今、SiC/GaNの�x場が立ち�屬�り始めた
パワー半導��は日本のメーカーが��戦している分野であり、トップテンの中の地位を��めてはいる。トップではないものの、期待は�j(lu┛)きい。��にシリコンのIGBTはパワーMOSFETのドレイン�覦茲�p型にして電子と��孔の2�|類のキャリアを使うバイポーラ動作で電流密度を高めるIGBTが�j(lu┛)電��パワー半導��の主��であるが、SiCやGaNなどの化合�馮焼���を使ったパワー半導��も出てきた。
図1 11月21日にオンライン開��するSPIフォーラム
SiCは耐圧が1200V�Uも登場し、GaNでは650V�Uが主流になっている。しかもIGBTと違って電子だけという�H数キャリアデバイスであるため、スイッチングオフ時には高�]に動作する。SiCは�B都�j(lu┛)学�@誉教�bの松�S弘之�@誉教�bが研�|し��け、GaNは�E色ダイオードの発��をきっかけにパワー半導��への応��が進んだ。いずれも日本発の�\術である。
しかし、共に世�c的にはビジネスで負けている。SiCではトップが欧�Δ�STMicroelectronics、2位がInfineon Technologies、GaNでは�盜颪�NavitasとPower Integrationsがトップ争いを演じている。共に外国企業がトップについている。
だから日本はダメだというつもりはない。むしろ、SiCとGaNの�x場は今、立ち�屬�り始めたところで、これから量��が始まるのである。ここからが�M負になる。
量����争となると、��模のスケールだけではなく、応��をいかに捉え、応���\術と営業��動の��がモノを言うことになる。��模のスケールは単なるコストダウンでしかないからだ。�O社の����にどう��加価値を��けるかは、応���\術と�\術営業が極めて�_要になる。欧�Α��盜颪糧焼���メーカーがよくやる�}として、サブシステムをユーザーに作って見せ、ICチップの����価格が高くてもサブシステム����で�Wくできることを��す。説�u��があり、IC����を値下げせずとも�P(gu─n)入させるテクニックである。
そのためにはSiCやGaNのシステムを�瑤襪海箸��_要になる。SiCでSTがトップシェアを�曚襪里蓮�Teslaの電気�O動�ZModel 3に採��された。またNavitasやPower IntegrationsはGaNを使うことで電源アダプタの効率が�屬�り、そのサイズが半��(f┫)することを訴求してきた。スマートフォンやパソコンの電源アダプタにGaNがたくさん使われているのは、電源�v路の効率が�屬�ったために小型化とバッテリが長�eちするようになったことが�j(lu┛)きい。
セミコンポータルは、ようやく立ち�屬�り始めたSiCとGaNが今後どうなっていくのか、日本のメーカーが�L外と�M負できるようにするためのヒントを、SPIフォーラム（図1）を通じて提供していく。11月21日はオンラインで、SiCの応��とGaNの新�\術をそれぞれの専門家に語っていただく場を設ける。聴いていただく日本のメーカーがSiC、GaNで世�cのトップ争いをやっていただけることを期待する。申し込みは以下のURLから；
