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フラッシュx場に匹發垢諄Z載半導〜Tier1企業の半導内化にR`

「Z載向け半導x場は、世c景気にかかわらず、この10Q間じわじわと確実にPびてきている。2014QのZ載半導の世cx場は約3兆となっており、センサデバイスが最もPびている。半導の}形と言われるフラッシュメモリのx場模にほぼ匹發垢襪曚匹棒長している」(半導アナリストの南川)。

同によれば、とりわけPびるのはADAS(先進運転vмqシステム)の半導x場で、2013Qから2020Qまでの8Q間で2.7倍のx場模(26億4600万ドル)となり、新Zにおける搭載比率は今後限りなく100%にZづくという。

では1のZにはどれほどの半導が使われているのか。カローラなどのjZクラスに搭載されている半導は、1あたり3万度であるが、それがプリウスなどのハイブリッドZとなるとk気に7万にはね屬る。しかも、\えた金Yのうち約90%はパワー半導がめていると言われる。

こうした向の中でRTを払わなければならないのは、O動Z電△Tier1メーカーの半導本格参入の動きである。デンソーはo表していないが、すでに約2500億に相当する半導を攵していると見られ、国内半導メーカーの攵ランキングでいえばロームに次ぐ7位という高いポジションにある。攵`はIGBT、パワーMOSFET、ASIC、Q|センサ、SOIプロセスチップなどH彩である。富士通からDuしたデンソー岩}は2017Q度から100%O社向け供給の半導を量する画であり、R`のSOIプロセスを採する。この工場は総Y240億を投じ2016Q春ごろには攵Y1000億i後を見込むj模なZ載向け半導工場になっていく。

カルソニックカンセイは現Xでパワー半導を委m攵しているが、来はIGBTモジュールの内化を検討するという。アイシン@機もまたボディマイコンなどの設・組立・テストを、@本参加した日出ハイテックで充実させていく考えだ。l田O動E機はW城工場でDC-DCコンバータを攵しているが、今後はハイブリッドやEV向けのコントロールユニットにもt開するという。電舎は国内電気O動Z向けにIGBTモジュールとインバータを供給している。東L理化は4インチおよび6インチウェーハでBiCMOS\術をし、カスタムICや磁気センサをk攵している。

外国勢j}のボッシュは、マイコン設、MEMS、ASICなどを}がけている。エアバッグASICなどはかなり早い時期からスタートしており、最ZではIGBTモジュールなどにもt開中だ。日立オートモーティブシステムズは、j型Zや外国O動Z向けに咾澆魴eち、グループ内でパワーICやIGBTのi工も所~している。今後は矢崎総業やGSエレテックなどワイヤハーネスを}がけるメーカーも半導開発に参入するとも言われている。

半導の最jの徴は3つある。kつは確な「再現性」であり、数vも数hvも、はたまた数万vも同じことを繰り返し再現できることが咾澆澄もうkつは「軽薄]小化」で、これまでのモバイル機_が証してきたように、j型機_を限りなく小さくすることに絶jな威を発ァしてきた。そして3番`の徴は「財権防ナ」ということにある。真瑤気譴討呂い韻覆ぅ離Ε魯Δ鯣焼の中に封印し、他社には絶柑箸錣擦覆い茲Δ砲垢襪里任△襦YZ載向けTier1メーカーが半導内化に走る最jの理yは、やはりこの財権防ナおよびそれによる差別化の耀uに尽きると言ってよいだろう。

噞タイムズ社 代表D締役社長 泉谷渉
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