景気の良さは�|々の指�Yに表れるがGDPの要因は�j(lu┛)きいと考えている。���Bの�@料によると我国の2000�Qから07�Qにかけて�@�`GDP値は504兆��から516兆��であってこの間の成長率はわずか2.4%��度しか達成されなかった。�k��(sh┫)、電��消�Jは同じ時期でGDP成長率より�j(lu┛)きく13.5%になった。景気が電��使��料を牽引するだけでなく、景気を��?j┼n)vって電��を�Sが消�Jしている。なぜだろうか？この間の��情を�bじてみたい。

地球��模の�a暖化が進んでいるとされるにも関わらず、電��消�Jは�\加の�k��(sh┫)で��(f┫)少する気配はない。このうち家庭の電��消�Jが問��であろう。日本の家庭には冷���U、エアコン、照��、テレビとDVD�{画機、�a水トイレ、衣類�|燥機、食�_��浄�|燥機、ファックス、PCなどがある。情報機�_も電��消�Jが�Hい。PCの�\加は�j(lu┛)きく、IDC社のニュースによると世�cレベルで出荷�\加は07�Qでは21.8%にもなった。最�Z、内�V�Bはポスターを作って�I電を�}び�Xけた。この�@料によると、今や日本の�c���靆腓�消�Jする電��は�Q平均6.6%も�Pびている。

インターネットでは、ホームページのページビューが���\している。ページビューと言うのはウェブにおけるアクセス数の単位の�kつでウェブサイトの訪問�vのブラウザにHTML文書(ウェブページ)が1ページ表��されるのが1ページビューである。以下ページビューをPVと�Sすると、通常、訪問�vはサイト内の複数のページを閲覧するため、訪問�v数よりもPVのほうが数倍�Hくなる。ヤフージャパンの2007�Q5月度の月間でのPVが318億PVを突破、ついに世�c��1位になったことがネットレイティングスのニュースで��らかになった。世�cでは�T外にも日本語のPVが�Hいと言われている。2位~5位は以下の通りである。
2位：�盜�Yahoo!……316億PV
3位：News Corp. Online……296億PV
4位：Google……212億PV
5位：Microsoft……155億PV

PVが���\していることはサーバーが�\加していることを�T味する。ガートナー社の調�hによれば、06�Qのサーバー世�c�x場において、ブレードサーバーが著しい成長を見せている。報告によれば、出荷��数ベースで33.0%�\になった。サーバー����では金�Yベースで2%�\、出荷��数ベースで約9%�\である。サン・マイクロシステムズ社が推進するのがエコ・イノベーション・コンテナ型仮�[データセンターと�}ぶプロジェクトブラックボックスである。これは電��、設���C積、冷却の問��を�k気に解��するべくボックス型のサーバー格納箱である。これで作ったデータセンターを地下に設��して発�昴Xの冷却を効率化することが出来る。

サーバーを構成する主��は半導��である。今や半導��があらゆる電子機�_の主��になりホストコンピュータやPCを��みインターネットの原動��になっている。半導��がなければ、今日のインターネットはなかったものと考えられる。工場などの�攵墇場では照��や動���U御に半導��が相当に使われている。冷暖房も半導��が�U御している。新��(chu┐ng)線の運転席にあるダッシュボード機�_は半導��の�修砲覆辰討い襦�ガソリンで走る乗���Zも原価に��める半導��率は30%を越えている。その内、電気�O動�Zが普及するであろうが、ますます半導��が乗���Zに使われるはずだ。

金�Yで見た半導���噞の成長率を統��がしっかりしている�盜馮焼���工業会（SIA）の�@料で見てみたい。データは世�cの半導��売�峭發任△襦�2000�Qの154億9000万ドルが07�Qでは201億ドルへと�\加し����で30%の�P長であり、さすがに半導��の成長は高いといえる。�k��(sh┫)、この��実は金�Yに関することであり、半導��の数では��じてない。歴史的に半導��デバイスは値�屬�りし�Mいどころか値下がりがあたりまえになっている。

最�Zはあまり使わないが、人々はそれをラーニングカーブと�}んだ。デバイスの�攵盋が倍になれば価格はほぼ70%に下がる、と言うものだ。半導���噞に�Pいてラーニングカーブを達成した原動��は、拡�j(lu┛)ウェーハサイズや�O動化に代表される�攵掚向�屬領�と歩�里泙蠅慮��屬飽踊Tしたコストカット効果だった。インテル創始�vのムーアが発見したムーアの法�Г蓮▲ぅ鵐謄襯献礇僖鵑猟蟇Iで次のように表わされる、「半導��チップに集積されるトランジスタの数は約2�Qごとに倍�\する」。よって、ラーニングカーブの�T在と��せて考えると00�Qから07�Qの8�Qを2で割り4�v転まわるから、�k�v転の倍�\で四�v転、�tち2の4乗で16倍のトランジスタ数の恩�Lを�pけるシナリオである。

したがってこのままでは�a暖化ガスが��(f┫)らない。我々は�cけて通れない�Oに入り込んでしまった。半導��デバイスはこれまでも低消�J電��化を進めてきた。しかし、トランジスタ数がこれほどまでに�\加してきたため、これまでのような低消�J電���\術では間に合わなくなってきている。待機時の消�J電��は微細化と共に�\加する��向にある。ゲートリーク電流が�\加するためだ。動作時の消�J電��はクロック周�S数�\加と共に�\加する。リーク電流に�瓦靴討蓮▲汽薀Ε鵐疋押璽箸覆匹�3次元構�]によりで��(f┫)らす。クロック周�S数の�\加に�瓦靴討魯�ロック周�S数を�屬欧困吠怠`処理プロセッサ��(sh┫)式であるマルチコア�\術により�棺茲垢襦�

昨今、早くも消�J電��の�\�j(lu┛)に気��いてグリーンＩＴを進める動きが下記のＵＲＬなどに出て来たがこのような運動を�Hいに進めるべきであろう。　http://itpro.nikkeibp.co.jp/green_it/index.html
半導��デバイスの低消�J電��化をいっそう進めると共に、冷却�\術にも�Dり組む��要があろう。