図1　レーザーや�p光ICなどの光電変換デバイスだけではなく、アナログICや信��(gu┤)処理ロジック、シリコンフォトニクスなども���]する　出�Z： NTTイノベーティブデバイス

NTTイノベーティブデバイスは、IOWNプロジェクトに�L(f┘ng)かせない光電融合の半導��デバイスを設��・���]するための会社だ。シリコンだけではなく、化合�馮焼���を��いてレーザーや�p信�_(d│)IC、光導�S路をシリコン�屬鵬湛�するシリコンフォトニクスなどを半導��材料で���]する（図1）。まずは小��模な光デバイスを開発・���]するための半導��会社から始める。光電変換デバイスを作ってきたNTTエレクトロニクスと、IOWNプロジェクトをデバイス�\術で�Г┐襪燭瓩�NTTイノベーティブデバイスとなった。

NTTイノベーティブには販売、���]、�\術のそれぞれのグループ会社がある。���]では古�Q電気工業との合弁のNTTデバイスオプテックがシリコンフォトニクス�v路を?y┐n)�作、もう�kつの合弁である古�Qファイテルオプティカルデバイス（FFOD）が半導��レーザーを?y┐n)�作している。NTTデバイスクロステクノロジ（NXTEC）が光電融合の実�△��pけ�eつ。��(sh━)国子会社のFjscalerは、�p光素子を含めたセンシング����やネットワーク信��(gu┤)処理LSI、アナログICなどを?y┐n)��]する。それぞれのICをパッケージングするために2.5D/3D-ICのような先端パッケージも積極的に����する。

なぜ光電融合デバイスが��要か。これまでは、データセンターやスーパーコンピュータ内�陲任蓮�1��のサーバラック間や、ラック内のサーバ間の接��を光ファイバで行ってきた。転送するデータレートが100Gbpsを��えるようなスピードが求められるようになってきたからだ。PCIeの並�`レーン数を�\やして�官�しているものの、銅線では限�cがあり光ファイバの��(sh┫)が容易に�\設できる。今度は、サーバ内�陲離棔璽百�、ボード内での転送�]度が問��になるシステムが求められるようになってきたため（図2）、それに向けてNTTはIOWN構�[を�]ち�屬欧�。

図2　光電変換も信��(gu┤)処理も1チップのパッケージに収納することでプリント基���屬鮓�ファイバで接��することになる��　出�Z：NTTイノベーティブデバイス

もともとNTTのテクノロジー�靆腓任△�NTTエレクトロニクスは、レーザーや光電変換デバイスや通信��LSIなどを作ってきたが、これからは光通信ネットワークに使��する��ての半導��デバイスをNTTイノベーティブが担うことになる。NTTはIOWN構�[を進めれば進めるほど、そのカギを��(┐i)るテクノロジーが半導��であることを理解している。さらに通信からコンピューティングへと拡�j(lu┛)することも����的だ。

しかも、光電融合デバイスは、光電デバイスや信��(gu┤)処理半導��ICだけではなくシリコンフォトニクスも�~使する。それらをチップあるいはチップセットとして、最先端パッケージング�\術で実�△垢�。

図3　最初は送�p信機を?y┐n)△┐晋�電変換デバイスに光ファイバを接��する形��だが、�?、��5世代となるとシリコンのロジックやフォトニクスまで1パッケージに集積したICとなる　出�Z：NTTイノベーティブデバイス

NTTイノベーティブは、通信からコンピューティングへ、さらにパソコンやスマートフォンなどのモバイルコンピュータへと発�tさせていきたいという考えを�eつ。�O社で半導��を�}�Xければ、データセンターなどのコンピュータからパソコンやモバイルコンピュータの��(sh┫)が半導��の�x場が拡�j(lu┛)できるからだ。そこで、図3のようなロードマップを作成、最終的にモバイルコンピュータへ発�tさせたいという希望を�eっている。

図4　NTTイノベーティブデバイス代表�D締役社長の塚野英�F��(hu━)

財��的には、2022�Q度の売り�屬欧蓮�21�Q度の291億��から30%成長の379億��となったが、さらにIOWNデバイスのビジネスで1000億��を突破したいとNTTイノベーティブ代表�D締役社長の塚野英�F��(hu━)（図4）はいう。��(j┤ng)来は、モバイルコンピュータまで拡�j(lu┛)していくことでデバイスの売り�屬欧鮟j(lu┛)きく�屬欧討い�という�C�j(lu┛)な��画だ。