DRAMのエルピーダメモリ、フラッシュのニューモニクスが、メモリーの�\��には外�陲離侫．Ε鵐疋蠅箙臺曠瓠璽�ー工場を積極的に使い、いたずらに設��投�@を行わない、というアセットライト�疑砲鯀蠎，い��]ち出した。フレキシブルに�攵棽�Dができることをニューモニクスはアセットスマートと�}んでいるが、基本はアセットを軽くすることである。

エルピーダメモリのCEOである�Z本�m�d��は、「設��投�@よりも微細化とセル構�]の工夫でシュリンクさせることによりウェーハ当たりのチップ数を�\やしていく」�疑砲��喞瓦靴拭�エルピーダは�_要顧客からの�@本、���B�U金融からの�@本、さらには��湾���Bからの�@本、株式�o募などによって�@本�\�咾鮨泙蝓����xに�擇���びてきた。���Bの�@本導入に関しては異�bの�mはあったが、エルピーダにとってはつぶれるか�擇�残るかの瀬戸際であったからこそ、���Iの余地はなかった。�Z本��は可�Δ覆發里呂垢戮銅孫圓垢��疑砲任△蝓��戯�を�D捨���Iする余裕などは��くなかったのである。

DRAM価格は、長かった原価割れの�X��からようやく8月ごろから�sけ出せるようになりつつある。エルピーダの2009�Q度��2四半期（7〜9月期）では営業��益がわずかながら���Cへと転換した。経常��益はまだ55億��の���Cではあるが。同時にコストダウンのために65nmのシュリンクプロセスを採��し、歩�里泙蠍��屬帆蠅泙辰鴇W益を出せるようになった。2009�Q1〜3月（2008�Q度��4四半期）は、売り�屬欧茲蠅盖�失の�気��jきいという常識外れの���Cを���屬靴燭�、その�e機は脱した。

�Z本��は来�Q、�攵捓量を50%�\やす��画で、50nm、40nmへとさらなる微細化とファウンドリの�W��によって�攵��\�咾鮨泙襦ｑ�湾ではPowerchip Semiconductorと合弁で設立したRexchipはエルピーダ向けに100%�攵�しており、Powerchipからも8万��/月のうち1万��/月を今でもエルピーダを�pけ�Dっている。この比率をさらに高め、Powerchipの�攵盋の半分を今�Q��には�pけ�Dる予定だとしている。

エルピーダはさらに��湾のProMOS社、Winbondとも�攵仿�m契約を交わした。ProMOS は��湾　��中の300mmファブにおいてエルピーダ向けに1G ビットDDR3 SDRAM を���]する。����の試作は2010 �Q�i半に完了予定で、量��は2010 �Q後半を��画している。WinbondとはGDDR3およびGDDR5グラフィックスDRAMを2009�Q��までに�攵�、来�Q�i半にエルピーダが�P入する��画になっている。

NORフラッシュの�j�}ニューモニクスは、NAND����に�瓦垢誨�要案�Pが1�Q�iと比べ4倍に�\えているとして、�攵��ξ�を�屬欧討い�。STマイクロエレクトロニクスとインテルとの合弁であるニューモニクスは、2�|類の外�陲鮖箸Α��kつはファウンドリとしてエルピーダ（広��工場）にNORフラッシュを�攵仿�mする。もう�kつは、�f国ハイニックスとの合弁の無錫工場でNANDフラッシュを�攵仿�mする。�@本関係から���攵��ξ�の33%まで使えるとしている。

ニューモニクスが�eつ�O社ラインは200mmウェーハを基本としてNORとNANDを�攵�するが、今�Q中に48/41nmNANDの本格的�n働を開始する予定である。2010�Qには45nmのNORフラッシュも�n働を始める。ニューモニクスは、NANDの�攵盋がNORと比べるとまだ少ないが、�x場の動向としてはNANDが�\えていくことに�棺茲垢襪燭瓠�2009�QにはNANDを2倍に�\�咫�2010�Qにはさらに2倍に�\�咾掘�2010�Q��には����の45%��度まで�\やしていく��画だ。

エルピーダのDRAM�攵�が�}�k�Jの場合でも、「エルピーダが使っているプロセスとニューモニクスのプロセスとは違う�屬法�����も違うため応���x場までが同時に�\��に動くことはあり�uない。だから、エルピーダをファウンドリとして使う�T味がある」と、同社CEOのブライアン・ハリソン��は言う。「当社はフルキャパシティを�eたない」�疑砲世箸垢襦�

いずれのメモリーメーカーも設��投�@にはもう巨�Yの投�@をしないため、����メーカーにとって今後、ますます厳しくなる。����メーカーの新しいビジネスモデルの構築は��須になろう。