≈欄緩墻蝸はフルに積たない∽メモリ〖メ〖カ〖が陵肌ぐ、アセットを汾く
メモリ〖メ〖カ〖さえもがアセットライト數克を陵肌いで慮ち叫している。籠緩には嘲嬸のファウンドリなどを蝗い、極家の肋灑を橙磨せずに灤炳していく。メモリ〖は塑丸、腮嘿步を納滇し翁緩跟蔡を滇めるデバイスであり、SoCのように怠墻を納滇する警翁驢墑鹼デバイスではない。メモリ〖は奉緩眶紗它改も欄緩するのにもかかわらず、極家で籠緩しないという數克は海稿のメモリ〖ビジネスにどう逼讀をもたらすだろうか。
DRAMのエルピ〖ダメモリ、フラッシュのニュ〖モニクスが、メモリ〖の籠緩には嘲嬸のファウンドリや圭售メ〖カ〖供眷を姥端弄に蝗い、いたずらに肋灑抨獲を乖わない、というアセットライト數克を陵肌いで慮ち叫した。フレキシブルに欄緩拇臘ができることをニュ〖モニクスはアセットスマ〖トと鈣んでいるが、答塑はアセットを汾くすることである。
エルピ〖ダメモリのCEOである轟塑宮禿會は、≈肋灑抨獲よりも腮嘿步とセル菇隴の供勺でシュリンクさせることによりウェ〖ハ碰たりのチップ眶を籠やしていく∽數克を動拇した。エルピ〖ダは腳妥杠狄からの獲塑、蠟紹廢垛突からの獲塑、さらには駱涎蠟紹からの獲塑、臭及給淑などによって獲塑籠動を哭り、澀穢に欄き變びてきた。蠟紹の獲塑瞥掐に簇しては佰俠の蘭はあったが、エルピ〖ダにとってはつぶれるか欄き荒るかの昆竿狠であったからこそ、聯買の途孟はなかった。轟塑會は材墻なものはすべて悸乖する數克であり、數忽を艱嘉聯買する途偷などは鏈くなかったのである。
DRAM擦呈は、墓かった付擦充れの覺輪からようやく8奉ごろから卻け叫せるようになりつつある。エルピ〖ダの2009鉗刨媽2煌染袋∈7×9奉袋∷では蹦度祿弊がわずかながら輥機へと啪垂した。沸撅祿弊はまだ55帛邊の樂機ではあるが。票箕にコストダウンのために65nmのシュリンクプロセスを何脫し、殊偽まり羹懼と陵まって網弊を叫せるようになった。2009鉗1×3奉∈2008鉗刨媽4煌染袋∷は、卿り懼げよりも祿己の數が絡きいという撅急嘲れの樂機を紛懼したが、その錯怠は忙した。
轟塑會は丸鉗、欄緩眶翁を50%籠やす紛茶で、50nm、40nmへとさらなる腮嘿步とファウンドリの網脫によって欄緩籠動を哭る。駱涎ではPowerchip Semiconductorと圭售で肋惟したRexchipはエルピ〖ダ羹けに100%欄緩しており、Powerchipからも8它綏/奉のうち1它綏/奉を海でもエルピ〖ダを減け艱っている。この孺唯をさらに光め、Powerchipの欄緩翁の染尸を海鉗瑣には減け艱る徒年だとしている。
エルピ〖ダはさらに駱涎のProMOS家、Winbondとも欄緩把瞞防腆を蛤わした。ProMOS は駱涎 駱面の300mmファブにおいてエルピ〖ダ羹けに1G ビットDDR3 SDRAM を瀾隴する。瀾墑の活侯は2010 鉗漣染に窗位徒年で、翁緩は2010 鉗稿染を紛茶している。WinbondとはGDDR3およびGDDR5グラフィックスDRAMを2009鉗瑣までに欄緩、丸鉗漣染にエルピ〖ダが關掐する紛茶になっている。
NORフラッシュの絡緘ニュ〖モニクスは、NAND瀾墑に灤する見妥捌鳳が1鉗漣と孺べ4擒に籠えているとして、欄緩墻蝸を懼げていく。STマイクロエレクトロニクスとインテルとの圭售であるニュ〖モニクスは、2鹼梧の嘲嬸を蝗う。辦つはファウンドリとしてエルピ〖ダ∈弓噴供眷∷にNORフラッシュを欄緩把瞞する。もう辦つは、躥柜ハイニックスとの圭售の痰尖供眷でNANDフラッシュを欄緩把瞞する。獲塑簇犯から鏈欄緩墻蝸の33%まで蝗えるとしている。
ニュ〖モニクスが積つ極家ラインは200mmウェ〖ハを答塑としてNORとNANDを欄緩するが、海鉗面に48/41nmNANDの塑呈弄蒼漂を倡幌する徒年である。2010鉗には45nmのNORフラッシュも蒼漂を幌める。ニュ〖モニクスは、NANDの欄緩翁がNORと孺べるとまだ警ないが、輝眷の瓢羹としてはNANDが籠えていくことに灤借するため、2009鉗にはNANDを2擒に籠動、2010鉗にはさらに2擒に籠動し、2010鉗瑣には鏈攣の45%鎳刨まで籠やしていく紛茶だ。
エルピ〖ダのDRAM欄緩が緘辦欽の眷圭でも、≈エルピ〖ダが蝗っているプロセスとニュ〖モニクスのプロセスとは般う懼に、瀾墑も般うため炳脫輝眷までが票箕に籠緩に瓢くことはあり評ない。だから、エルピ〖ダをファウンドリとして蝗う罷蹋がある∽と、票家CEOのブライアンˇハリソン會は咐う。≈碰家はフルキャパシティを積たない∽數克だとする。
いずれのメモリ〖メ〖カ〖も肋灑抨獲にはもう叼馳の抨獲をしないため、劉彌メ〖カ〖にとって海稿、ますます阜しくなる。劉彌メ〖カ〖の糠しいビジネスモデルの菇蜜は澀寇になろう。
