2017�Q9月25日に開��された��別例会にはソニーセミコンダクタマニュファクチャリングのID開発�靆臘垢量舮�新吾��が登場し、会場は�k気に�rり�屬�った。何を隠そう、門����こそがソニーのCMOSイメージセンサの黄金�\術である「裏�C照�o」の開発を立ちあげた人であったからだ。同��はプレイステーションのチップとして東��と共�hした「セル」の開発に����していたが、CCDのCMOSへの��き換えに�Dり組むべし、との社内�T見をバックにCMOSイメージセンサにのめり込んで行く。

「1955�Qのこと、ソニーがまだ東�B通信工業といわれていた時代からトランジスタの開発に�R��していた我が社は、日本初のトランジスタラジオTR55を発表し、世�cをあっと言わせた。その後の����開発では常に半導��がベースとなり、ユニークな����を世に送り出してきた」（門����）

ソニーは現在にあってCMOSイメージセンサの世�cチャンピオンであり、スマホの50％以�屐▲妊献織襯�メラの90％以�屬寮つcシェアを�eち、ぶっち切っている。300mmのウェーハ�ξ�も月��10万��に�Zづいており、研�|開発、設��投�@の両�Cで、��位の座はまず��らぐことはない。

真っ暗闇でも見える性�Α�140°C以�屬旅矼X下でも動作する機�Δ鬚弔院△気蕕砲�DRAMを搭載し、１秒間のフレーム数を120��から1000��まで�屬欧襪箸いΧ丹曚龍\術��は今も進化を��けている。しかし、何といってもソニーが�\術的にブレークスルーを��こしたのは裏�C照�oという�`れ�\なのだ。

「��来の表�C照�oでは入�o光が配線にぶつかってしまう。そこで発�[の転換を行い、配線�霾�を下層にし、�崛悗砲魯札鵐��霾�を�eって行けば良いと考えた。まずは配線�霾�を作り込み、ひっくり返してギリギリまでシリコン基��を削って行き、その�屬縫�ラーフィルタを乗っける。実のところ、成功はしたものの、まず無理と思われた開発であった」（門����）。

それはそうだろう。配線�霾�はロジックICであるから約400°Cの低�aプロセスで作り込む。しかし、その後の処理では約800°Cの高�aプロセスを使わなければならない。二��背反とはこのことなのだ。それでもソニーはまさに門外不出の�\術を作り�屬押△海臨T盾を解��してしまったのだ。

裏�C照�oに��いて積層型を開発するが、これで�v路�覦茲伐菫��覦茲鯤魅船奪廚吠��`することに成功する。これでスマホへの�j量搭載を�耀uして行くのだ。さらにDRAMを搭載する3層型のCMOSイメージセンサ開発に成功するが、これまた世�c初の�\術であり、実に�Mしい代�颪如�何と開発に3�Q間もかかったという。

「次世代に�瓦垢覲�発はさらに加�]する。フォトダイオードの�屬吠亳�素子センサを乗せることや、マルチ型センサで色の��徴を見るだけで����／�饑�を見分けていくことなど、まだまだIoT時代に向けて無限の可��性があると思っている」（門����）

ちなみに、当�C��要とされるCMOSイメージセンサを月間100億個作るためには、何と300mmウェーハ換�Qで月��100万��のキャパシティが��要になるという。どうあっても、ソニーの�j型設��投�@はこれからも��いて行くしかないのだ!!