Update：最先端微細化を��う動き …3D NAND、FD-SOI、�Q社戦�S
最先端の微細化を巡る動きの�]ち�屬欧�引き��き�`についている。3次元(3D)�\術を�~使した3D NANDフラッシュメモリに向けたサムスン電子および東��の新工場の�n働および建設��画がそれぞれ発表されている。次に、STマイクロが主導するFD-SOI(fully depleted silicon on insulator)プロセス�\術をサムスン電子にライセンス供与してファウンドリーサービスを�t開するとし、��に欧�θ焼���業�cでの期待感が見られている。ほか、20-nm��から10-nm��を窺う�Q社の�Dり組み、��防の現時点アップデートである。
≪まさに鍔��り合い≫
サムスン電子の中国・���W工場は3D NANDに��化するとし、24層�_ね合わせる�Dり組み、�攵牸�里泙蠅硫檪�など昨�Q来�R�`する動きが��いていたが、この新工場の�n働が次の通り発表されている。
◇サムスン、中国工場�n働、最新3D�\術で半導�� (5月10日��け 日経)
→�f国サムスン電子が9日、中国陝�ｾ遍��Wで半導��の新工場が�n働したと発表、最先端の3次元(3D)�\術を使い、サーバなどに使うNAND型フラッシュメモリを作る旨。IT機�_(d│)の�攵喤点が集積している中国で基��(chu┐ng)����である半導��を機動的に供給できる���Uを�Dえ、東��など��合に�瓦垢謐�争��を高める旨。���W工場は��べ�o�C積23万平��(sh┫)メートルで敷地は114万平��(sh┫)メートル、2012�Q9月に��工した旨。
先行するサムスン電子を�{って、東��がパートナーのSanDiskと3D NANDに通じる�\術�t開を発表している。
◇3D NAND Transition: 15nm Process Technology Takes Shape-Toshiba, SanDisk prep 15nm process on path to 3D NAND flash (5月13日��け EE Times)
→3D NANDが経済的に理にかなうのは少なくとも2015�Q以�Tの様相のなか、SanDiskとフラッシュファウンドリーパートナー、東��がともに最�Z、NANDフラッシュを作る15-nmプロセス�\術を発表の旨。SanDiskの1Z-nm�\術を2-bit-per-cellおよび3-bit-per-cellの両��(sh┫)のNANDフラッシュメモリアーキテクチャーに適��、2014�Q後半に�攵癉ち�屬桶�始予定の旨。該15-nm�\術は半導��を両軸で縮小、removableカードからenterprise SSDsまで広�J(r┬n)囲のSanDisk offeringsにわたって��いられる旨。
それに向けて���_県四日�x�xでの新工場の建設が次の通り�]ち�屬欧蕕�、16倍の記憶容量が照��となっている。
◇Toshiba to demolish, then replace fab for 3-D Flash (5月14日��け Electronics Weekly)
→東��が、���_県のNANDフラッシュメモリ工場、Yokkaichi OperationsでのNo. 2半導��fab拠点を�Dり�sして、同じ場所に新しいfabを建設する旨。
◇東��、メモリ容量16倍に、�歇劼蛤能j(lu┛)5000億��投�@ −スマホ向け量�� (5月14日��け 日経 電子版)
→東��はデジタル機�_(d│)に保�T可�Δ淵如璽仁未鮟j(lu┛)幅に�\やす新型半導��メモリを2016�Qから量��する旨。メモリカード世�c最�j(lu┛)�}の�櫂汽鵐妊�スクと共同で���_県の半導��工場に新棟を建設、投�@�Yは最�j(lu┛)約5�h億��、記憶容量を現在の約16倍に高める旨。高画��の動画映�気鬟好沺璽肇侫�ンで�}軽に楽しめるようになる旨。量��するのは薄膜�Xの記憶素子を�H数積み�_ねて�j(lu┛)容量化を実現する3次元フラッシュメモリの旨。
◇東��、���_・四日�xに新工場棟−立��構�]NAND型フラッシュメモリ量��へ (5月15日��け 日刊工業)
→東��が14日、半導����業の主��拠点である四日�x工場(���_県四日�x�x)に新棟を建設すると発表、投�@�Yは合��5000億����模とみられる旨。��数チップを積み�_ねて記憶容量を高める立��構�]の記憶素子(NAND型フラッシュメモリ)を2015�Q度に量��する旨。�v路の微細化は限�cに�Zづいており、��(j┤ng)来の�j(lu┛)容量化の切り札として、3D�\術が�T在感を高めていた旨。
◇メモリ��争、次の次元へ、東��、容量16倍の「3次元」量��、シェア奪�Dの成否�曚� (5月15日��け 日経�噞)
次に、FD-SOI(fully depleted silicon on insulator)�\術プロセスをSTマイクロがサムスン電子にライセンス供与すると、以下の�t開で発表されている。
◇Samsung & ST Team Up on 28nm FD-SOI (5月14日��け EE Times)
→28-nmノードを先��ばし、低電��、low-margin wearablesおよびスマートフォン�x場を引きつけようとする動き、STMicroelectronicsが、Samsungと28-nm FD-SOI(fully depleted silicon on insulator)プロセスで連携している旨��水曜14日に発表された該合�Tのもと、SamsungはSTから28-nm FD-SOI設��プラットフォームのライセンス供与を�pけ、ファウンドリーサービスを広�J(r┬n)な半導��業�cに向けて効果的に開いていく旨。さらに、2つのfabsがコンパチ設��プロセスの維�eに合�Tしている旨。
◇STMicro Extends Samsung Outsourcing Deal for Low-Power Chips-Samsung licenses FD-SOI process from ST (5月15日��け Bloomberg)
→Samsungは、ST�\術に成るFD-SOI半導�����]を2015�Q�i半には行える旨。
欧�Δ糧焼���業�cを�j(lu┛)いに��性化するものと、また、SOIウェーハサプライヤ、Soitecから、それぞれ��迎する早�]の反応が見られている。
◇Europe's chip opportunity-Viewpoint: ST-Samsung deal highlights Europe's chip strengths (5月16日��け Electronics Weekly (U.K.))
→fully-depleted silicon-on-insulator(FD-SOI)�\術をファウンドリーサービス供給に��いるというSTMicroelectronicsのSamsung ElectronicsへのFD-SOIプロセス�\術ライセンス供与は、半導��における欧�Δ里△辰僂譴箆��iを認識させるものである旨。STとSamsungがconsumer, networkingおよびモバイルOEMsからFD-SOI半導����要を作り出して、欧�Δ砲修譴蕕鮑遒�FD-SOI megafabを建設するとなると、欧�Δ糧焼���業�cが再び��争に走り出ることになる旨。
◇FD-SOI is at “tipping point”, says Soitec-Soitec: The time is now for FD-SOI technology (5月16日��け Electronics Weekly (U.K.))
→SOIウェーハサプライヤ、Soitecのchief operating officer(COO)、Paul Boudre��。STMicroelectronicsとSamsung Electronicsの間のfully-depleted silicon-on-insulator(FD-SOI) licensingは、SOI�\術が�T�I深く認められたことを表わしている旨。
他にも、�Q社の最先端を巡る戦�S的な動きが以下の通りである。まずは、TSMCの20-nmプロセスで作るXilinxのFPGAs����の�Dり組みである。
◇Xilinx ships 20nm FPGAs-Xilinx ships FPGAs made by TSMC with a 20nm process (5月13日��け Electronics Weekly (U.K.))
→Xilinxが、同社初の20-nm����、Virtex UltraScale VU095 FPGAsを出荷、TSMCの20-nmプロセスで作られる該半導��は以下を供する旨。
＊3-D stackingを��いる最�j(lu┛)4.4 millionロジックセル
＊chip-to-chip, chip-to-optics, および28G backplanesに向けた32.75 Gb/s transceivers
＊multiple integrated 100G Ethernet
＊150G Interlakenコア
同じ20-nmプロセスについて、Qualcommがファウンドリービジネス発�RをTSMCからサムスン電子あるいはGlobalfoundriesに�，靴討い���画と、�據垢靴��莟Rが流れている。
◇Qualcomm plans to shift 20nm orders from TSMC to Samsung or Globalfoundries, say sources-Sources: Qualcomm will move 20nm chip orders from TSMC (5月13日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。Qualcommが、20-nmプロセス発�RをTSMCからSamsung ElectronicsあるいはGlobalfoundriesに�，梗�画の旨。Qualcommの動きは、TSMCが2014�Q��二四半期に先端20-nmプロセス・ベースAppleのA8プロセッサ量��を開始、�Hくの科学�\術リソースをこの�攵�に割り当ててAppleに味��(sh┫)していることからきており、現在のTSMCの最�j(lu┛)clientたるQualcommを狼�笋気擦討い觧�。しかしながら、TSMCはこの記��を否定している旨。
いずれにせよ鍔��り合いの様相がこれでも�霾�的な見��(sh┫)ではあるが進んでおり、サムスン電子とTSMCのそれこそ先の先端の�Dり組みが次の通りである。
◇TSMC, Samsung competing to roll out more advanced processes (5月15日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。TSMCとSamsung Electronicsが、さらに先端のプロセスの�x場化で��っており、TSMCは同社16-nm FinFET Plusプロセスを推進、Samsungは同社先端14-nm LPP(low power plus)プロセスを推し進める��画の旨。
≪�x場実��PickUp≫
【���k四半期半導��販売高ランキング】
史�嶌嚢發魑��{した2014�Q���k四半期の世�c半導��販売高が発表されたばかりであるが、引き��いてサプライヤ販売高ランキングが次の通り表わされている。トップ4がそれぞれ異なるビジネスモデルと、改めての�R�`である。
◇MediaTek, SK Hynix, AMD, and Micron Sales Surge in 1Q14!-Top 20 ranking shows that semiconductor industry company consolidation continues to accelerate. (5月14日��け IC Insights)
→今月後半にIC InsightsのMay Update to The 2014 McClean Reportで��される2014�Q���k四半期半導��サプライヤ販売高ランキング・トップ25について次の通り：
＊トップ20社の本社の国・地域別
…�盜顱�9社、��湾 3社、欧�Α�3社、�f国 2社、日本 2社、シンガポール 1社
＊トップ20社の中に、専業ファウンドリー3社(TSMC, GlobalFoundries, およびUMC)およびファブレスメーカー6社
＊トップ4社がそれぞれ異なるビジネスモデル
Intel …専業IDM
Samsung …�貭湘�合ICサプライヤ
TSMC …専業ファウンドリー
Qualcomm …ファブレスメーカー
【DRAM�x場関連】
���k四半期をDRAM�x場で見ると、SK HynixがMicronを�犧垢��sいて��2位に戻している。また、当�CのDRAM価格がフラットか、�爐�に�屬�る見込みが出されている。
◇DRAM contract quotes to remain stable or hike slightly in May (5月14日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。ピーク時でない���I要因にも拘らず、DRAM半導��の契約価格見積もりが、�x場での供給が締まって�W定なままか、5月に�爐�に�屬�る見込みの旨。
◇(LEAD) SK hynix No. 2 DRAM maker in Q1, overtakes Micron-Data: SK Hynix regains second place in DRAM market (5月14日��け Yonhap News Agency (South Korea))
→DRAMeXchange発。中国のウェーハ拠点での2013�Q���uでSamsung ElectronicsおよびMicron Technologyに��くDRAM�x場��3位になっていたSK Hynixが、���k四半期はMicronを��?j┼n)vっている旨。���k四半期の世�cDRAM�x場シェアは、SK Hynixが28.2%、Micronは�Z接した28.0%であった旨。
【インド2014�Q戦�S�\術】
インドのエレクトロニクス業�cメーカーにとっての本�Q、2014�Qの戦�S的�\術テーマが、次の通り表わされている。グローバルにも通じるアイテムが並ぶ感じ��(sh┫)である。
◇Cloud, BI among top 10 tech trends in India (5月13日��け EE Times India)
→Gartner社発。2014�Qのインドのメーカーにとっての戦�S的な�\術の流れ、トップ10以下の通り：
Business Intelligence(BI) and Analytics
Mobility solutions
Cloud computing
Social media and Computing
Machine to Machine(M2M)
Hosted virtual desktop(HVD)
Personal cloud
Internet of Things(IoT)
Collaboration technologies
3D printing
【interconnect材料変化】
先端interconnectが半導���霾�要素の中で性��、信頼性など維�eが困�Mという問���T識があるなか、Applied Materials社が15�Q以�屬屬蟶能j(lu┛)の材料の変革としてcobaltの導入を発表、以下の�Q�L反応が見られている。
◇Cobalt Encapsulation Extends Copper to 10nm-Applied Materials clads copper interconnect in cobalt (5月13日��け EE Times)
◇Applied Materials introduces the biggest materials change to interconnect technology in 15 years (5月13日��け ELECTROIQ)
→Applied Materials社が本日、Applied Endura Volta CVD Cobaltシステムを発表、�@確で薄いcobalt膜をデポ、28-nmノードより先のロジック半導��におけるcopper interconnectsが行える唯�kのツールである旨。2つのenablingアプリ, conformal cobalt linerおよび��(li│n)�I性cobalt capping layerにより、copper linesが完��に囲い込まれ、信頼性が�k桁改��される旨。優れたmetal encapsulation膜としてのcobaltの導入は、ここ15�Q以�屬悩任盻j(lu┛)きなinterconnectへの材料変化となる旨。
◇Cobalt Is the Key to Future Chips, Applied Material Says (5月13日��け The Wall Street Journal)
◇Cobalt Could Help Ease Chip Wiring Woes (5月14日��け IEEE Spectrum)
◇New Materials Era In Advanced Interconnects (5月15日��け Semiconductor Engineering)
→interconnectの性�Δ�よび信頼性をそれぞれ新しいプロセスノードで維�eすることがますます困�Mになってきており、何かが変わらなければならない旨。
◇New materials and processes for advanced interconnects (5月16日��け ELECTROIQ)
→on-chip interconnectsは半導��の他の�霾�と同じ早さで縮小していないが、grapheneおよびCNTsなど材料が可�Δ砲垢訖靴靴�capabilitiesがまもなくそれを変える可��性の旨。
【サッカーワールドカップ】
いよいよ6月12日キックオフを�呂┐�、サッカーワールドカップの日本代表の顔ぶれが先週発表されたが、現地ブラジルでのエレクトロニクス関係の�△┐林X況が以下の通り表わされている。
◇Will Goal-Line Technology Change World Cup? (5月12日��け EE Times)
→来る6月12日キックオフのサッカーワールドカップ・ブラジル�j(lu┛)会は、少なくとも�\術の使��に関する限り�_要な進�tが見られる旨。サッカーの国際機関、FIFAが初めてのこと、goal-line technology(GLT)の使��を�pけ入れ、間違ったゴールで��められる�_�j(lu┛)なゲームの�T��というのはなくなるはずの旨。
◇World Cup Drives 4G, Infrastructure Issues (5月14日��け EE Times)
→世�c中のサッカーファンが、来る6月12日、ブラジルに�R�`、少なくとも370万人の人々が押しかけてくる旨。モバイルwebに乗っかれるよう新しいネットワークス運��の��争が��いているが、その�T果はいまだ確かでない旨。���陲�64試合が12都�xで行われ、12のスタジアムのうち6つが、依��WiFiおよび4Gネットワークtestingを�pけており、2つがまだ建設中の旨。
余分のモバイルtrafficを�pけ入れるようにする�k環として、ブラジルのテレコム���Uagency, Anatelは、50万人以�嶷Qえる主��都�xについて2014�Q5月31日までにuniversal 4G coverageのサポートを�I��づけており、この期限を守れないキャリアはlicensesを失う旨。
【�f国発グローバルデータ】
直接業�c関係の内容ではないが、�f国より発信されたグローバルデータのアップデート版に�R�`、以下の通りである。�f国、そして�f国語のランク順位�峺�が当��ながら�喞瓦気譴討い襪�、我が国はさてという現時点である。
◇�f国1人あたりGDPが世�c33位、日本は24位(5月12日��け �f国・中央日報)
→企画財���陲�12日入�}した国際通貨基金(IMF)の世�c経済�t望�@料。昨�Qの�f国1人あたりの国内総�攵�(GDP)は世�c33位で、5�Q�iより8ランク�峺�した旨。順位データ�s粋：
1位 ルクセンブルク 11万423ドル
2位 ノルウェー 10万318ドル
3位 カタール 10万260ドル
4位 スイス 8万1323ドル
9位 �盜� 5万310ドル
18位 ドイツ 4万4999ドル
24位 日本 3万8491ドル
33位 �f国 2万4329ドル
◇�f国語の使���v数、世�c18位から13位に��?j┼n)?sh┫)�T�� (5月14日��け �f国・中央日報)
→世�c�Q国の言語の中で、�f国語の使���v数がこれまでの18位から13位に��?j┼n)?sh┫)�T��された旨。言語情報提供サイト、エスノローグによる今�Q4月30日現在の使���vが最も�Hい言語は次の順：
中国語 11億9700万人
スペイン語 4憶1400万人
英語 3億3500万人
ヒンディー語 2億6000万人
アラビア語 2億3700万人
≪グローバル雑学?f┫)棔?06≫
�i�vに��いて、昭和16�Q(1941�Q)の�諒人粒�戦に至るまで、アメリカを�盥颪箸靴胴佑┐燭海箸呂覆�、石��はアメリカから�Aえばよい、としていたところで関係の�K循環が高まっていって、�`戦に至る�壻�を、
『国家とエネルギーと戦争』
(渡�陝仝��k 著：祥伝社新書) …2014�Q3月10日 初版��1刷発行
より、見ていく。あのときこうであったら、と引き��き表わされているが、石��の確保が如何に雌�dを��したか、この後��く著�vの�嗄�なメッセージのプロローグと�pけ�Vめている。
��二章 �諒人寮鐐茲蓮△覆柴�本が�`れたのか �、禪紜�
□�Z代史の�p�顱宗宗����霆j(lu┛)臣現役��官�U
・ところがちょうどそのころ、統��権�J�疚筱�というものが表に
�、����E憲法を引っ張り出して�唹�に無理矢理���E問��化
�、��p口�d�m��相は東�B駅でピストルで撃たれ、いろいろ�_なって��調をこわし、亡くなる
�、�堂々と反��(q┗)した時の��相が狙撃され、もう冷��な議�bができなくなる
・現役の��人しか�j(lu┛)臣に��けないという���霆j(lu┛)臣現役��官�Uを広田弘��(d─n)内�Vが復��
→陸��の統�U派が日本という国を統�Uしていた
→内�Vのほうが陸��にどんどん引っ張られてしまう
・アメリカのルーズベルトがスターリンと仲が�Kくないという、�j(lu┛)変なことが��こってしまった
�、�国��省の役人の何��人という人が、コミンテルンの要�^およびその周辺人�颪箸里海�
・アメリカが日本に「�j(lu┛)陸の作戦はけしからん」と言って圧��
→���E以来、�k度も空�[したこともない、アメリカという仮�[�盥颪�出てきた
□こうしてアメリカは、日本の弱点を衝いてきた
・��那��?zh┳n)僂�始まっ�?�Q�`、1939�Q、小�����領r以来の日�歡名��跚L条約の破棄をアメリカが通告
・同じ1939�Qの12月、「モラル・エンバーゴ」と称する「�O�I的輸出禁�V令」の発動
→アメリカの�豢���ガソリンの���]設��、���]権を�監�輸出させない
�、�その理�y(t┓ng)は、日本が無差別爆撃を中国�j(lu┛)陸で行っているといったことがアメリカで言い出され始めた
・��那��?zh┳n)僂��?�Q後の1940�Q、日�歡名��跚L条約が�T��期間1�Qを残して失効
→6月には���zな工作機械も輸出させない��定
→工作機械は、当時の日本の弱み
・要するにアメリカは飛行機に狙いを定めて締め�屬欧討�た
�、�8月には�豢�機�\料の�ﾈ承絨奮阿悗陵⊇亢慵V(イギリス以外には売らない)
・1941�Q(昭和16�Q)6月、石��の輸出��可�Uを実施、7月にはついに日本の在�櫟@��を凍�T
→8月には、石��はもう����売らないとなった
→当時日本の石��の�L外依�T度は92%
・石��が不�Wになったから、南��(sh┫)進出の�唸��b�vが戦争推進に�j(lu┛)きく舵
→アメリカを硬化させ、�K循環が始まる
□もし、高橋是�{(l│n)が�擇���びていたら・・・
・高橋是�{(l│n)という人
�、�日露戦争のときアメリカのユダヤ人とのパイプを作って戦�J調達
→二・二六���Pで��され、ユダヤ世�cとの�k番�里ぅ僖ぅ廚�消えてしまった
・もし�諒人寮鐐茲��iに高橋是�{(l│n)がいれば、石��問��だって何とか�Bをつけられたと思う
・石��さえ売ってもらえれば、日本は戦争をする気などまったくない
→陸��は、アメリカと戦争をする気ははなから����ない
□ハワイ・真�A湾��撃の致命的失�`
・いまはよくわかる当時の��情
�、�ルーズベルトはソ連と通じていた
・アメリカ�監�輸出禁�Vは、じわじわと石��および石��を�@��する石��関連から
→蘭印から石��を�Aおうとして最初の石��交渉
�、�商工省から依頼された財�c人の小林�k��
→�T局、合�Tには至らず
・これで日本はどうするのかと思ったら、真�A湾��撃の12月8日に
・真�A湾��撃では�`を�k隻も沈めないで帰ったということ
�、�古い����中心思�[が連合����にはあった
・あのとき�_��タンクを爆撃されていたら、�諒人里任枠障Q、アメリカの�`は動けなかった
…アメリカ�諒人梁���司令長官のニミッツ提�Hの�v顧�{
・何も戦��や�~�d��を沈める��要はなかった
�、�石��タンクだけ爆撃すればよかった
□日�櫃楼�き分けにまで�eっていけたかもしれない
・そうしたらどうなったか
�、��諒人寮鐐茲魯▲瓮螢�とのドローンゲーム(引き分け)になったと思う
・世�c的な司�[遼�領rみたいな�T在、ハーマン・ウォーク
�、�世�c中の人は、彼の本で��二次�j(lu┛)戦を�瑤辰�
→ミッドウェイでやられていたらドローンゲームだったろうという推定
・我々は、日本の�`戦が�Zくなったころに、やっとアメリカ�L��の��に驚いた
・真�A湾で片をつけるよりしようがなく、「とにかく石��タンクを最初に�Hせ」とはっきり言っていたら以後の戦局はどうなっていたか
