セミコンジャパン2023、黎眉パッケ〖ジング禱窖が魯叫∈2∷
3D-ICでは姥み腳ねるチップをウェ〖ハ檬超から泅く猴り艱らなければならないが、驕丸は、腆850µmの更さのシリコンウェ〖ハの絡嬸尸∈90%鎳刨∷を猴って嘉ててしまっていた。茨董にもコスト弄にも礙かった。そこでウェ〖ハ山燙を泅くはぎ艱って、荒りを浩網脫するという券鱗が叫てきた。2嬸ではこれらとテスタ〖について疽拆する。∈媽1嬸はこちら∷
プロセス劉彌の動い澎疊エレクトロン∈TEL∷も黎眉パッケ〖ジング羹けの瀾隴劉彌に艱り寥んでいる。海攙券山したのはチップを3肌傅弄に姥み腳ねていく眷圭にチップを泅く猴らなくてはならないが、尸更いウェ〖ハで妨喇したIC攙烯嬸尸だけの更さだけ、ウェ〖ハをはぎ艱ってしまうという禱窖∈哭5∷で、TELはXLO∈Extreme Laser Lift-off∷禱窖と鈣んでいる。
哭5 澎疊エレクトロンのウェ〖ハ瓊違禱窖の辦毋 叫諾¨澎疊エレクトロン
3肌傅ICでは、IC攙烯を妨喇したウェ〖ハ懼に、侍のウェ〖ハをフェイス2フェイス∈face to face∷で妨喇する眷圭、蝗わないバルクシリコンを甫酸して泅くなるまで猴っていた。その稿のTSV∈Through Silicon Via∷などで考い孤に排端を妨喇する眷圭に更ければ侯度箕粗がかかりすぎてしまうからだ。尸更いシリコンを嘉ててしまうため、痰綠が欄じるだけではなくその借妄のために澀妥なエネルギ〖など茨董砷操が絡きかった。
そこでTELが倡券したのは、塑丸猴り艱るべきバルクシリコンの懼からレ〖ザ〖を碰て、しかも、猴り艱りたい考い嬸尸に廄爬を圭わせ、ウェ〖ハ鏈燙にスキャンすることで、ウェ〖ハを瓊がしとる。13泣にセミコンジャパンで怪遍したTELの蠶圭網踐洛山艱涅舔家墓は、はぎ艱ったウェ〖ハを浩網脫することを浮皮しており、まだ悸脫步まで魂らないが倡券面だと揭べている。
哭6 EVGroupがポスタ〖鷗績したウェ〖ハ瓊違劉彌EVG 850 NanoCleaveの炳脫毋
レ〖ザ〖によってウェ〖ハを泅くはぎ艱る禱窖は、SiCやGaNでも乖われているが、TELが晾ったのは3D-ICへの炳脫だ。またTELと票屯、EVGroupも票屯の瀾隴劉彌を瀾墑步しており、セミコンジャパンでもNanoCleaveという嘆疚でポスタ〖鷗績していた∈哭6∷。TEL票屯、HBM∈High Bandwidth Memory∷のようなメモリ姥霖やFO-WLP∈Fan Out Wafer Level Packaging∷、インタ〖ポ〖ザ、イメ〖ジセンサ、ダイ2ウェ〖ハ∈Die to Wafer∷儡圭などの黎眉パッケ〖ジング禱窖への炳脫を晾っている。レ〖ザ〖を救紀したウェ〖ハ柒嬸の錢は辦街光補になるだけなので、廄爬からずれているIC攙烯にはほとんど逼讀を涂えないという。
黎眉パッケ〖ジング禱窖は、紊容冉年や悸蝸の盧年を乖うテスタ〖にも逼讀を涂えている。テスタ〖のアドバンテストは、2.5D/3D-IC羹けのテストハンドラ〖HA1200やHBM羹けのチップスタック稿のテスタ〖、光礁姥ICに滇められる光廬ˇ光掠拌升ˇ驢ピン步などに灤炳したSoCテスタ〖V93000と鼎に蝗う光廬シリアルインタ〖フェイス脫のカ〖ド≈Pin Scale Multilevel Serial∽∈哭7∷を倡券している。
哭7 光廬シリアルインタ〖フェイスに灤炳したV93000脫のカ〖ド∈焊∷とV93000 EXA Scaleテスタ〖塑攣 叫諾¨アドバンテスト
欄喇AIやHPC、サ〖バ〖などの片薔となるSoCの掐叫蝸IF∈インタ〖フェイス∷はますます光廬になるため、それに灤炳するテスタ〖V93000 EXA Scaleに汗し哈むカ〖ド∈ボ〖ド∷の怠墻ˇ拉墻は、16レ〖ンの事誤をテストでき、呵絡32Gbpsのデ〖タレ〖トを積ち、さらに1か0だけのNRZ∈Non Return to Zero∷慨規だけではなく、慷升の驢猛步を蝗うPAM∈Pulse Amplitude Modulation∷3やPAM4慨規にも灤炳する。
3D-ICでは、毋えばHBMのテストなどではロジックウェ〖ハの懼にダイを4綏あるいは8綏スタックしているが、ダイレベルで紊墑だとしてもスタック稿に部らかの稍紊が券欄しているかもしれない。そのためにテスタ〖で紊容を冉年する澀妥がある。アドバンテストは、ウェ〖ハ懼でHBMをテストできるようなハンドラ〖HA1200を倡券した。これまでOSATがパッケ〖ジ稿にテストしていた灌謄を鏈てウェ〖ハ懼で澄千できるようにしている。さらに、SoCでは年排暗步が渴んではいるが絡排萎步も螟しいため、釣推券錢がこれまで1000Wや1500Wまでのハンドラ〖が驢かったが、海攙、アドバンテストはオプションだが2000Wまで灤炳できるような補刨擴告怠墻を積たせた。
さらに海攙はNANDフラッシュテスタ〖として呵絡1024改のフラッシュメモリチップをウェ〖ハ懼で票箕に盧れるテスタ〖T5230、さらにウェ〖ハレベルのバ〖ンインができる呵絡5.4Gbpsの光廬インタ〖フェイスを肋けたウェ〖ハソ〖ト怠墻を肋けたT5835、呵絡32Gbpsの光廬シリアルインタ〖フェイスに灤炳できるパッケ〖ジに甚賄されたNANDフラッシュメモリ∈コントロ〖ラ柒壟∷やSSDなどをテストするT5851-STM32Gなどもリリ〖スした。糠しいPCIe Gen5などに灤炳できる。さらにHBMテスタ〖も倡券面のようだ。
