そのような中、最�Z、�f国のメディア（参考�@料1）が、「SEMES(�f国最�j(lu┛)の半導��・FPD���]����メーカー)が世�cで初めて先端��微細半導��量����の画期的な���]����を商��化した」と報じた。��けて「Applied Materials、Lam Research、東�Bエレクトロンなどの世�c的な半導�����]����メーカーが試作機さえまだ世に出せていない段階で、�f国メーカーが世�cに先�~けて革新的な����を商��化できたことは、�f国半導�����]����業�cにとって��挙だ」と述べている。

Samsungが��臨�c流��をDRAM量��に採��
SEMESが���]し、�f国Samsung Electronicsの最先端(<20nmクラスの) DRAM量��ラインに�H数導入されて、歩�里泙蠍��屬亡麝燭靴討い襪里蓮〓�臨�c二�┣獣坐�(Supercritical CO2)を採��したシリコンウェーハ��浄�|燥����だと、その記��は説��している。Samsung がこの�|の���]����を量��ラインに導入したことは、�k�陲糧焼�����浄業�c関係�vの間では以�iから�瑤蕕譴討い燭�、当���vであるSamsungやSEMES�O身は�k切�o表していないし、学会発表もしていない。いわば�f国業�c�Lのスクープ記��だ。

��臨�c流��は、表�C張��が発�擇靴覆い燭瓠〓�微細化により脆弱で倒�sしやすい半導��の3次元の柱�X構�]を表�C張��に基づく毛管��による倒�sや�N��などのダメージなしに��浄・�|燥することが可�Δ任△襦匯温憂@料2）。スタック型DRAM���~のシリンドリカル・キャパシタのアスペクト比の�j(lu┛)きな柱�X構�]は、水や�]��の表�C張��による毛管��で��浄後の�|燥の際に、パターン倒�sや�N��が��きやすい。プロセスの微細化に伴い、アスペクト比が�\してきており、ますます半導��微細加工を阻害する現��(j┫)として関係�vの間ではよく�瑤蕕譟∪菽璽廛蹈札垢�?q┗)���したい半導��メーカーは解��策を長�Qにわたって模索してきていた。さまざまな解���}法を試してきたが、もはや表�C張��が発�擇靴覆ぎ�臨�c流��に頼るしかソリューションがないということだろう。

ライバルSK Hynix は日������メーカーに開発要��
記��では、「SEMESはサムスンの子会社という関係のために�垉遒凡k度も同社から����を�P(gu─n)入していなかったSK Hynixも、��臨�c流����浄・�|燥����の�P(gu─n)入の�]�い鮨泙辰討い襦�ライバルの�L外����メーカーは商��化までかなりの時間がかかるものと見られる」と伝えている。しかし、�f国半導��業�c関係�vによると、この記述は��確さに�Lけており、「半導��メモリでSamsungと��しい��争を繰り広げるSK HynixがSamsung子会社の����を�P(gu─n)�Aすることは考えられない。SK Hynixは、Samsung に�眼^�屐�日�櫃亮舁徃焼�������メーカーに��臨�c流����浄�|燥����の開発を要�个靴討�り、すでに�k�陲�����メーカーの試作機がSK Hynixの研�|開発ラインで�h価中」とのことである。しかし、Samsung/SEMESは10�Q以�屬砲錣燭衞�かに協業を��け、�H数のデータを蓄積しており、すでに先端量��ラインで実績を出しているので、��合企業が�{いつくのは容易ではない。Samsung は開発中の次世代半導��メモリにも��臨�c流����浄�|燥を適��するらしい。

今後も�f国から革新的����が��々？
記��は「�f国半導�����]�����噞は、�垉�30�Qの間に国�僝とこれを通じた外国��の����価格引き下げに��点を当てて来たが、今後は�f国勢が世�c初の革新的な半導�����]����を商��化する頻度が�\えるだろう」と�Tんでいる。ちなみに、SEMESのCEOであるキム・ヨンシク��は、�O社ウェブサイト�屬砲董◆嶽Mたちの�`�Yは、世�c半導��メーカー売�峭皀薀鵐�ングで5位以内に入ることである」と�x言している。

日本の����メーカーは、史�峩��iともいえる好業績で、BBレシオも1.3を��えてバブルの様相だ。しかし、�L外からのうなぎのぼりの�����p�Rに�官�するため、�垉遒臨�長線�屬箔H忙にかまけてしまって、イノベータ�@神を忘れてしまっていては、�L外勢の後塵を拝することになりかねない。

参考�@料
1. �f国の電子�噞業�c�L　전자신문（「電子新聞」）�f国語電子版　2017.2.27��
2. �K����：「��４章　��臨�cを��いた半導��・MEMS ��浄�\術」。半導��・MEMSのための��臨�c流��（�Z藤英�k��）、コロナ社　（2012�Q）