��(sh━)インテル社が最初のマイクロプロセッサである4004を発��したのが1971�Qであり、MOS集積�v路ビジネスの�辰箸發い┐觝△世辰拭�9月23日の�d待講演には��湾の交通�j(lu┛)学教�bのSimon M. Sze�F士がスピーチする。�MはSze教�bとは�k度も�C識はないが、�j(lu┛)学4�Qの時か入社1�Q�`か記憶がはっきりしないが最初に出会った半導��の教科書がSze教�bの書かれたPhysics of Semiconductor Devicesだった。このときの本はボロボロになり、10�Qほど後に改めて�P(gu─n)入したという経緯がある。�^真は2番�`に�P(gu─n)入した本である。

当時Sze教�bは、��(sh━)国ニュージャージー�Ε泪譟璽劵襪砲△辰織戰訶��B研�|所に����されており、�\術スタッフとしての肩書でこの本を書いたようだ。この教科書の中ではMOSFETとはいわずIGFET（絶縁ゲート電�c効果トランジスタ）と書かれていたが、�]晶ディスプレイの�~動トランジスタである薄膜シリコンのTFTについても触れられておりその先見性は高いと思う。トランジスタ以外にもガンダイオードやインパットダイオード、レーザーダイオードといった最先端の�\術についても触れられており、半導��デバイスを����(d┛ng)するのにもってこいの教科書だった。Sze教�bが今日の半導���噞や�\術をどうみているのか��(r┫n)常に興味深く、講演は今から待ち遠しい。

�k般講演はレートニュースを除き、749�Pの投�Mに�瓦靴�500�Pが採�Iされた。�j(lu┛)会関係�vによると少し�iまで投�M�b文は��(f┫)少��向にあったが、最�Zは再び�\加に転じているという。今�v、分野を13にも広げたため投�M数が�\えたとみている。13の分野は次の通り；
分野1　最新ゲートスタック/Siプロセス�\術のサイエンス、
分野2　配線の集積化に向けた��性�h価と材料�\術
分野3　CMOSデバイス/デバイス?ji└)駘?br /> 分野4　最新メモリー�\術
分野5　最新�v路とシステム
分野6　化合�馮焼����v路、デバイスとデバイス?ji└)駘?br /> 分野7　フォトニックデバイスとデバイス?ji└)駘?br /> 分野8　最新材料合成と�T晶成長�\術
分野9　高機��材料とデバイスの�駘�と応��
分野10　�~機材料科学、デバイス?ji└)駘�および応�?br /> 分野11　マイクロ/ナノエレクトロニクスとバイオシステム
分野12　スピントロニクスの材料とデバイス
分野13　ナノチューブとナノワイヤーの応��

レギュラー�b文500�Pのうち、口頭発表は339�P、ポスター発表は161�Pである。採�I数を国内・�L(zh┌ng)外別でみると、日本からは投�M309�Pのうち263�P採�I、�L(zh┌ng)外は391�P投�Mのうち237�Pとなっており日本からの採�I率は高い。だからといって日本の��(sh┫)がレベルは高いとは言えない。同様な��向が��(sh━)国での学会コンファレンスでも見られたからだ。�噞�cと学�cとでみれば投�M�P数は�j(lu┛)学研�|機関が590�Pに�瓦靴謄瓠璽�ー110�Pという関係だ。

最�Zの��向として、�L(zh┌ng)外からの投�Mや発表が�\えてきているという。��に、��湾、�f国、シンガポールからの発表が�Hい。インターナショナルアドバイザリスタッフはこれまで欧��(sh━)中心だったが、��湾、�f国、シンガポールから今�vそれぞれ加わった。

High-k/メタルゲートのMOSFET��性からSiGeのナノワイヤー構�]を�W(w┌ng)��するpチャンネルMOSFET、トレンチ構�]のSiCパワートランジスタ、�w��電解��を��いる�B�^変化メモリー、マウスの�Nに�mめ込むイメージセンサーなどの発表がある。