛が豈しかった。
ところが海攙、Infineon、STとも悸狠のリファレンス攙烯肋紛ボ〖ドを鷗績(jī)し、WBG染瞥攣の悸攙烯肋紛に績(jī)し、リファレンスボ〖ドを鷗績(jī)した。しかも肌坤洛800VのEV∈排丹極瓢賈∷に灤炳するため、卵暗1200VのSiCを蝗って鼎にOBCやトラクションインバ〖タなどの攙烯ボ〖ドを侯瀾した。
InfineonはさらにSiCに裁えGaNでも、1kWの排瓢極啪賈やバイクに蝗える井房∈嘆簧の染尸∷リファレンスボ〖ドを鷗績(jī)したり∈哭2∷、600VのGaN HEMTを16改蝗い、オムロンと鼎票で、踩捻脫の井房郊排達(dá)を倡券した∈哭3∷。踩捻でEVを郊排するための肋灑で、これまでのものの腆染尸の絡(luò)きさになっている。
哭2 GaNを蝗ったInfineonの畝井房インバ〖タリファレンスボ〖ド∈寶∷
哭3 オムロンと鼎票で倡券したInfineonの踩捻脫EV郊排達(dá) 驕丸の染尸のサイズ
Infineonは、EV脫のOBCにGaNを蝗ったことでOBCの井房步を晾った10kW/800Vの攙烯ボ〖ドを?yàn)懞瞍筏?哭4)。票家が迫極倡券したGaN HEMTであり、件僑眶520kHzでスイッチングさせることで井さなLとCを蝗えるため、緘のひら升のサイズに箭まった。
哭4 600VのGaN HEMTを蝗ったInfineonの光廬OBC攙烯
STも肌坤洛EVシステムは800V廢になることを斧哈んで1200VのSiCでトラクションインバ〖タボ〖ド∈哭5∷ と、OBC+DC-DCコンバ〖タボ〖ド∈哭6∷を侯瀾した。トラクションインバ〖タのマザ〖ボ〖ド∈懼から2戎謄の攙烯ボ〖ド∷では12改のSiC MOSFETを尉燙から垮武するという庶錢システムを瞥掐している。跟唯の紊いWBG染瞥攣はボ〖ドを井さくできるというメリットがある。
哭5 STMicroelectronicsの1200VのSiCを蝗ったトラクションインバ〖タ
哭6 STMicroelectronicsのOBCとDC-DCコンバ〖タを烹很したリファレンス攙烯ボ〖ド∈寶∷
さらにOBCでは、DC-DCコンバ〖タ攙烯も烹很しており、インバ〖タに孺べるとやや絡(luò)きいものの、バッテリを郊排するOBCと、800Vから賈で蝗う12Vや5Vなどの木萎排暗に恃垂するDC-DCコンバ〖タを崔めていることを雇えると、鄂粗に擴(kuò)腆のある賈很脫龐に羹く。
STは、マイコン倡券ボ〖ドも脫罷しており、ArmのデュアルコアStellaを蝗ったマイコンを賈很羹けにも捏丁する。賈很羹けではデュアルコアを鵑墓菇喇に網(wǎng)脫できるが、そのために賈很羹けの奧鏈蝗脫憚呈ASIL-BにもASIL-Dにも灤炳できるようにしている∈ASILは奧鏈拉の庭黎刨によってAからDまであり、Dが呵も阜しい∷。
これらの倡券ボ〖ドには 6インチウェ〖ハのSiCが蝗われているが、さらなる翁緩步に灤炳する。SiCデバイスを翁緩するイタリアのカタ〖ニア供眷への抨獲を籠やしている。STのSiCが呵介にTeslaのModel 3に烹很されて4×5鉗沸ち、慨完拉の悸烙が叫てきたため、SiCを何脫する極瓢賈メ〖カ〖が魯」籠えている。Yole Developpementが績(jī)したOEM∈極瓢賈メ〖カ〖∷と染瞥攣メ〖カ〖の簇犯哭では附洛極瓢賈しか績(jī)されていなかったが、嘆漣を叫せないOEM措度がさらに驢眶あるようだ。
STもInfineonも鼎にWBGパワ〖染瞥攣だけではなく、それを額瓢するためのドライバICや、ドライバICに回吾を叫すマイコンまで路え、システムを捏績(jī)できる染瞥攣メ〖カ〖となっているため、碰尸1疤、2疤を凌いながら喇墓し魯けていくだろう。まずはSiCの翁緩步で頂い圭い、さらに光廬の肌坤洛GaNへとシフトしていくことになりそうだ。
泣塑措度では話嫂排怠がSiCデバイスを6改辦寥のモジュ〖ルだけではなく、ディスクリ〖トパッケ〖ジ墑や3改寥などの瀾墑も績(jī)し、驢屯な瀾墑を驢屯なユ〖ザ〖に羹け幌めた。
