TELが1名邊措度の苗粗掐り
澎疊エレクトロン∈TEL∷が1名邊措度の苗粗掐りを蔡たした。2018鉗刨∈2017鉗4奉×2018鉗3奉袋∷の息馮卿懼馳が、漣鉗孺41.4%籠の1名1307帛邊となった(山1)。蹦度網弊は票24.9%籠の2811帛邊で、蹦度網弊唯は24.9%。NANDフラッシュとDRAM羹けの瀾隴劉彌が漣袋孺2擒笆懼に卿れたことが絡きい。やはり2017鉗のメモリバブルを微燒けている。
山1 澎疊エレクトロンの2018鉗刨∈2017鉗4奉×2018鉗3奉∷の度烙 叫諾¨澎疊エレクトロン
TELの卿懼馳は、シリコンプロセス瀾隴劉彌のSPE嬸嚏と、閉窘ディスプレイ瀾隴劉彌のFPD嬸嚏に絡侍できる。SPE嬸嚏1名552帛邊に灤してFPD嬸嚏は750帛邊である。SPE嬸嚏の柒、糠憚劉彌は8146帛邊と呵も驢く、面概劉彌やパ〖ツサ〖ビスなどのフィ〖ルドソリュ〖ションが2510帛邊となっている。
TELはどのようなデバイス羹けの劉彌で2018鉗刨の卿り懼げを懼げたのか。また、この黎はその瀾墑が卿れるとみているのか。これによって、杠狄である染瞥攣メ〖カ〖やファウンドリの抨獲飯羹がわかる。
TELはアプリケ〖ション侍の卿り懼げを給倡している(哭1)。2018鉗刨に呵も絡きな充圭を貍めたのが40%の稍帶券拉メモリ∈NANDフラッシュ∷であり、その肌がロジックその戮の25%、3戎謄が24%のDRAMで、4戎謄が11%のロジックファウンドリである。2017鉗はメモリバブルの鉗であり、DRAMが腆75%、NANDフラッシュは腆45%喇墓した。TELのエッチングや麗爵などのプロセス瀾隴劉彌でDRAM脫、NANDフラッシュ脫はともに2擒喇墓した。メモリを橇く染瞥攣チップの喇墓唯は10%鎳刨だったため、まさにメモリバブルであった。
哭1 2018鉗刨卿り懼げのプロセス劉彌の柒條 叫諾¨澎疊エレクトロン
TELはさらに、2019鉗刨(2018鉗4奉×2019鉗3奉∷でこれらの劉彌がどう凱びるかを徒盧している∈哭2∷。呵も絡きな凱びを袋略しているのがDRAM脫の劉彌で77.2%籠の3409帛邊、肌がロジックファウンドリで31.6%の1121帛邊、漣鉗刨もっとも絡きく籠やしたNANDフラッシュは10.1%籠の3610帛邊を袋略している。
哭2 2019鉗刨に斧哈まれるプロセス劉彌の脫龐 叫諾¨澎疊エレクトロン
ここ呵奪、NANDフラッシュは夫鏈な猛布がりを績してきており、肋灑籠動の跟蔡が山れてきたが、DRAMは任卿した瀾隴劉彌がすぐに蒼漂に欄かされていないようで、DRAMの帽擦はようやくフラットになったものの、まだ猛布がりに羹かっていない。メモリは髓鉗猛布がりを魯けることで輝眷を橙絡し、卿懼を橙絡するという夫鏈な喇墓を沸てきた。しかし、候鉗は帽擦が猛懼がりというバブル弄な屯陵を斧せてきた。ここにきてようやく猛懼がりは賄まったようだが、これが夫鏈な猛布がりに羹かうためには欄緩翁を橙絡しなければならない。
2019鉗刨にDRAM欄緩脫の劉彌の77%喇墓を斧哈むことはそれだけDRAMメ〖カ〖からの欄緩橙絡の謊廓が斧えることになる。DRAM擦呈の猛懼がりはスマホとパソコンの擦呈を懼げ、馮蔡弄にそれらが卿れなくなってきている。このため驕丸のような猛布がり飯羹へ乖かない嘎り、スマホとパソコンの輝眷は教んでしまう。澎疊エレクトロンの斧哈みはユ〖ザ〖(メモリメ〖カ〖)の瓢羹を績しているため、DRAMはようやく夫鏈な喇墓が袋略できるようになることを績している。
