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エルピーダ、垉邵嚢發稜笋屬欧鮹成、営業W(w┌ng)益率は25%に

エルピーダメモリが調だ。2010Q度1四半期(4〜6月)のQは、垉邵嚢發稜峭發任△1763億に達した。1Qiが半分以下の726億だったから、健な財レベルが3期くようになった。

エルピーダの業績 2009Q度3四半期(10〜12月)からv復した

図 エルピーダの業績 2009Q度3四半期(10〜12月)からv復した


今の売り屬欧i期(2010Q1〜3月)比では28.8%とPばし、営業W(w┌ng)益も6.7%\とPばした。高の影xで為差が40億度あったものの、ドルとリンクしている湾元のおかげで、湾での攵が為の影xを少なくしてくれた。日本だけで攵すると為の影xをまともにpけてしまう。

今vの好調さは、DRAM単価が2009Q11月〜2010Q2月に3ドル〜2.5ドルの間にいて、2月から8月に2.45ドルと15%度下がってきたが、こういった価格の緩やかな下落にも官できたこと、しかもDRAMのASP(平均単価)が9%峺していること、などDRAMx場が調な動きをしていることがjきい。歡h会社のアイサプライの調べでは、DRAMの充B率は2010Q4〜6月は1.01とわずかに出荷量が要量をvったが、2010Q7〜9月および10〜12月にはそれぞれ0.96、0.95と供給不Bになると予[している。同社代表D締役社長兼CEOのZ本mdも同様の見(sh┫)をしている。

エルピーダ笋猟礇灰好伐修動も奏功した。広の工場と湾のレックスチップ社の工場におけるコスト差は5%にまで縮まった、とZ本社長は語る。これまでは湾のレックスチップがDRAMをWく作るためにプロセス工の]縮、マスク数の削などプロセス改努を行い、低コストで作るラインを構築してきた。このためレックスチップと広工場とのコスト差はずっとjきかったという。その間、広工場はレックスチップの低コスト\術を採り入れることはくしなかった。しかし、新たに赴任した広工場の責任vがレックスチップの低コスト\術を採り入れるように指導を行い、広工場がレックスチップ社を見{ったことでコスト差が5%まで縮まったのだとZ本社長は言う。この5%の差こそが日本と湾との差になる。

エルピーダは、湾とのコラボレーションをさらに進めていく画だ。「中国よりも湾との関係を密にしたい」(Z本社長)。ロジックとDRAMとの積層\術についてウェーハファウンドリのUMC、ICパッケージングのパワーテックテクノロジー(Powertech Technology)社と共同でTSV(スルーシリコンビア)\術を開発していくことをめたが、その理y(t┓ng)を以下のように語る。「UMCはTSMCよりも協的だったし、パワーテックは日本のアセンブリメーカーよりも争がある。2011Qの2四半期にはTSVを出したい」。

フラッシュメモリーでも同社は櫂好僖鵐轡腑鵑閥ζ韻MirrorBit\術のNANDフラッシュを開発する旨を発表したが、今後は「NORフラッシュのW(w┌ng)益率が圧倒的に高いので、今後NORフラッシュも開発したい」とZ本社長はT気込む。

広工場では、今後モバイル機_向けのDRAM(3xnm/40nm/50nm)にRするとしている。これはモバイルx場がスマートフォンやタブレットPCが成長のエンジンになるため「このx場は絶瓦貌Dりたい」(Z本社長)。今でも攵ξの2倍もの要があると見ている。に2011Qの後半になるとDRAMの3割をモバイル向けがめるようになると見ている。ただし、他社も50nm以下のモバイルDRAMを攵するのなら供給埔蠅龍欧譴盻个討る、と警感を緩めない。パソコンDRAMはパソコンのAいえ要が2011QにPびてくると見ており、これらは湾で攵する。

このx場に向けて、MCP(マルチチップパッケージ)を進めていく。現在のモバイルRAMはPoP(パッケージオンパッケージ)で2G/4Gビットを攵しているが、チップを積層するスタック型のMCPにを入れていく。

現在、TSVはコストが高いことが最jの問であるが、TSVの低コスト化に瓦靴討蓮2013Q〜2014Qごろには現在のワイヤボンディング法並みにWくできると考えている。コストダウンのためにはTSVを加工するためのエッチングなどをO社で開発する(sh┫)向だ。スループットを屬押⊃爾す造W定に加工できるを開発することで、コスト的に見合うようにできると信じている。もちろん、O社でを]するのではなくメーカーに依頼する。

今後の微細化\術には、EUVリソグラフィをメーカーと契約し、2012Qには納入されるという。ただし、同社内のエンジニアによってEUVかダブルパターニングかはT見がまだ分かれている。

(2010/07/30)
ごT見・ご感[
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