シリコン(001)燙ものがたり
海、泣塑の染瞥攣緩度は荒前ながら煎攣步してきた。しかし、かつてはもっと煎かった。それでも絡(luò)柜(勢柜)に末里してきた。1960鉗洛、菠勢のデバイスメ〖カ〖はMOSFETの倡券の呵面で、鹼」の禱窖を頂っていた。煎かった泣塑が末里した毋として、(001)燙のMOSFET禱窖を疽拆しよう。この倡券ではむしろ泣塑が黎片に惟ち、笆慣の染瞥攣緩度鏈攣でトップに惟つことができるようになった。この禱窖は碰箕、勢柜でも緘がついていなかったようだ。
僧莢らは、Japanese Journal of Applied Physicsという菠矢伙に1969鉗に抨蠱した。それはShort Noteで沒い俠矢を罷蹋していた。瑪嘆は、"Effect of the Crystal Orientation upon the Electron Mobility at the Si-SiO2 Interface"∈徊雇獲瘟1∷というものだが、下矢は僧莢の活條では、≈Si-SiO2腸燙に擯ける排灰敗瓢刨の燙數(shù)疤巴賂拉∽となる。その螟莢は、絡(luò)下拍、漣拍、拍面∈笆布鏈て飛疚維∷の息嘆であった。碰箕、紊い拉墻のMOSFETを瀾隴する禱窖が滇められていたので、この鼠桂もその辦茨と咐える。
柒推を詞帽に揭べると、まず帽馮窘シリコンウェ〖ハを5鹼梧の馮窘燙で磊り叫した。そして、それぞれの燙回眶が、(110)、(111)、(112)、 (113)、そして(001)であった。そのウェ〖ハが鏈て高いに疙りなく惰侍できるように、戎規(guī)を燒けて1ロットとして胺い、票辦の麗爵と漣借妄を卉し票じ惜で山燙を煥步した。遂更が2400Ⅱ∈オングストロ〖ム∷と、候海のデバイスと孺べて陵碰に更いのが丹になるが、1969鉗碰箕は舍奶のMOSFETはそのようなものだった。部しろ瑯排撬蟬を彈こしてはならない。
活侯したMOSFETはリングゲ〖ト菇隴であって、これは媽辦甸の兜彩今によった。兜彩今のタイトルは、"Physics and Technology of Semiconductor Devices (1967, John Wiley, New York)"。その螟莢はフェアチャイルド家禱窖甫墊疥疥墓、A. S. Grove。よく夢られているがGroveはその稿インテル家の家墓ˇ柴墓になった客である。リングゲ〖ト菇隴のMOSFETは奶撅の菇隴と佰なり邊灤據(jù)なのでゲ〖トの姜眉の逼讀を減けない。このため、盧年馮蔡がきれいに叫やすい。リングゲ〖ト房のMOSFETは藕燒の哭1にも績したが、そのレイアウトは面丙に邊妨のドレイン橙歡霖を銅し、その攙りをリング覺にゲ〖トが跋む。その嘲婁がソ〖スであり答饒と票排疤にしておく。
哭1 リング菇隴のMOSFETで悸賦 叫諾¨Japanese Journal of Applied Physics
このMOSFETを蝗った排灰敗瓢刨の盧年馮蔡は哭1に績したが、鹼」の妄統(tǒng)で蝗われていた(111)燙で瀾侯したデバイスはその敗瓢刨が話端瓷撾拌の盧年で450 cm2/Vs鎳刨と你かった。それが(001)燙のウェ〖ハを蝗ったデバイスになると、800 cm2/Vs鎳刨になった。もちろん、敗瓢刨は絡(luò)きい數(shù)が攻ましい。だから馮俠は碰臉、MOSFET翁緩瀾隴には(001)燙ウェ〖ハを蝗うべしということになった。哭に績すデ〖タにおいて、盧年馮蔡は漣拍が紛換し、爬俐で績した妄俠猛とうまく辦米した。辦炳の喇蔡は叫たのである。ところが、絡(luò)恃稍蛔的に蛔ったのは、MOSFET翁緩瀾隴禱窖において、1960鉗洛に泣塑と票霹もしくは臂えていた菠勢の甫墊が警なくともこのテ〖マであるウェ〖ハ燙數(shù)疤に簇した喇蔡が辦磊叫てこなかったことだ。
悸はこの俠矢笆漣に玲い檬超で、泣惟瀾侯疥の絡(luò)填、李孟、彭版が票じような肩惠で潑釣叫搓をしていた。その給鼠は潑給炯42-21446で、その叫搓は1964鉗2奉。拒しくは揭べないが、戮にもウェ〖ハ燙數(shù)疤に簇わるMOSFETの甫墊は泣塑のみからであった。この叫搓の潑給炯42-21446は鹼」の瓤灤クレ〖ムを捐り臂えて泣勢で泣惟の涪網(wǎng)になった。鹼」の禍攫に湊み、給夢拉も雇えて僧莢らは潑釣叫搓をしていない。
それからずいぶん箕が沸った2008鉗、SEMI News vol. 24, No. 5に絡(luò)填極咳が懼淡の潑釣叫搓に簇わる趴瑣を今いている。それによると、絡(luò)填は馮窘糯の姬步唯の即巴賂拉について除妄俠を夢っていた。除は澎頌絡(luò)垛擄亨瘟甫墊疥叫咳でその稿、澎絡(luò)另墓にもなった客だ。絡(luò)填は木炊から除妄俠との陵簇を鱗年し、燙回眶を鹼」恃えたMOSダイオ〖ドを侯った。そのC-V潑拉を盧年し、(001)燙ダイオ〖ドの攻潑拉を斧叫し、その浩附拉を拇べた。MOSFETも侯瀾し、(001)燙デバイスの攻い潑拉を澄千し券湯を叫搓した。僧莢と票屯に、(001)燙MOSデバイスの甫墊が勢柜で叫てこなかったその稍蛔的な丹積ちをも絡(luò)填はSEMI Newsに今いている。しかもわざわざRCA家の夢り圭いに使いて澄千をしている。勢柜では紊いデ〖タが叫なかった、とのことだ。
徊雇獲瘟
1. Ref: A. Ohwada, H. Maeda and K. Tanaka: JAPAN. J. APPL. PHYS 8 (1969) 629-630.
