しかし、真相としては違うだろう。筆�vも外国人投�@家や国内の主な証�w会社のアナリスト筋にヒヤリングをかけたが、実際のところは「キオクシアには��く魅��がない。株を�Aう気にはなれない。NANDフラッシュ1本�gの会社は不�W定であり、先行きが暗い。DRAMを�eっていないことが致命�aだ」。こうした�T見が��出したのだ。

キオクシアの2020�Q�嵌彰�の成績は、かなり良いものであった。確かにここに来て、NANDフラッシュメモリは価格下げと��要バランスの崩れがあり、見通しが暗いという�X況はあった。ところが、つい直�Zの�X況で言えば、価格は下げ�Vまった。つまりは、在�Uはほとんどなくなった。来�Q�峇�に向けてメモリ半導��は�峺�機運に乗りつつある。それでもキオクシアの人気がない。

10月��になって、キオクシアは四日�x工場内にY7棟を建設する��画をぶち�屬欧�。なんと1兆��の投�@である��四日�x工場は現�Xで敷地80万m2であり、Y7棟建設に伴い、20万m2の土地を�\やすことになるのである。実に四日�xは100万m2の広�jな敷地を�eつ国内ぶっちぎりトップの半導���j型量�妌場にジャンプアップするのだ。

この��画を�]ち出したことには裏がある。�f国のSKハイニックスは、約1兆��の�@金でインテルのNANDフラッシュメモリを�A収することを��めている。�k�気�、SKハイニックスはキオクシアの�j�}株主であるからして、あわよくばキオクシアも吸収したい、との狙いもチラホラと聞こえてきた。

こうした�X況下にあって、東��としては根性を見せなければならない時を迎えた。Y7棟という�j型工場建設を�]ち出して、国内外に元気な�eをアピールする��要があるのだ。そしてまた、SKの野望も閉じ込めてしまう��要がある。

�k�気�、東��は�u�Tとするパワー半導��の分野においても、�j型投�@��行をほぼ内定した。東��デバイスが�eつ量�喤点である加賀東��エレクトロニクス（石川県�θ��x）の敷地内に、300mmウェーハ�官�のパワー半導��の量��ラインを�k気に�D�△垢襪里�。�u�TとするパワーMOSFETの�ξ�を拡�jする�k�気�、新たにIGBTの分野も�啣修靴討い�。

データセンターの�k気���\、さらにはハイブリッド�Z、EV、�\料電池�Zなどのエコカー加�]などにより、パワー半導��という分野は4兆〜5兆��という巨�j�x場が見込めるのだ。これは数�Q�iのNANDフラッシュメモリとほぼ同じ��模であり、この分野で�Mたなければ東��の��来はない。��合する��菱電機はすでにシャープの福�儿�場を�}に入れた。当��のことながら、300mmのパワーIGBT量��で�M負をかけてくるだろう。これに�眼^する��要がある。

NANDフラッシュしか�eっていないことが、キオクシアのボトルネックであるならば、東��デバイスを傘下に加えてNANDとパワーデバイスの両�Cで�Z載やデータセンターを��めていくという作戦があるじゃないか、と筆�vには思えてならない。