図　finFETの基本構�]　出�Z：稲��聡著「Advanced FINFET Process Integration Technology for 32nm Node and Beyond" finFET」（参考�@料1）

今や��LSIチップ�屬離肇薀鵐献好真瑤�20億個を越えつつある。�x場の要�个�らすれば、もっと高機�Δ任發辰畔�雑な動作でもっと�W価なチップが��要なのだ。

業�cでは周�瑤里茲Δ�1980�Q代後半からファブレス型の業�vなどがアメリカ等で�\えてきた。彼らはあるセグメントの�x場に��に詳しく、その立場を�W(w┌ng)��して�x場に�pけ入れられそうで、しかもまだ�T在しないチップを�[定し基本設��する。そしてファブレスデザインハウスはファウンドリと�]ち合せ、そのプロセスメニューを��(li│n)び、�峙�のチップの�Qフォトマスクをデザインしワークステーション内のGDS llフォーマットデータとして出��する。このテープがマスクショップに�У襪気譴謄泪好�セットが作られ、マスクはファウンドリに渡る。

�k��(sh┫)、1987�Qにモーリス・チャン��はTSMCを創業、ファブレス企業にとって好都合のファウンドリが�擇泙譴拭�ファウンドリはファブレス��のマスクを�uてチップを試作することが可�Δ砲覆辰拭�こうしてファブレス企業が試作ウェーハを入�}できる環境が1980�Q代後半から�D�△気譴討い拭�ファブレス企業はウェーハをテストし良��が採れれば試作デザインが成功したことを祝うが、さもなければエラー�霾�を再設��しなければならない。設��し直したテープから改�･泪好�を調達し、再びファウンドリに試作させ改�･ΕА璽呂鯑��}し再びテストする。ファブレス企業はこのサイクルを繰り返した後、良好なマスクとウェーハが再現性良く連��して���]できる�X��に進む。ファブレス企業にとって開発チップの売�屬���てだ。売�屬�膨�j(lu┛)であれば�W(w┌ng)益も膨�j(lu┛)だ。こうしてファブレス企業とファウンドリ企業は「�eちつ�eたれつ」で互いに�\け合い共に発�tしてきた。

さて本��に入ろう。ファンドリのビジネスモデルに、今果たして何が��きているのだろうか？7月の報�O(http://eetimes.jp/ee/articles/1207/05/news040.html)によると、ファブレス半導��ベンダーであるQualcommはTSMCからの納入が未達で困惑している。この時点では28nmノードの歩�里泙蠅呂泙昔匹�なっていない。もし、歩�里泙蠅�高ければ納入の未達が発�擇靴覆い里�半導��業�cの常だ。もちろん、28nmのノードになるとウェーハ�屬縫僖拭璽鵑�あって凹��も加味されるとそのリソグラフィとエッチングなどの加工は限�cに�Zい。3次元のfinFETにおいては���]経�xが浅いこともあって、高い歩�里泙蠅倭蠹�に�Mしい。デザインハウスが�Q社�Q様に微��に違うレイアウトを�eち込むことも考えると、ファンドリが高い歩�里泙蠅冒瓩ぅ蕁璽縫鵐哀�ーブで到達することは至�Mだ。こうして��きた動きはファンドリの仮�[IDM化だと言う。IDMとは、Integrated Device Manufacturerのことであって東��やインテルなど�H数の会社が成功している半導����業モデルである。IDMは新����を企画し設��し、設��データからフォトマスクを入�}し、�O社保�~のファブにて���]し、完成��を顧客に納入する。仮�[IDMの�X況は下記だ。

LaPedus��が電子メディアSemiconductor Manufacturing & Designに報告した内容では、(http://semimd.com/blog/2012/07/31/firms-rethink-fabless-foundry-model/)ファウンドリはファブレスの設��チームとより密接な協業（コラボレーション）をすることが��要だ。設��チームはファブの�Zくに常駐し、���]問��が出たら直ちに��けつけなければならない。さもなければFirst Siliconは�uられない。TSMCが��画する仮�[IDMとは、LaPedus報告によれば�_要顧客別の個別ファブを作ることだという。グローバルファウンドリーズ社で考えているのは、ファブ内に作る専��モジュールだ。そしてIBMから20nmのfinFET�\術を供与されたUMCは、新たに開始するファブ投�@の10%分の�@本を提出するように顧客に�}び�Xけている。��星グループのファンドリである��星電子はアップル����に向けたチップの専��ファブを作った。

Qualcommは�Jに述べたように機会��失が発�擇靴督┐蠅燭里�、�O社ファブを建設してより良い���]コントロールをするべく検討している、とLaPedus��は述べている。果たしてできるのか？報�OによればVLSI Research社のHutcheson��は「Qualcommの売�崋太咾覆蕕修虜睥�は�eっている」としているが、「ファブレスがファブを建設して運��して成功するチャンスは高くない」と述べている。リスクは�j(lu┛)きく�J��もビリオンドルの世�cだ。�tち$15B〜$25Bの投�@が��要だ。そしてファブ運��の経�xを�eたないQualcommにはファブ��業は�j(lu┛)きなリスクになる。それでも挑戦するのだろうか？Qualcommにとって�椶泙靴い里蓮▲魁璽疋諭璽�Snapdragon（スナップドラゴン）のようなスマホ向けのチップでトップにある納入責任を果たさなくてはならないことだ。

半導�����]の�Mしさは歩�里泙蠅良��W定さであって、筆�vの経�xでは突��に歩�里泙蠅�改��することもある。ただ、歩�里泙蠅麓，糧�細なノードになると、再び下がる��向にある。最�Z、28nmの例で歩�硫���したとの報告もあるようだが、この次は22nm/20nmである。これほど微細化が進むと、��LSI���]の�Mしさはさらに�\すだろう。

コラボレーションが��要なファブレスとファウンドリが陥りやすいのは�e割の弊害だ。常駐するといっても別会社なら命令�U統は別だし限�cがある。先端ファウンドリの�Z未来はどうなるのか�`が�`せない。

参考�@料
1. Advanced FINFET Process Integration Technology for 32nm Node and Beyond" finFET、稲��聡��、