「いうところの���\金バラマキによる中国のビジネスモデルは、はっきり言ってかなりすさまじい。�陵枦澱咾砲弔い討��Uあられの���\金バラマキで、世�cのPV導入量約103GWのうち、中国メーカーのシェアは80％に及ぶという�X況に押し�屬欧拭�ところが、国家発�t改革委�^会が6月1日に���\金引き締め��策を発表した��端に、�k気にクールダウンした。2018�Qは少なくとも�i�Qに�瓦�26％��になることは間違いない。さすがの中国も���\金の財源不�Bが�`立ってきた��」

こう語るのは中国にあって電子デバイス�噞新聞の�帷L�Ф苗垢���める�����Z����である。������によれば、�陵枦澱咾又�きLEDメーカーに�瓦垢誅��B���\金も�k気にトーンダウンしているという。今後はリチウムイオン電池、�]晶、半導��にバラマキが��くであろうが、「色々あって��にもうやめたから」と言ってのける中国���Bの�官�に����左��するメーカーは数�Hいというのだ。

それにしても中国が主導して引っ張ってきたスマホの低迷ぶりはひどいものだ。中国スマホは2016�Qに�Q間4.9億��を出荷し、これがピークアウトと見られる。2017�Qは初めて�i�Q比マイナスとなり、2018�Qに入っても1月〜5月は毎月ほぼ�i�Q割れが��いている。なんとこの5カ月の出荷��数は、��2016�Q比でいえば26％も��少しており（��集室�R1）、�k気凋落といっても良いだろう。

さて�k��、中国では2018�Q〜2022�Qに約20カ所で300�亶�場の立ち�屬欧���画されている。2018�Qのトータルウェーハ�ξ�は月��652Kが予�[されるが、2020�Qころにはこれが3倍�\の1840Kにもなるというのだ。

しかしながらよく見てみれば、最先端レベルの300�亶�場はサムスンの���W工場、インテルの�j連工場、TSMCの南�B工場などの外�@�U�j�}によるものが圧倒的に�Hい。中国の国��メーカーであるSMIC、XMC、Hualiなど15社はいまだ8インチがかなり�Hく、300�丱ΕА璽呂砲靴討�40nm〜90nmが主��とみられており、要するに3周�v��れというのが現実なのだ。

3D-NANDフラッシュメモリに挑戦するXMCについても現時点での量��レベルの微細化水��は、28nm/14nmを開発中という段階であり、サムスンや東��のレベルに達するには２〜3�Q以�屬�かるとみる向きが�Hい（��集室�R2）。

中国半導��投�@ラッシュに関するセンセーショナルな報�Oは加�]するばかりであるが、�i記の�陵枦澱咾砲澆蕕譴襪茲Δ法巒��\金なくなったからもうやめるもんね」、といきなりはしごを外されることがないとは��して言えないのだ。

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1. 26%��という数�Cの根拠はわからないが、少なくともセミコンポータルが把�曚靴討い訖��Cは、2018�Q��2四半期では�i�Q同期比7%��である(アジア�U調�h会社のCounterpoint社による)。DRAMの値�屬�りを�pけてスマホも値�屬�りしたため、消�Jが�k時的に冷えているからだ。
2. フラッシュメモリの微細化は、ロジックとは違い、10nmまでも行っていない。むしろ微細化をあきらめ3次元化に向かったため、3D-NANDでは最先端でもせいぜい19nm��度で�Vまっている。もしXMCが14nmまで進んでいるのであれば、最先端を行っていることになる。