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モバイルDRAMの設投@が再開されてきた!!〜3次元NANDの量僝はまだ先

パソコンおよびデジタル家電、さらにはスマートホンやタブレット端のメインメモリとして躍しているDRAMのx場に気が戻ってきている。2012Qはx況低迷の影xから、設投@がj幅に抑Uされ、これがとりわけ]メーカー、材料メーカーにかなりの影xを与えてきたのだ。

ところがここにきてスマートホンやタブレット端向けの要が好調であることから、Q社ともx況好転は確実なものと判している。DRAM業cの2013Qのビット成長率は20〜30%と予Rされ、依低水に里泙辰討い襦しかしながら、スマホやタブレットなどのモバイルDRAMに限れば50%以屬Pびが期待できるX況となっている。

モバイルDRAMでは現X3X nmが中心であるが、2013Qは2X nm世代がよりjきなウエイトをめると見られ、この微細化投@も拡jすることは確実であり、メーカーには少しく{い風が吹くだろう。

k気、パソコン向けは不調がきスマホやタブレット向けが好調であることから、Q社とも@DRAMからモバイルDRAMへの転換投@を加]する。サムスン、SKハイニックス、マイクロン/エルピーダの3jメーカーは、こぞってモバイル転換投@に積極e勢を見せているのだ。

NANDフラッシュメモリーも2012Q後半からj口価格、スポット価格ともに峺している。メモリーメーカーが攵と投@を絞ってきたことで、給バランスがよくなり始めたことが要因だろう。直Zで32GビットMLC(Hビット/セル)のj口価格は2.6ドルi後までv復している。さらにパソコン向けSSDの要立ち屬りも[定されており、微細化投@がこちらでも加]していく。

東は四日x工場で最先端の1Y nm世代の量△妨け、]を導入中。サムスンも16ラインで19nm世代のξ\咾望}している。ただし微細化については、思ったほど、ビットコストが下がらないという根本的な問がある。つまりは、ダブルパターニングの本格導入でプロセスコストが峺してしまうのだ。この代\術として期待される3次元NANDもいまだ量僝のメドはついていない。

2013QのモバイルDRAM向けの設投@は微細化が中心となるが、2014Q以Tはウェーハ投入ξそのものの\咾jきく期待できる情勢だと言えるだろう。

噞タイムズ社 代表D締役社長 泉谷 渉
(2013/04/05)
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