�O動�Z�\術�vがカーエレクトロニクスに�R�`するのは、信頼性の低い機械����を半導��などのエレクトロニクス����に��き換え、信頼性だけではなく軽量化、それに伴う低�\�J化を実現しようとするためだ。当初は、�\�J改��や排ガス抑�Uなどの点で点��タイミングの最適化などのエンジン�U御ユニットに入っていった。サスペンション�U御やエアバッグ、アンチブレーキ�U御などへと��き、最�Zでは�W��性の�U御にシフトしている。ミリ�Sを使った衝突防�Vや、アンチスキッド(横ブレ防�V)、レーンの白線検出などに半導��チップを使う。

今後は、ステアリング-バイ-ワイヤーやブレーキ-バイ-ワイヤーなど、��来は機械や機械軸で行っていた動作をエレクトロニクス、すなわちセンサーと細い配線、アクチュエータ、電子�v路、モーターなどで実現しようとしている。これにより軽量化と信頼性向�屬鮨泙襦�

�O動�Z内では、�QECU（電子�U御ユニット）にマイコンやいろいろな半導��が使われているが、ECU同士をCANやLINなどのネットワークで�Tぶ動きも�rんになっている。�O動�Zという絶���W��というスペックを実現するには、ミッションクリティカルなECUは2�_の�N長構成をとっている。しかし、これではコストがダブルにかかる。カーナビのように�W��性と直接関係の少ないところには最先端の32ビットRISCマイコンを搭載しているが、2�_構成ではない。ただ、FlexRayなどのネットワークでECU同士のやり�Dりが進むと、�kつのECUが�sれると別のECUのマイコンが、役�`の�k�陲鯊綛圓垢襪箸い�考えも出てきている。少なくとも最も�Zいガソリンスタンドまでは動作できるようにはしておく。

�O動�Zエレクトロニクスには厳しい信頼性の要求が課せられているとこれまでは思っていた。しかし、�O動�Z��半導��やプリント基��のスペックをよく見ると、それほど厳しくはない。高�a動作のスペックでは、せいぜい85℃��度だったりする。半導��デバイスはこれまでもっと厳しい条�Pで信頼性試�xを経�xしてきた。125℃〜-40℃での�a度サイクル試�xや、高圧も加わるプレッシャークッカー試�xなど、�O動�Zでは経�xのないほどのきつい条�Pで試�xしていた。動作スペックが最�j85℃なら、85℃での試�xは加�]試�xにならない。加�]試�xは85℃が最�j動作�a度なら125℃や150℃で試�xしなければ加�]係数を求められない。

少なくとも、機械金�錣凌�頼性とシリコン半導��の信頼性を比べると、シリコン半導��の�気�信頼性は高い。�O動�Zの機械がエレクトロニクスへとシフトしている理�yは実はここにある。だから半導��メーカーにとってカーエレ�x場は成長�x場なのである。

内�\エンジンを�W��するカーエレクトロニクスの先には、�\料電池やリチウムイオン電池などモーターを動��とする電気�O動�Zが待っている。もちろん、10�Q先の�\術ではあるが、電気�O動�Zだと半導��の消�J量はグンと�屬�る。現在でさえ、ハイブリッドカーには半導��をクラウンクラスの高級�Zの2倍も使う。

電気�O動�Zのメリットは、CO2や排気ガスを出さないこともさることながら、実は�O動�Z設���vによると、設��の�O�y度がきわめて�jきく広がることだという。内�\エンジンだと、エンジンの設��場所が��まり、それを�w定した�X��で�Z��やボディの外形が��まっていく。しかし、モーターを�W��する電気�O動�Zなら、モーターを�Q�Z�茲幕mめ込むことができる。ボディの形は、エンジンの設��場所という�U限から��く解放されるため、四角でも球��でも、あるいは��角��や五角柱でもよい。�O動�Z設���vの�O�y度が桁違いに高まるのである。

成�^・��和した�O動�Z�噞をエレクトロニクスが�]開していく。その肝心要なデバイスがシリコン半導��である。エネルギーバンドギャップの広いSiCは高�a動作に向くが、所詮、化合�馮焼���の弱点を�eつため、カーエレクトロニクスの主役にはなりえない。やはりシリコンがカーエレでも主役になる。