瀾隴劉彌介、エッチャ〖が溪各を懼?jǐn)vる×3D-NANDの絡(luò)抨獲が恃える緩度菇隴
≈染瞥攣瀾隴劉彌の坤腸でとんでもないことが彈きている。凰懼介めてのことであるが、部とエッチャ〖の卿り懼げが溪各劉彌を懼?jǐn)vった。ひとえに、3D-NANDフラッシュメモリの叼絡(luò)抨獲が染瞥攣瀾隴の菇隴俠を恃えているのだ∽。
考いため漏をつきながらも、玲庚でこう謬りまくるのは填錄沮膚のアナリスト/ディレクタ〖の下拍騰暖喝會(huì)である。泣沸ヴエリタスのアナリストランキングで撇」1疤にランクされた下拍騰會(huì)は、海や染瞥攣瀾隴劉彌の尸填で粗般いなくナンバ〖1のアナリストといってよいだろう。
これまでの染瞥攣瀾隴においては溪各怠1駱に灤し、エッチャ〖はせいぜい1×2駱あればよかったのだ。ところが呵奪ではウルトラナノレベルに腮嘿步が渴んでいるために、3腳溪各、4腳溪各などが裁廬している。溪各怠1駱に灤しエッチャ〖8駱笆懼という箕洛がやってきている。
これを瓤鼻して染瞥攣瀾隴劉彌の坤腸ランキングでも佰恃が彈きている。2016鉗の染瞥攣瀾隴劉彌は坤腸卿懼光が4名邊動(dòng)となっており、漣鉗孺12◇籠の寵斗にある。この哺訪を減けて、エッチャ〖の坤腸で們トツのシェアを積つLam Researchは、2016鉗の染瞥攣瀾隴劉彌ランキング∈VLSI Research拇べ∷においてApplied Materials、ASMLに肌ぐ坤腸媽3疤に絡(luò)迢渴した。ちなみに、坤腸4疤は澎疊エレクトロン、媽5疤はKLA-Tencor、媽6疤はSCREEN、媽7疤はアドバンテスト、9疤が泣惟ハイテクノロジ〖ズとなっている(山1)。
山1 2016鉗における坤腸染瞥攣瀾隴劉彌ランキング 叫諾¨VLSI Research
≈3D-NANDに徊掐しようというメモリメ〖カ〖は眶驢いが、悸は絡(luò)恃豈しい禱窖だ。エッチングの逢貳りだけで1箕粗はかかる。驢腳溪各を帆り手すために、プロセスコントロ〖ルもかなりのスキルが澀妥になる。面柜メ〖カ〖の徊掐がアナウンスされているが、3D-NANDフラッシュメモリ坤腸でトップを乖くサムスン排灰、澎記/ウエスタンデジタル息圭の禱窖レベルに納いつくには陵碰の鉗奉を澀妥とするだろう∽∈下拍騰會(huì)∷。
Lam Researchの瀾隴供眷はもはや塔欽となっており、3D-/NAND羹けが締橙絡(luò)でとても侯り磊れない。この尸が澎疊エレクトロン、Applied、泣惟ハイテクに萎れてきており、これら稱家もフル蒼漂が魯いている。
澎疊エレクトロンはこうした覺(jué)斗を紊く斧盔えており、2019鉗刨には鏈家卿り懼げの36◇笆懼をエッチング簇息にするという謄篩を惟てている。エッチング肩蝸のTEL弟倦のプロセスチャンバの蕪紛叫操は、2016鉗6奉檬超で5000駱を茫喇したが、この供眷が瓢き叫してわずか5鉗煎で茫喇したことになる。肌の謄篩である1它駱の叫操は海稿3鉗粗で茫喇してみせると、票家の創(chuàng)嬸は胳っており、動(dòng)丹の謊廓である。
≈2015鉗檬超でフラッシュメモリの欄緩ラインは、奉1500K鎳刨であった。2020鉗にはこれが奉12500Kに姆ね懼がる。48霖から64霖、さらには96霖まで惟攣步が渴んでくる。もしかしたら溪各怠1駱に60駱のエッチャ〖が澀妥になるかもしれない。そういう萎れになれば、エッチャ〖メ〖カ〖にはまさに叉が坤の秸が毗丸したことになるだろう∽∈下拍騰會(huì)∷。
