図1　��菱電機社会システム��業本�霙后‐���執行役の��池高弘��

��菱電機は、電�Zなどの交通システムの�Z両そのものは作っていないが、�Z両に使うインバータや���\電源����、モータなどの電機��を�}�Xけており、この分野では世�c��4位の売り�屬欧世箸いΑ�1位カナダBombardier（ボンバルディア）、2位ドイツSiemens（シーメンス）、3位フランスAlstom（アルストム）に次ぐ。2020�Qまでに電機����業で世�cのトップに立つという�`�Yを掲げ、�L外売り�屬音\�咾卜�を入れている。

世�cトップになるための切り札がフルSiCインバータやフルSiC���\電源だという。フルSiCとは、スイッチングトランジスタも逆向きダイオードもSiCで構成された素子のこと。半導��業�cではSiCは高価だから、なかなか量��にならないという見�気��咾ぁ�しかし、電�Z�Z両ビジネスでは、高効率で�j電��を扱うSiCパワー半導��は����の小型化・省エネ化だけではなく、メンテナンスコストを下げるというメリットもある。����システムとしてみれば、SiCを使えば�Wくなるのである。ウクライナの��都キエフを走る�Z両に向けに納入済みであり、�盜颯縫紂璽茵璽�のロングアイランドを走る電�ZにもSiCショットキダイオードとSi IGBTとのハイブリッドだが、納入が確定しているという。さらに小田��への納入も��まっている。

電�Zでは、「走る・�Vまる・�]度�U御」が�Lかせないが、半導��が使えない時代には�B�^�U御で行っていた。しかし、�Vまる場合は電気を�B�^で消�Jさせることで、捨てていた。このため、まずチョッパ�擬阿離汽ぅ螢好燭鮖箸Δ海箸把称�モータを�~動し、省エネ化を果たした。しかし「メンテナンスが�j変だった」（��池��）ため、ゲートでオンオフできるGTO（ゲートターンオフサイリスタ）を使う交流モータに変わった。しかし、ゲートのオンオフに使う電流が�jきすぎた(電流�\幅率が小さい)ため、�v路が複雑になった。そこで、GTOに代わり�j電流を�Dり扱えるようになったIGBT（絶縁ゲートのバイポーラトランジスタ）へと変わっていった。IGBTは、パワートランジスタと同様にゲート電圧のオンオフだけで�jきな電流を切り��えられるため、�v路は�~単になった。ところが、IGBTはバイポーラ動作のためスイッチング�]度を�屬欧襪海箸呂任�ない。少数キャリヤの蓄積効果のため、オフ時になかなかオフしないテール電流がしばらく残るからだ。

そこで最�Z�R�`されているのがSiCのFETである。FETはバイポーラと違って少数キャリヤを使わないため、高�]スイッチングができる。このため、周辺�v路のコイル(インダクタあるいはリアクタとも言う)を小さくできるというメリットがある。SiC MOSトランジスタの価格だけを見ると高いが、コイルが小さくなる分コイルコストは�Wくなり、しかもデバイスの��失が少なくなるため、�v�擇任�る電��を�jきく�Dれる。加えて、メンテナンスコストはかからない。トータルではSiCのシステムの�気�システムの運��コストまでも含めたシステムコストが�Wくなるという。

��菱は最�Z、インドのバンガロールにも�Z両向け電機��工場を建設することを��めた。鉄�O��要がインドで高まることを見越した判��だ。投�@金�Yは9億��、2015�Q12月の�n働を�`指す。これにより、インド�x場での交通システムの売り�屬欧�2014�Q度の100億����模から2020�Qには200億��へと倍�\させることを�`指している。�L外に工場を作る場合でも半導��は日本で作る。�Z両交通ビジネスでは、メイドインジャパンを高く�h価するため、����の現地�攵�・現地調達が��ずしも望まれている�lではない、と��池��は語る。