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Z載パワーデバイス、2兆x場に成長へ!!〜富士、ローム共2200億(d┛ng)の投@

O動Z向けパワーデバイスは、いよいよ]な峺(j━ng)気流に乗ってきた。世c的な電動化シフトが進むO動Z分野は、まさに「オイシイx場」になりつつあるのだ。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)で世cトップシェアをeつ菱電機、トヨタUに(d┛ng)い富士電機、さらにはSiCパワー半導で世cトップを狙うローム、これにく東、サンケン電気、新電元工業などの投@画も\する勢いであり、`が`せなくなってきたと言えるだろう。世cのO動Z向けパワーデバイスはここ数Qで2兆以屬僚j(lu┛)型x場に成長すると見られ、設投@で先頭を切っているのが @立たる日本企業であることにR`したい。

地味で慎_だといわれる富士電機が、2023Q度に売峭1兆、営業W(w┌ng)益800億という新中期画を発表したことで、関係vはk様に驚いている。アナリスト筋はどよめいていると言えよう。これを達成するために、パワー半導に_点投@をするとして、何と2019〜2023Q度にかけては、i5ヵQ比43.2%\の2200億を充てるというのだ。Q間平均でいえば400〜500億は確実に投@することになる。

富士電機はトヨタUの納入実績がHいことは確かであるが、同社の半導設投@は2015Q度に74億、2016Q度に89億、2017Q度に111億という水であり、徐々に引きあがってはいるものの、いわば小模投@がずっといていたのだ。2018Q度はk気に332億に引き屬押EV向けIGBTの量を進めている。IGBTとダイオードをワンチップ化したタイプを(d┛ng)化しており、k(sh┫)でオールSiCのトレンチ型MOSFETの量僝にもDり組むのだ。合わせて電源やZ載向け圧センサも拡j(lu┛)していく。

k(sh┫)、IGBTの世cチャンピオンである菱電機は、ここ数Q、設投@Oを抑えてきた。2013Q度に360億というj(lu┛)型投@を敢行したが、2014Q度以Tは100〜165億の間をうろうろしていた。要するに徹f的にアウトソーシングを進めてきたのだ。投@リスクをvcすることが同社の基本スタンスであり、半導の売り屬殴薀鵐ングでいえば、2019Q3月期に約2000億で国内8位に里泙辰討い襪、当のことながらさらに岼未鯀世辰討い襦

そこで菱電機もまた2018Q度には552億の設投@を久(sh┫)ぶりに行した。売嵌耄┐任い┐倅攵嚩Yの約3割を投@するという積極e勢をついに見せ始めたのだ。フルSiCパワー半導モジュールはすでに完成しており、東Bj(lu┛)学との共同研|で、ドレインB^のj(lu┛)きさを左する電子g乱の要因を、世cで初めて解したことが同社には{い風となっている。

ロームはまさにSiCまっしぐらという作戦をとっている。同社も2016Q度は421億度の投@であったが、2017Q度に559億に引き屬押2018Q度には780億にまで峺(j━ng)させた。ロームアポロの福K県筑後工場に新棟を建設するk(sh┫)、グループのラピスセミコンダクター宮崎にも新ラインを導入した。2021QにはSiCデバイスの攵ξを現X(ju└)の3倍に相当する月1万2000(6インチ換Q)に引き屬欧襪箸いΔ里澄8什SiCでトップを行くウルフスピードをsいて、世cチャンピオンになることを内霤には表している。そしてまたこの3カQで2500億の投@をする予定であり、ルネサスからA収した賀工場の8インチラインもIGBTの量に振り当てるのだ。

東もまた主の加賀東エレクトロニクスの8インチライン拡j(lu┛)を考えている。月15万のξがあり、IGBTをはじめとするパワーデバイス\(d┛ng)に投球の構えだ。2021Q度にはディスクリート半導だけで売り屬2000億を`指し、とりわけZ載に]シフトを]ち出しているのだ。

サンケン電気の18Q度の半導デバイス業は1518億となっているが、O動Z向けが794億と(r┫n)常にj(lu┛)きい。2018〜2020Q度の設投@は総Y440億を投じて、儼船汽鵐吋鵑よび(sh━)国子会社の8インチξを\(d┛ng)していく。

新電元工業もパワー半導のZ載シフトを]ち出している。これまでのデバイス業はD流ダイオードにあったが、今後はICを中心にしていく考えをwめている。JTのダイオードに加え、MOSFETとパワーモジュールが成長ドライバーと考えており、デバイス業の売り屬模は500億突破を狙い、Z載比率50%を`指している。

トヨタO動Zから半導工場のほとんどを引きpけたデンソーは、半導靆腓稜笋屬欧鮟o表していないが、少なくとも3000億以屬呂△襪噺世錣譴討い襦H焼の50%は半導センサであり、残りはASICとパワーモジュールがめている。Z載SiCデバイス供給に向け△鬚靴討り、新日本無線を通じてオーディオSiC、パワーデバイスの供給を開始した。こうしたこともあって、新日本無線は新工場建設を予定しているようだ。また富士通から}に入れたデンソー岩}も今後(d┛ng)化の(sh┫)向にある。半導IPの開発・設を行う新会社エヌエスアイテクスを設立したことで、O動運転向けの次世代プロセッサ開発にをあげるk(sh┫)、低失のパワーデバイスの新開発にもRしている。

こうした日本メーカーのZ載向けパワーデバイスシフトは、世cの流れの中でに顕著な出来である。日本勢以外でまともにパワーに投@しているのは、欧Δ離ぅ鵐侫ニオンくらいであるが、今後は中国勢がパワー半導で]にキャッチアップしてくるとの情報もあり、を挙げて世cの流れからsけ出していく(d┛ng)いT志をwめていると言ってよいだろう。

噞タイムズ 代表D締役社長 泉谷 渉
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