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IEDM 2021、1nmノード\術ではバルクの電源レールを検討

2021Q12月11日(土)のチュートリアルから始まるIEEE主IEDM(International Electron Device Meeting)の講演要がwまった。基調講演は12月13日(月)午i中の3Pで、QSamsung、Facebook、IBMから発表される。開はいつものサンフランシスコのヒルトンホテルだが、オンラインとのハイブリッドである。

図1 IEDM 2021が開されるサンフランシスコの荽〇1読v

図1 IEDM 2021が開されるサンフランシスコの荽〇1読v


今vの基調講演は3P。SamsungのK. Kimによる「The Smallest Engine Transforming Humanity: The Past, Present, and Future(人類を変える最小のエンジン:垉遏Ω什漾μね茵法廚函FacebookのM. Abashの「Creating the Future: Augmented Reality, the next Human-Machine Interface(未来を創]する:AR、次世代のHMI)」、そしてIBMチューリッヒ研|所のH. Rielによる「Quantum Computing Technology(量子コンピュータ\術)」である。バラエティに富んだトピックスが並んでいる。もっともわかりにくいのがSamsungの講演タイトルで、イメージしにくい。しかも要はo表されていない。

IEDMで定したフォーカスセッションは、最ZにR`されている\術(Emerging Technologies)についてd待講演が設けられているセッションである。次のセッションが今Qのフォーカスセッション;
・セッション3:先端ロジック\術;デバイス、v路、チップのスタック\術−設、]、メトロロジーの問と機会
・セッション14:エマージングデバイスとコンピュータ\術;量子コンピュータのデバイス\術
・セッション25:メモリ\術/先進ロジック\術;メモリ中心コンピュータ\術のSTCOと3D集積
・セッション35:センサ、MEMS、バイオ/光エレクトロニクス、ディスプレイ、イメージング;VR\術とスマートセンサ
・セッション38:エマージングデバイスとコンピュータ\術/光エレクトロニクス、ディスプレイ、イメージング;トポロジカル材料、デバイス、システム

k般講演では、1nm〜2nm\術として、バルクに電源レールを配し、信タとレイヤーを別にするBPR(mめ込み電源ライン:Buried Power Rail)に関して、ベルギーimecやASMが、ビア-BPRメタル間、W(タングステン)のBPRスタックによる配線B^の低、WコンタクトとFETのソース/ドレインコンタクトB^の調Dと平行なW-BPR配線、Mo(モリブデン)BPRの導入など、BPRのさまざまな検討について講演する(22.5)。さらに、imecチームはCadenceやブリュッセルj学と組み、2nmノードにおける裏C配線をWするLSIを提案し、その配線を使ったSRAMマクロとロジックの設についても述べる(22.4)。

5nm未満のノードでは3D-ICやチップレットが躍するようになり、ファブレスのQualcommも深く関わってくる(22.3)。同社はモノリシック2次元(M2D)チップの設に関してヘテロプロセッサチップやチップレットの集積や、パーティショニングに関して今後須になるとアブストラクトに記述している。これからはM2Dと3D-ICの集積などシステム性Δ虜播化が_要になるとしている。

量子アニーリングに使われるIsingモデルは、半導メモリの形で表現できるが、ITRIと湾国立j学が開発したインメモリアニーリングユニット(IMAU)チップは、巡vセールスマン問を2000 TOPS/Wという高い電効率の性Δ納Qしたという発表を行う(21.3)。

k般講演は、来のメモリやロジックに関する発表もHく、例えばメモリはf国勢がHい。変わったところでは、IntelがGaNとSi CMOSv路との集積において、GaN FinFETを試作、最j動作周S数fTが300GHz、fmax400GHzという高周S性Δ魴eつことをす(11.1)。

IEDMのk般講演はrりだくさんだ。RAMベースのAIチップなどインメモリコンピューティング\術のチップやデバイスも\えている。

(2021/10/28)
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