筆�vらは、Japanese Journal of Applied Physicsという欧文誌に1969�Qに投�Mした。それはShort Noteで�](m└i)い�b文を�T味していた。���@は、"Effect of the Crystal Orientation upon the Electron Mobility at the Si-SiO2 Interface"（参考�@料1）というものだが、和文は筆�vの試�lでは、「Si-SiO2�c�Cに�Pける電子�‘暗戮��C��(sh┫)位依�T性」となる。その著�vは、�j(lu┛)和田、�i田、田中（以下��て�w称�S）の連�@であった。当時、良い性�Δ�MOSFETを?y┐n)��]する�\術が求められていたので、この報告もその�k環と言える。

内容を�~単に述べると、まず単�T晶シリコンウェーハを5�|類の�T晶�Cで切り出した。そして、それぞれの�C指数が、(110)、(111)、(112)、 (113)、そして(001)であった。そのウェーハが��て互いに誤りなく区別できるように、番��(gu┤)を��けて1ロットとして扱い、同�kの��浄と�i処理を施し同じ炉で表�Cを�┣修靴拭Ｋ豸�が2400Å（オングストローム）と、昨今のデバイスと比べて相当に厚いのが気になるが、1969�Q当時は普通のMOSFETはそのようなものだった。何しろ��電破�sを��こしてはならない。

試作したMOSFETはリングゲート構�]であって、これは���k級の教科書によった。教科書のタイトルは、"Physics and Technology of Semiconductor Devices (1967, John Wiley, New York)"。その著�vはフェアチャイルド社�\術研�|所所長、A. S. Grove。よく��(m┬ng)られているがGroveはその後インテル社の社長・会長になった人である。リングゲート構�]のMOSFETは通常の構�]と異なり������(j┫)なのでゲートの終端の影�xを�pけない。このため、�R定�T果がきれいに出やすい。リングゲート型のMOSFETは添��の図1にも��(j┤)したが、そのレイアウトは中央に��形のドレイン拡�g層を�~し、その�vりをリング�X(ju└)にゲートが囲む。その外�笋�ソースであり基��と同電位にしておく。

図1　リング構�]のMOSFETで実�x　出�Z：Japanese Journal of Applied Physics

このMOSFETを使った電子�‘暗戮留R定�T果は図1に��(j┤)したが、�|々の理�y(t┓ng)で使われていた(111)�Cで��作したデバイスはその�‘暗戮���(hu┐)極管�覦茲留R定で450 cm2/Vs��度と低かった。それが(001)�Cのウェーハを使ったデバイスになると、800 cm2/Vs��度になった。もちろん、�‘暗戮禄j(lu┛)きい��(sh┫)が好ましい。だから�T�bは当��、MOSFET量�����]には(001)�Cウェーハを使うべしということになった。図に��(j┤)すデータにおいて、�R定�T果は�i田が���Qし、点線で��(j┤)した理�b値とうまく�k致した。�k応の成果は出たのである。ところが、�j(lu┛)変不思議に思ったのは、MOSFET量�����]�\術において、1960�Q代に日本と同等もしくは越えていた欧��(sh━)の研�|が少なくともこのテーマであるウェーハ�C��(sh┫)位に関した成果が�k切出てこなかったことだ。

実はこの�b文以�iに早い段階で、日立��作所の�j(lu┛)野、川地、桃井が同じような主旨で����出願をしていた。その�o報は���o昭42-21446で、その出願は1964�Q2月。詳しくは述べないが、他にもウェーハ�C��(sh┫)位に関わるMOSFETの研�|は日本のみからであった。この出願の���o昭42-21446は�|々の反�乾�レームを乗り越えて日��(sh━)で日立の権�W(w┌ng)になった。�|々の��情に��み、�o��(m┬ng)性も考えて筆�vらは����出願をしていない。

それからずいぶん時が経った2008�Q、SEMI News vol. 24, No. 5に�j(lu┛)野�O身が�峙�の����出願に関わる顛��を書いている。それによると、�j(lu┛)野は�T晶鉄の磁化率の軸依�T性について茅理�bを��(m┬ng)っていた。茅は東���j(lu┛)金�鏈猯糎��|所出身でその後、東�j(lu┛)総長にもなった人だ。�j(lu┛)野は直感から茅理�bとの相関を�[定し、�C指数を�|々変えたMOSダイオードを作った。そのC-V��性を�R定し、(001)�Cダイオードの好��性を見出し、その再現性を調べた。MOSFETも作��し、(001)�Cデバイスの好い��性を確認し発��を出願した。筆�vと同様に、(001)�CMOSデバイスの研�|が��(sh━)国で出てこなかったその不思議な気�eちをも�j(lu┛)野はSEMI Newsに書いている。しかもわざわざRCA社の��(m┬ng)り合いに聞いて確認をしている。��(sh━)国では良いデータが出なかった、とのことだ。

参考�@料
1. Ref: A. Ohwada, H. Maeda and K. Tanaka: JAPAN. J. APPL. PHYS 8 (1969) 629-630.