» 寄�M » 寄�M（半導������）
高集積ロジックICやパワー半導��を効率よく冷却することは、チップの消�J電��を下げることとほぼ同様に�L(f┘ng)かせない�\術となる。巨�j(lu┛)なデータセンターでは、サーバーを冷却する消�J電��の��(sh┫)がサーバーの消�J電��よりも�j(lu┛)きい、という現実がある。半導��チップの新しい�]冷�\術をベルギーの半導��研�|所Imecが開発した。ICパッケージ内を冷却するImecのこの�]冷�\術を紹介する��（セミコンポータル��集室） [→��きを読む]
Analog Devicesが周�S数70MHzから6GHzまでカバーできる広帯域の高周�S（RF）チューナ��ICを開発した。ベースバンドモデムでのソフトウエア無線（SDR: software defined radio）をサポートするため、この周�S数内のさまざまな異なる周�S数帯域の無線通信機�_に1個のRFチューナで�官�できるようにした。同社の狙い、システムを紹介する。(セミコンポータル��集室) 著�v：Duncan Bosworth, Segment Marketing Engineer, Aerospace and Defense Segment, Analog Devices, Inc. [→��きを読む]
SiCトランジスタの初めての商��を紹介する。ドイツのインフィニオンが開発したこのJFET（接合型電�c効果トランジスタ）はMOSFETに先�~け、世に出ることになる。この記��はドイツの英文雑誌Bodo’s Power Systemsに掲載されたものである。セミコンポータルはBodo Arlt��集発行人とインフィニオン社から翻�l掲載の��可を�uた。長文のため2�vに分けて連載する。今�vは��1�v�`である。(セミコンポータル) [→��きを読む]
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