半導浄\術は日本が圧倒的な咾澆鯣ァして世cをリードするuT分野
ベルギーの独立U半導研|機関であるimecは、1992Q以T、「Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces(UCPSS))と称する半導プロセスのクリーン化・浄\術に関する国際会議を隔Qで開している(参考@料1)。
直ZのThe 17th Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (UCPSS 2025)は、去る9月にimecにu接した同機関の設立母であるルーベン・カトリックj学(KU Leuven)工学陬ャンパスで4日間にわたり開された。世c中から垉邵箔Hとなる350人余りの半導\術vや研|vが参加した。日本からも垉邵箔Hの60人余りが参加した。

図1 UCPSS 2025参加vの集合^真 出Z:UCPSS主v撮影、ベルギー・ルーベンカトリックj学工学陬ャンパスにて

図2 UCPSS 2025会場の様子 出Z:著v撮影
同会議では、チュートリアル4P、d待講演4P、k般講演52P(要旨講演きポスターt16Pを含む)の合60Pの講演が行われた。発表vの所錣垢訌避Eの所在国による国別発表P数を表1にす。

表1 UCPSS 2025における国別発表P数 出Z:プログラムに基づき筆v集
日本からは遠いベルギーでの開にもかかわらず、日本から発表が最Hとなった。10組EからH彩な発表が行われた。ドイツからの発表のうち、4PはSCREEN ドイツ子会社による発表(そのうち3Pは日本人による発表)であり、これらを含めれば、日U企業・研|機関からの発表は20Pに達する。2位のベルギーは、15Pのうち14Pがimecからの発表であり、日本のように国内Q組Eからの発表というわけではない。
ISSCCやVLSI Symposiumなどの半導国際会議の日本からの発表は、長期少気味で欧櫃Zu国(中国、f国、湾)からjきく差をつけられて日本のT在感が薄れるなか、日本には世c浄x場でトップ争いを演じる2jメーカーがT在し、中小浄メーカーや世c的な高純度薬]・純水メーカーもH数T在し、クリーン化・浄\術は日本が圧倒的に咾い燭、この分野の日本のT在感は際だっている。
日本勢による発表テーマのk覧を表1と表2にす。表1は、SCREENグループからの発表、表2はそれ以外の日本人による発表である。SCREENによる発表のHさが際立っている。

表2 UCPSS 2025におけるSCREENグループからの発表 出Z:筆v作成

表3 UCPSS 2025におけるSCREEN以外の日本勢による発表 出Z:筆v作成
SCREEN グループからの発表のうち3Pがimecとの共著であり、imecに研|v(所錣SCREENドイツ法人 )を派遣して先端ウエットエッチング・クリーニング開発のk端を担っていることが窺える。また、世c模でj学や企業とも幅広く協業していることがわかる。
日本からの発表は、エッチング・浄\術、浄・|燥、薬]、デバイスと広JにわたるテーマをDり屬欧討り、研|vの層も厚い。セントラル硝子と菱ケミカルといった材料メーカーが先端デバイス]薬]をimecと共同開発(薬]メーカーが開発した新組成の薬]をimecがh価)している。TELアメリカ法人からの発表は2Pあったが、残念ながら東Bエレクトロンの日本勢からの発表はなかった。
高アスペクト比微細パターン倒s問が最jの課
シリコンウェーハ浄工は、工の約3割をめて、最頻工となっており、\加向にある。今vのシンポジウムでは、セッションの中で、「高アスペクト微細構]」が最jのセッションで、様々なパターン倒sの考察や倒s防V防V策が提言された。
3D デバイスのエッチングに関しては、3D NANDフラッシュメモリ]のSiNIエッチ、GAA(ゲートオールアラウンド)ナノシートトランジスタおよびその先のC(Complementary)FET向けSiGeIエッチ、 3D DRAMのSi層の薄化などの発表が豸を浴びた。環境問に最もX心にDり組んでいるフランスやベルギーからは、浄]の環境負荷低や浄工の環境敢についての発表がR`された。

図3 UCPSS 2025予M集 撮影:筆v撮影
なお、会場では、予M集(図3)が配布されたが、発表b文はh読後に単行本として刊行されることになっている(参考@料2)。
参考@料
1. UCPSS
2. “Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces XVII” (書籍版はTrans Tech Publications 、電子版はScientific.netより2025Q12月刊行予定で書でもP入可Α


