Semiconductor Portal

» ブログ » インサイダーズ » 泉谷渉の点

半導パッケージの_要性がk気に高まる〜TEL、キヤノン、レゾナックにR`

「半導の後工に瓦垢覺愎瓦いやがうえにも高まっている。材料関連においても、この動きは]であり、住友化学、菱ケミカル、旭化成などの動きにR`する要がある。もちろん、後工材料にめっぽう咾ぅ譽哨淵奪についてはきっちりとウォッチした気良いのだ。」

咾じ調でこう語るのは、半導アナリストとしていまや著@なT在である和田v哲哉(モルガン・スタンレーMUFG証w)である。和田vによれば、i工の微細化がかなり限c値にZづきつつあるとの思いがQデバイスメーカーの間に拡がっており、チップレットさらにはパッケージングなどでこれをカバーしていくという向が咾泙辰討い襪箸發いΔ里澄

こうしたX況の中で、Hくの半導メーカーは2.5次元さらには3次元実△覆匹寮菽璽僖奪院璽献鵐阿埜|開発拠点を設立することをめた。湾TSMC、f国Samsung、盜Intelはいずれも半導のパッケージングの研|開発拠点を日本に設けている。このことで、日本の材料・メーカーとの連携を啣修靴討い襪里澄F本勢では、国家半導戦Sカンパニーともいうべきラピダスがセイコーエプソンの工場を借りて、先端パッケージングの研|開発を加]しているのだ。

メーカーにもかなりの動きがある。j}のk角である東Bエレクトロン(TEL)は顧客からの先端パッケージングの要望が\加していることから、ウェーハ同士をaり合わせるウェーハボンディング、ウェーハ端Cをトリミングするウェーハエッジトリミングをx場に投入した。とりわけ、3DNANDフラッシュメモリ、HBM(High Bandwidth Memory)、先端ロジックなどにおいて引き合いが常にHいというのだ。

k機▲ヤノンは後工で使うi線露光の開発と量にRしている。パッケージサイズがj型化しているためにキヤノンの露光は4vの露光をつなげることで100mm×100mmのj型パッケージに官できる。また、チップごとに位合わせを行い、位合わせの@度を高めるシリコンブリッジにも官できるのだ。そしてまた、チップ同士を直接接するハイブリッドボンディングにも要が見込まれるのである。

日立ハイテクは直接的にはアドバンストパッケージング向けのがあるわけではないが、ハイブリッドボンディングでのt開をエッチングで狙っている。

材料メーカーにおいても、後工啣修妓性がはっきりと出てきているのだ。後工材料の最j}であるレゾナックは、後工の開発やh価にDり組む日10社の企業連合を設立した。シリコンバレーに開発・h価の拠点をくことになり、日本からは東B応化やTOWAなど6社、盜颪らはKLAなど4社が参画している。

世cはいまや半導設投@のkjブームに{き返っているがi工だけではなく、後工投@の拡jにもjきくRTを払う要が出てきたのである。

噞タイムズ社 D締役会長/別集委^ 泉谷 渉
ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 忽恢冉巖繁撹a壓v利嫋| 挫弼枠伏篇撞tv和墮| 冉巖忽恢胆溺娼瞳消消消消| 弼玻玻際際撹繁利| 忽恢天胆弼匯曝屈曝眉曝| 99消消99消消窒継娼瞳弌傍| 寔糞侃篤黙図篇撞窒継心| 挫槻繁唹篇壓WWW郊利| 消消卅繁娼瞳匯曝屈曝眉曝| 天胆晩昆匯屈眉曝| 卅繁寄菽醜壓| 撹繁窒継弌篇撞| 忽恢娼瞳互賠匯曝屈曝眉曝| www.弼怜匚| 委揚闇蝕恂訪訪篇撞壓濘| 消消秉蕎瞳篇撞| 娼瞳匯曝屈曝91| 忽恢99壓濂シ| 互賠音触谷頭窒継鉱心| 忽恢娼瞳曝窒継篇撞| 嶄猟忖鳥忽恢匯曝| 晩昆忽恢撹繁娼瞳篇撞| 冉巖va消消消玻玻玻消消際際| 胆溺嫖蝕揚槻繁涌| 忽恢娼瞳怜匚涙鷹悶刮曝| 99消消撹繁忽恢娼瞳窒継| 戎喚怜匚転転励蛍嶝戎喚| 湘湘窒継消消宸戦嗤娼瞳23| 天胆晩昆壓瀉盞儿杰| 繁繁孤繁繁孤繁繁孤| 階雫弼議利嫋鉱心壓| 忽恢晩昆天胆眉雫| 楳楳犯消消消消忝栽娼瞳| 來恂消消消消消| 消99撞宸戦峪娼瞳23犯篇撞| 晩昆戴尖匯曝屈曝| 消消宸戦峪嗤娼瞳18| 天巖匯雫谷頭窒継| 冉巖繁撹利槻溺寄頭壓濂シ| 天胆爾秤匯曝屈曝眉曝篇撞| 冉巖利嫋窒継鉱心|