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ちょうど、��田���R先端��財団で職�^間のSkype Meetingを始めた時期でもあり、端��での設定に四�Z八�Zしていたので、半信半疑であったが、Zoomを使うウェビナー（Webinar）を聴講し始めて、�氾���の言う�T味がよく理解できた。

以下にまずはAIに関する分野に�ZいIEEE東�B���陲離ΕД咼福爾�2��と、IEEE EDS (Electron Device Society) ウェビナーを2����聴したので、その印��をまとめてみたい。�i報(参考�@料1)で��来予�Rをまとめたので、先ずはその分野からと思ったからである。またこのブログは学会報告ではないので、学術的な詳細については、雰囲気を�瑤辰督困�ためだけの最小限に�里瓠⊆腓縫ΕД咼福���聴の�T果�pけた筆�vの印��と、ウェビナー��聴の�R�T点を中心にまとめる。

2.IEEE東�B���陲旅岷蕾�（参考�@料3）

2.1　「顔認証とAIの最�i線」（参考�@料4）2020�Q7月27日（月） 15:00〜17:00

まず�}始めにIEEE東�B���陲旅岷蕾颪���聴して味を��めた。Zoomは設定が�~単で、しかも居ながらにして会場出席�vの気分になれる。

講師はNECフェローの今�K �n��である。��確さを記すため参考�@料4の文章を引��すると「NECの顔認証は�盜餽駑��Y���\術研�|所により実施された�h価プログラムにおいて5�vトップを�耀uし、����は世�c70ヵ国で採��されている」ので、この講演では「顔認証における最新トピックを紹介する」という背景と講演�`的の説��がなされた。

講演を��聴し、1) 顔認証は次元の縮小に主成分分析法を�H��していること、2) 本人と�瑤討い襪�実は他人である場合、その違いを最�j限に誇張して機械学�{を行う、そして3) セキュリティ確保のため、��徴量を秘匿化してリスクを最小にする、などの�o�\術は、専門が少し異なる筆�vには、なるほどそうかと思う新�zな��見であった。この分野の専門家には当��なのかもしれないが、あらためてそう言われると、そうだったのかとうなずいてしまう。
　
最�Z、��（とみ）に人の�@�iと顔が�k致しない、会っても�@�iが思い出せないということが�Hくなっている身には、もしカメラ��き端��を使って瞬時に相�}の�@�iなどの情報が出てくるデバイスが�}元にあれば、便�Wだろうと思った。�I��、�Oで会って���Bをしている相�}がこちらを�瑤辰討い董△海舛蕕�相�}を失念している場合が、最も始��が�Kい。そのような小さなデバイスがあれば、もう会�Bをしながら相�}に悟られないように「誰だったろう、誰？誰？」と、�Z�椶垢襪海箸發覆�なるだろう。

2.2　「シリコン単電子デバイスを��いた極限エレクトロニス」（参考�@料5） 8月28日(金) 15:00〜17:00

これはNTT�饑�科学基礎研�|所�崟���別研�|�^でIEEEフェローの藤原聡 ��の講演である。藤原��は長�Q単電子デバイスの研�|をされており、その功績で2018�QにIEEEよりフェローの称�､��pけられた。

ここでも間違いを�cけるため、参考�@料5の文章を引��させて頂くと、藤原��の講演内容は「シリコン単電子デバイスは、電子1個1個の��確な操作や検出を可�Δ箸垢襪發里任△蝓⇔婿凖典ずY��、高感度センサ、量子ビットへの応��が期待されている。本講演では、量子���R��角形の完成を�`指した電流�Y��応��、マクスウェルの�K魔の実証実�x、��高�]単電子コヒーレント振動の�莟Rなど最�Zの研�|の進捗を紹介する」ものであった。

単電子トランジスタはクーロンブロッケード（参考�@料6）の最も良い例として説��されている。講演では、電子を1個ずつ個別に�Dり出したり、送り出したりする操作ができるという基礎的な解説から入り、それを��いて現在はSI単位�Uの電流の定�Iが改�､気譟�電流�Y��として採��された（参考�@料7）との説��がなされた。これは藤原��にとって�jきな喜びになったとのことである。

また電子を1個1個送るといわゆるMaxwellの�K魔（参考�@料8）が実証できるのではないかという�Bもあった。��にまた、サブテラヘルツ�覦茲覇虻遒垢訶纏�1個の量子的な挙動に関して、量子的な��高�]コヒーレント振動の�荵，亡悗垢訐���がなされた。これはNTTより�Jにニュースリリースされている（参考�@料9）。そこでもいろいろな応��が提��されているので、もし興味があれば、詳細は参考�@料9などをご覧頂きたい。

講演会では最後の��問に「ノーベル賞を仮定した場合、何が達成されたら�b与されるとお考えか」という��問が出た。講師は笑いながら「量子���R��角形（参考�@料10）ができれば」との返��であったが、ぜひノーベル賞を�`指して頑張って頂きたいと思った。

3.IEEE EDS ウェビナー

3.1「Materials and Device Technologies for Quantum Information Sciences」, 5 August 2020, 11 AM - 12 PM (日本時間2020�Q8月6日0:00-01:00）

講師はペンシルバニア�j学電気・システム工学�鞳\教（Assistant Professor in Department of Electrical and Systems Engineering at the University of Pennsylvania (Penn)）のDeep Jariwala先�據併温憂@料11）である。���@の通り量子情報通信に使われる材料とデバイスに関する講�Iであった。

まず量子情報通信の基礎的解説がなされ、1989�QのH. DehmeltとW.Paul（参考�@料12）、そして2012�QのS. HarocheとD. J. Winelandのノーベル�駘�学賞�p賞（参考�@料13）が、量子情報通信スタートの歴史的な�\術背景であるとの説��があった。

��いて量子情報通信�\術や量子コンピュータ�\術の基礎は量子ビット（Qubit）（参考�@料14）であるとして、量子もつれによる量子ビット（entangled qubits）の��念説��が、ブロッホ球（Bloch Sphere)（参考�@料15）を使ってなされた。量子ビットを実現する�}法としてはいろいろ�瑤蕕譴討い襪�、ここでは主としてイオントラップによる量子ビット（Trapped Ion Qubits）と��電導による量子ビット（Superconducting Qubits）について、それぞれの長所�]所を比較している。

今後の発�tのためには�]所の�ﾀKが�_要なので、そこだけ�j��ぎで書きとった。�i�vの�]所は、レーザー光を使うためスケーリングが困�Mなことと、ゲートのスピードが��いことを�屬欧討い襦８綰vはゲート接��に限�cがある（limited gate connectivity）点と、コヒーレンス時間が�]い、そして極低�aが��要であることを指�~していた。

2000�Qから2015�Qにかけてこのコヒーレンス時間（coherence time）が指数関数的に�Q々�Pびており、そこにもムーアの法�Г�成り立っている。このことは、筆�vは不���咾��瑤蕕覆�ったが、�瑤訖佑��瑤襪如�Google の画�妓〆�でcoherence timeとMoore’s lawを入��すると、講演に使われた図�C（参考�@料16）がすぐ検索できる。

材料としてはSi/SiGe�U、GaAs/AlGaAs�U、そしてトンネル絶縁膜ではAl2O3 など、我々半導��専門分野でも�R��みの材料が登場した。最後にIntel 、IBM、Googleなどで行われている研�|の現�Xと��来予�Rがなされていた。いずれもウェブから容易に情報が�uられるので、ここでは省�Sする。

このウェビナーを�擇���聴する場合は、時差の関係で日本では真�話罎砲覆襦��{音したものでもよければ後日IEEE EDSのアーカイブで�o開（参考�@料17）されており、しかも講�I当日にはなかった�C幕まであるので、英語が母国語でない身には至れり尽くせりである。

3.2 「Introducing Layered Dielectrics in solid-state microelectronic devices」、19 August 2020　 11 AM - 12 N (EDT - New Jersey) (日本時間2020�Q8月20日0.00-01:00)

講師は中国Soochow�j学（Soochow University）（参考�@料18）の Mario Lanza教�bである（参考�@料19）。このウェビナーは�盜颪�ら発信されたが、これも講演1週間後にEDSアーカイブ（参考�@料20）に�{画が�o開されている。

内容は���@のように2次元デバイスに使われる誘電��層に関するものであった。もちろん、そこには絶縁層として使われる場合も含まれている。2次元デバイスに関しては�Jにこのブログでも報告（参考�@料21）している。この2次元デバイスの草分け時代には、���]�\術で分子線エピ（MBE）や原子層�\積（ALD）で日本人の貢献（参考�@料22）も�jであったし、Si単�k層のシリセンに関して先鞭をつけたのも日本人である（参考�@料23）。筆�vの拙い講�Iの�@料で恐縮であるが、図1のようにその後、中国�Uの科学�v達の��躍が�`覚ましく、�Hくの材料が研�|された（参考�@料24）。

図1　中国における二次元デバイスの研�|（参考�@料24）

図1でも誘電��、あるいは絶縁層として六�犠��U窒化ボロン（h-BN）（参考�@料25）の例が��されている。このウェビナーでは主に講師のグループで行われたh-BNの研�|成果が報告された。

2次元材料では�k般にin-planeでは共�~�T合であり、out-of-planeではvan der Waals��が働いていて、動作解析は複雑である。この�|の材料をデバイスに使う場合は、良好な�X伝導率と高い絶縁耐圧（dielectric strength）が求められる。しかし�k般に使��されるhigh-k材料は、他の2次元材料との�c�C��性が良くない。

そこで講師は、バンドギャップが5.9eV、機械的な�咾気�500N/m、�X伝導率600W/mK、そして1500°Cまで耐えられるh-BNに�R�`して研�|を進めている。この講演では、機械的な劈開法（mechanical exfoliation）、Cu�屬�CVDで成膜する�桔　△修靴鍋]相中の劈開（liquid-phase exfoliation）法で作った3�|の試料で��性�h価を行っている。詳細は省�Sするが、�峙�で課��として指�~した�c�Cをランダムテレグラフノイズ��性で調べた�T果と、��に電極間の誘電��膜内に発�擇垢襯侫�ラメントの形成が説��された。そしてメモリスタを作って、その��性説��と、��にニューロデバイスを作��する�Bが��いた。

筆�vが最も興味深かったのは、2次元デバイス��のhigh-k 誘電��として、250°CでMBE法により成長させたCaF2が、�k様な�T晶という�菘世芭氷イ包T晶性を��しており、しかも�X�┣�SiO2やALD成膜TiO2、そしてCVDによるh-BNと比較すると、リーク電流が最も少なく、絶縁耐圧も最も高い（27.8MV/cm）という。�b文発表�iのようだが、なぜ4�vの中で格段に優れた��性を��しているのか、その理�yを�瑤蠅燭い箸海蹐任△襦�

4.まとめ

コロナ感���敢�で�t��会が縮小され、代わりにウェビナーが�H��されるようになった。�峙�のようにウェビナーにもいろいろあり、例えば��2章で述べたIEEE日本���陲任蓮△修諒�野で功なり�@を�~げた立派な業績を達成している講師によるレビューと今後の動向などの解説が�Hい。

それに�瓦靴���3章のIEEE EDS ウェビナーでは、もちろんFull Professorの講演もあるが、�垉遒�EDSアーカイブを調べると、どちらかというとむしろ�{く元気のよいAssistant Professorレベルの研�|成果を基にした講演が�Hいようである。��聴していて、1970�Q代、筆�vがカリフォルニア工科�j学に�粒悗靴討い榛◆�教�b、��教�bにまじって、カジュアルなスタイルの�{いAssistant Professorが講�Iをしているのを�`にして、当時の日本の�j学との違いに驚いたことを思い出した。日本では謹厳な教�bによる講�Iが�k般的だったからである。教室では背広�eの教�bから、コートを脱ぐように�R�Tされた学�擇發い燭曚匹任△辰拭ｅ\�}は学�攫泰xや演�{の時間にしか登�Tしなかった時代であった。

�t��会を毎�Q見学していると、2-3時間ざっと見て歩くだけで、新しいことは何か、�\術動向はどちらに進んでいるかを肌で�瑤襪海箸�できるようになる。しかしウェビナーでは�b文を読むのと同じ時間を要するので、2つ3つ聞いただけで、�]時間で�\術動向を感じ�Dるのは困�Mである。そのため、えてして�vを見て森が見えないことになりかねないと感じた。

�\術動向を見失わず、しっかり把�曚垢襪燭瓩砲蓮‰H数のウェビナーを��聴しなければならないとすると、ドライアイを心配しながらウェビナー漬けに陥るだけである。�mい学会の学術講演会もオンライン開��になったので、広く浅い����の把�曚砲呂修舛蕕�����すべきだと思っている。

もちろん、��定の分野の深い��見を�uるには、本�Mにまとめた例のようなウェビナーは�j変便�Wである。��ってそのウェビナーが誰を����としているか、どのような性格なのかを理解してかからねばならないということだろう。オンラインのメリットを���pするには、送信�笋痢��p講�vに魅��ある、�p講�vを惹き��ける講演にする努��と共に、�p信�笋砲發修譴覆蠅旅�夫と�R�Tが��要である。

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いつもながら��集長の�氾���には今�vも原�Mの�h読の労を賜った。筆�vも満80歳を��し、周囲に原�Mを見てくれる�気眈�なくなったので、独��と偏見に陥らないよう、�����vの�h読は��須である。その�T味で�氾���の�h読にはいつも感�aし、頼りにしている。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
参考�@料
1. �r志田元孝 2050�Qの�\術予�R―課��はやはりIoT、人工���Α�AI）、深層学�{関連か セミコンポータル (2020/06/02)
2. �氾跳�二���M信 (2020/05/20 20:47)
3. IEEE東�B���陲旅岷蕾颪�同会ホームページに掲載されている。
4. 顔認証とAIの最�i線
5. シリコン単電子デバイスを��いた極限エレクトロニス
6. クーロンブロッケードに関してはウィキペディア
7. 2019�Q5月20日からSI単位�Uが�_�颪飽踊Tせず、量子��学に基づいて定�Iされるようになった。詳細は例えば金子晋久、改�ｹ餾歟碓��Uによる電気�Y��
8. Maxwell’s Demonと�}ばれる思考実�x。詳細はウィキペディア
9. 詳細はNTTからの2019�Q11月5日ニュースリリースに記されている。
10. 量子���R��角形に関しては科学研�|�J���\金「基盤研�|（S)単電子�U御による量子�Y��・極限���R�\術の開発」を参照。
11. Stacy Lehotzky（Committee Administrator, IEEE Electron Devices Executive Office）からのEDS会�^宛開��アナウンスメール (2020/08/01)
12. Hans G. Dehmelt とWolfgang Paulの「Development of the ion trap technique」に�瓦垢�ノーベル�駘�学賞
13. Serge Haroche と David J. Wineland の "ground-breaking experimental methods that enable measuring and manipulation of individual quantum systems" に�瓦垢襯痢璽戰��駘�学賞
14. 量子ビットの判りやすい説��は、例えばhttps://ferret-plus.com/9474
15. ブロッホ球（Bloch Sphere）に関してはウィキペディア
16. 例えばGoogleにcoherence timeとMoore’s lawを入��して画�妓〆�するとhttps://www.researchgate.net/figure/Color-online-The-Moores-low-for-the-coherence-time-of-superconducting-qubits_fig3_320077062
17. IEEE EDSのアーカイブ
18. Soochow Univ.
19. Stacy Lehotzky（Committee Administrator, IEEE Electron Devices Executive Office）からのEDS会�^宛開��アナウンスメール (2020/08/14)
　　講師�S歴
20. IEEE EDSアーカイブ
21. �r志田元孝、先頭集団で走り��けるためにも、ときには戦�S的に、あるいは�j胆に挑戦を セミコンポータル (2017/04/07)
22. 例えばSiに関するALDに関しては、�ﾟ圭Y�k先�擇龍叛咾�東工�j�@誉教�b松�����{先�擇蕕�S. Imai, S. Takagi, O. Sugiura, M. Matsumura, “A Novel Atomic Layer Epitaxy Method of Silicon,” Jpn. J. Appl. Phys. 30(No. 12B), pp. 3646-3651 (1991)　に詳しく述べられている。
またR. L. Puurunen, “A Short History of Atomic Layer Deposition: Tuomo Suntola’s Atomic Layer Epitaxy,” Chem. Vap. Deposition 20, 332-344 (2014)には、The First International Symposium on Atomic Layer Epitaxy in Espoo, June 11–13, 1990に�ﾟ契��擇搬焼�本人1�@が�d待されていたことが記述されている。
23. 例えばK. Takeda and K. Shiraishi , “Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite,” Phys. Rev. B 50, 14916 (1994)。
この�PはWu Ke-Hui(吴��辉), “A review of the growth and structures of silicene on Ag (111),” Chin. Phys. B Vol. 24, No. 8, 086802 (2015) にも詳しく述べられている。
24. Quhe Ru-Ge(屈贺如��), Wang Yang-Yang(�寨陵�), and Lu Jin(吕劲), “Silicene transistors- A review,” Chin. Phys. B、Vol. 24, No. 8 (2015)、088105
25. Hexagonal Boron Nitrideの�S�｡� 例えば�]�v哲、「グラフェン�X����　六�犠獣皺愁曠α�」、NTT�\術ジャーナル　2013�Q6月　pp.12-14