トリッキ〖なトランジスタの甫墊が踏丸を麥くだろうか
媽4攙柜狠ナノテクノロジ〖柴的∈INC4∷に叫朗した。More MooreやMore than Moore、Beyond CMOSなど、ナノエレクトロニクスと疚する尸填の柴的ではあるが、20鉗漣の柜狠蓋攣燎灰コンファレンスやIEDM∈柜狠排灰デバイス柴的∷などを蛔い叫すような券山が驢かった。碰箕は、染瞥攣トランジスタが光廬になればス〖パ〖コンピュ〖タやメインフレ〖ムコンピュ〖タができると甫墊莢やエンジニアは慨じていた。
しかし海は、もはや染瞥攣トランジスタが光廬コンピュ〖タの瘋め緘になるとは茂も蛔っていない。染瞥攣トランジスタは澆尸廬い∈≈ス〖パ〖コンピュ〖タは輝任のMPUで悸附する箕洛∽徊救∷。しかし、奶慨バス∈シリアル/パラレル恃垂とその嫡∷やコンピュ〖タの剩花な緘魯き∈炭吾セットやプロセジャ〖、プロトコルなど∷などがボトルネックになっており、これらのボトルネットをいかに豺久するかという數羹で禱窖は渴んできた。呵奪は久銳排蝸籠絡の啼瑪がさらに叫てきた。
ナノスケ〖ル憚滔でのトランジスタの甫墊では、カ〖ボンナノチュ〖ブ∈CNT∷や翁灰ワイヤ〖など1肌傅に排灰を誓じ哈めて光廬步を哭るという數恕や、CMOSの腮嘿步の嘎腸を仆撬するためにCMOS菇隴を3肌傅のFINFETなど惟攣菇隴にするなど、シリコンのCMOSプロセスから斧ると端めてトリッキ〖な甫墊がなされている。
CMOSトランジスタの啼瑪は、ゲ〖ト冷憋遂の更さ嘎腸によりハフニウム煥步遂などHigh-k亨瘟への彌き垂えなどによる變炭忽で灤借しているが、これもいずれは乖き低る。CMOSそのものを斧木すという數羹はいまだに斧られない。IBMワトソン甫墊疥の券山でさえCMOSの拌を叫ていない。このブログの面で、≈なぜトランジスタの券湯が腳妥なのか∽を雇弧して丸て、リソグラフィで50nmのベ〖ス升を悸附できる海だからこそ、活してみる擦猛のあるラテラルnpn/pnpバイポ〖ラトランジスタを捏捌した。
2奉に毖柜ケンブリッジのベンチャ〖措度を艱亨したとき、パワ〖トランジスタをラテラルIGBTにして卵暗ˇ排萎推翁を澆尸にとるという瀾墑を疽拆した。毖柜ではラテラルバイポ〖ラを蝗う瀾墑がすでに叫幌めている。CMOSの嘎腸♂翁灰トランジスタやナノワイヤ〖、ではなく、なぜもっと士宿だがCMOSの啼瑪を仆撬できる詞帽なトランジスタを甫墊しないのか。ナノスケ〖ルを士燙で悸附できる箕洛になったからこそ、バイポ〖ラトランジスタのベ〖ス升を士燙でコントロ〖ルできるはずだ。
ナノテクノロジ〖♂トリッキ〖なトランジスタ、では瀾墑として蝗えるかどうか、10鉗沸っても甫墊だけで姜わる材墻拉が光い。礁姥攙烯で蝗えるトランジスタの掘鳳は、推翁拉砷操を額瓢できる(すなわち額瓢排萎が絡きい)、オフ排萎が澆尸に井さい、腮嘿步しやすい、シリコンプロセスを萎脫できる、などである。さらに海稿の糠BMW箕洛を雇えると、RF羹けのインダクタやキャパシタを礁姥しやすい、ミクストシグナル攙烯を礁姥しやすい、という掘鳳も裁わる。こういった掘鳳を甫墊の軀りとして肋けていると、警なくとも5鉗笆柒には蝗われる澀寇な禱窖の鉻輸を滇められることになる。
ラテラル陵輸房バイポ〖ラトランジスタは、その掘鳳に圭った鉻輸の辦つである。これにこだわる澀妥はないが、海の箕洛∈リソグラフィレベルで50nmの潰恕を悸附できる∷にふさわしい詞帽なトランジスタ菇隴を券湯し、そのプロセスを倡券することこそが銅司なトランジスタ、デバイスへの蘋を倡くことになるといえよう。
