これまでは�H�T晶シリコン�陵枦澱咾�住�畍�けに主流でやってきた。効率が高いためである。しかし、ここ最�Zは�H�T晶シリコン材料不�Bが�`立ってきた。�H�T晶シリコンはリボン�T晶だと�陵枦澱啗�けに�攵�できるが、�T晶シリコンは単�T晶インゴットのお尻とアタマ�霾�を�陵枦澱咼哀譟璽匹箸靴道箸辰討�た。真ん中のきれいな�T晶はLSIグレードして使う。�陵枦澱咾里燭瓩砲錣兇錣競哀譟璽匹猟磴んH�T晶を作るという�攵���(sh┫)法はなじまない。

そこで、�陵枦澱咯噞は、単�T晶シリコンやリボン型�H�T晶シリコンといったバルクを�W(w┌ng)��する?y┣n)陵枦澱咾�らの脱皮を�`指し始めた。このほど、シャープが�j(lu┛)阪�B堺�xに建設を発表した「21世紀型コンビナート」プロジェクトでは、�陵枦澱咾皮]晶パネルの二つの工場を建設する。この工場では薄膜の�陵枦澱咾��攵�する。

薄膜の�陵枦澱咾皮]晶パネルとは作り��(sh┫)がよく�瑤討い襦�もともと半導��の薄膜形成やエッチング、リソグラフィなどの工��はTFT�]晶�攵�でも使うため、���]����メーカーはFPD���]����へも容易に進出した。同じことが�陵枦澱咾砲發い┐襦�FPD�攵���の�j(lu┛)型���]����設�△版�膜�陵枦澱喟��△箸篭δ姪世��Hい。CVDにせよ、透��電極の形成にせよ、微細なパターニング工��こそないが、薄膜���]�\術には共通点が�Hい。

デバイスの原理からは半導���\術との共通点が�Hい。�陵杆�が半導��に入ると電子-��孔�瓦�出来、電子はプラス�笋飽�かれ、��孔はマイナス�笋飽�かれ、電流が流れることになる。�T晶に�L(f┘ng)陥などがあると、電子と��孔がそれぞれ分かれて電流として�Dり出される�iにお互いに再�T合して電流に寄与しなくなる。このため電子と��孔が�擇�ている時間、すなわちライフタイムを長く保つことが�_要で、良��のトランジスタを作る�\術と��く同じである。�陵枦澱咾療纏辧���孔のライフタイムを長くすることと、DRAMのリフレッシュ時間を長くすることは��く同じく�\術である。

ちょうど1�Qほど�iに、�盜颪涼聟�半導��メーカーのCypress Semiconductor社の�W才といわれたCEOのT.J. Rodgers��にインタビューしたとき、�O分はシリコン野�rだから�陵枦澱咾��攵�も高性��MOSLSIの�攵�も同じことさ、と答えていたことを思い出した。高�]SRAMで��業し最�ZではpSoCというプログラマブルマイコンに��を入れているCypress社は�陵枦澱咾�Sun Power社を子会社に収め、�陵枦澱啜�業を�啣修兄呂瓩討い拭�折しも、石��の価格が高�_し、�陵枦澱咼咼献優垢房{い風が吹いている。

日本では�陵枦澱咼瓠璽�ーは、シャープ、�Bセラ、��洋電機、カネカ、��菱電機が�~�@であり、�j(lu┛)�}半導��メーカーは��く参入しない。それどころか、�O動�Zメーカーのホンダやトヨタ�O動�Z、昭和シェル石��などが��を入れ始めた。ファウンドリメーカー、��湾のUMCも参入する。

���]����メーカーはFPD���]����と共通点が�Hいという認識で、Applied Materials社のみならず、日本のアルバックやSESも�陵枦澱咾忙夏�している。これまで日本のメーカーが�咾�った�陵枦澱咯噞にドイツのQ-Cell社が猛�{し��2位に食い込んできた。2007�Q半期（1-6月）の���Qが最�Z発表され、Q-Cell社は売り�屬欧��i�Q同期比44%�\の3億5000万ユーロ（553億��）、�W(w┌ng)益7700万ユーロと好調さを��した。�W(w┌ng)益率が22%と素晴らしい業績である。10�Q後、20�Q後にはどの企業が�岼未鮃圓�か、�`が�`せない。