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Samsung、史嶌能j(lu┛)のメモリ工場をf国内に建設

Samsung Electronicsが156兆ウォン(147億ドル:)という巨Yの投@をモバイルデバイス向けのチップ]のためにソウルの南75kmの平u(ピョンテク)という場所に新たな半導工場を作る画を発表した。この工場はSamsungのどの工場よりもj(lu┛)きなものになるという。

半導チップ]工場の建設は2015Qのi半にスタートし、2017Qの後半に完成する画である。Samsungのいうモバイルデバイス向けのチップとは何か、憶Rが飛んでいる。メモリのx場価格を定点莟Rしている調h会社DRAMeXchangeの副社長佐のAvril Wuによると、「DRAMとNANDフラッシュに集中するのならT味がある。内のアプリケーションプロセッサならSamsungのスマートフォンに使われる数がしれているからだ」と語る。

Samsungの業績はこのところ下T気味。スマホビジネスが、華為\術やZTE、小櫺紛\(シャウミー)など中国メーカーに食われつつあり、下Tしているからだ。このため、スマホからメモリへのり戻し時期に来ていると見える。半導とはいえ、Samsungのアプリケーションプロセッサにj(lu┛)きな差別化要素は少なく、AppleのファウンドリR文がやってくるとは考えにくい。

しかしk(sh┫)で、iPhoneの次のアプリケーションプロセッサA(ch┳)9のファウンドリR文をSamsungがDったといううわさがあり、これが本当だとすると新設する半導工場はアプリケーションプロセッサも含まれるといえる。A9は14nmFinFETプロセスで作ることが確定しており、Samsungが確立したといううわさがその理y(t┓ng)の根fにある。実際、Intelの14nmFinFETプロセスはまだW定していないというmも聞くが、もう完成したといううわさもあり、どちらが真実か今の所わからない。

いずれにしても、NANDフラッシュの\は間違いなく、今度のx場として来のカメラやスマホからサーバーやストレージへ広がっていくことはもう間違いない。ストレージの拡j(lu┛)はIBMの10億ドルの投@の発表を見ても金融x場でのミリ秒を争うインターネット株式D引などからSSDへの要求は咾。ただ、DRAM(図1)は給関係ではなく、「x場を独する」というT味合いが咾い茲Δ。


図1 2014Q2四半期におけるDRAMの世cマーケットシェア 出Z:DRAMXchange

図1 2014Q2四半期におけるDRAMの世cマーケットシェア 出Z:DRAMXchange


Samsungのライン17棟は2015Qの後半に攵が立ち屬ると当初見られていた。しかしこの工場のn働は早くても2016Q後半にずれ込んでいる(図2)。DRAMの攵ξを拡j(lu┛)することになっていた。DRAM価格はさまざまな工場がコストを下げることで下がっていく。その内、攵ξを調Dすることになろう。そのiの2015Qは少なくともDRAMメーカーはW(w┌ng)益を出せるだろう。


図2 Samsungの月ξ 出Z:DRAMeXchange

図2 Samsungの月ξ 出Z:DRAMeXchange


恐らくSamsungが新工場の建設をめた理y(t┓ng)は、DRAMやNANDフラッシュの\加する要を満Bさせるのではなく、Bからのプレシャーによるものではないかという推Rも飛んでいる「数QiからSamsungは盜颪離謄サスΕースチンに巨j(lu┛)な投@を行ってきたことに瓦靴、f国Bは国内にもある度は投@せよと言われていたからだ」とDRAMeXchangeのWuは見る。

DRAM噞は寡化が進み、参入障壁が高まり、新企業は参入しにくい。ライン17棟と18棟を両(sh┫)立ち屬、攵ξをj(lu┛)きく屬欧襪箸いΕ▲哀譽奪轡屬弊鐓SをSamsungがとれば、ライバル(SK HynixとMicron)はもはや{いつけなくなる。n働が始まり、DRAMの給関係はSamsungが保とうとするため、ライバルもSamsungに同調せざるをuなくなるだろう。

(2014/10/08)
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