同��によれば、とりわけ�PびるのはADAS（先進運転�v�мqシステム）��の半導���x場で、2013�Qから2020�Qまでの8�Q間で2.7倍の�x場��模（26億4600万ドル）となり、新�Zにおける搭載比率は今後限りなく100%に�Zづくという。

では1��の�Zにはどれほどの半導��が使われているのか。カローラなどの�j(lu┛)���Zクラスに搭載されている半導��は、1��あたり3万����度であるが、それがプリウスなどのハイブリッド�Zとなると�k気に7万��にはね�屬�る。しかも、�\えた金�Yのうち約90%はパワー半導��が��めていると言われる。

こうした��向の中で�R�Tを払わなければならないのは、�O動�Z電�△�Tier1メーカーの半導��本格参入の動きである。デンソーは�o表していないが、すでに約2500億��に相当する半導��を�攵�していると見られ、国内半導��メーカーの�攵�ランキングでいえばロームに次ぐ��7位という高いポジションにある。�攵����`はIGBT、パワーMOSFET、ASIC、�Q�|センサ、SOIプロセスチップなど�H彩である。富士通から�D�uしたデンソー岩�}は2017�Q度から100%�O社向け供給の半導��を量��する��画であり、�R�`のSOIプロセスを採��する。この工場は総�Y240億��を投じ2016�Q春ごろには�攵��Y1000億���i後を見込む�j(lu┛)��模な�Z載向け半導��工場になっていく。

カルソニックカンセイは現�Xでパワー半導��を委�m�攵�しているが、��(j┤ng)来はIGBTモジュールの内��化を検討するという。アイシン�@機もまたボディ��マイコンなどの設��・組立・テストを、�@本参加した日出ハイテックで充実させていく考えだ。�l田�O動�E機は�W城工場でDC-DCコンバータを�攵�しているが、今後はハイブリッドやEV向けのコントロールユニットにも�t開するという。��電舎は国内電気�O動�Z向けにIGBTモジュールとインバータを供給している。東�L理化は4インチおよび6インチウェーハでBiCMOS�\術を?q┗)���し、カスタムICや磁気センサを�k���攵�している。

外国勢�j(lu┛)�}のボッシュは、マイコン設��、MEMS、ASICなどを�}がけている。エアバッグ��ASICなどはかなり早い時期からスタートしており、最�ZではIGBTモジュールなどにも�t開中だ。日立オートモーティブシステムズは、�j(lu┛)型�Zや外国���O動�Z向けに�咾澆魴eち、グループ内でパワーICやIGBTの�i工��も所�~している。今後は矢崎総業やGSエレテックなどワイヤハーネスを�}がけるメーカーも半導��開発に参入するとも言われている。

半導��の最�j(lu┛)の��徴は3つある。�kつは��確な「再現性」であり、数���vも数�h�vも、はたまた数万�vも同じことを繰り返し再現できることが�咾澆澄�もう�kつは「軽薄�]小化」で、これまでのモバイル機�_(d│)が証��してきたように、�j(lu┛)型機�_(d│)を限りなく小さくすることに絶�j(lu┛)な威��を発ｧしてきた。そして3番�`の��徴は「��財権防ﾅ」ということにある。真�瑤気譴討呂い韻覆ぅ離Ε魯Δ鯣焼���の中に封印し、他社には絶�柑箸錣擦覆い茲Δ砲垢襪里任△襦ＹZ載向けTier1メーカーが半導��内��化に走る最�j(lu┛)の理�y(t┓ng)は、やはりこの��財権防ﾅおよびそれによる差別化の�耀uに尽きると言ってよいだろう。